窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法技术

本发明专利技术涉及半导体性富集、且特定手性占优单壁碳纳米管的可控制备领域，具体为一种窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法。以醇类液态有机物为碳源，氩气为载气和保护气，以高温下结构稳定的多孔介质为担载体，通过浸渍法及后续热处理制备高分散度的双金属催化剂，利用化学气相沉积法生长单壁碳纳米管。双金属催化剂中的一相为高温稳定相，另一相为催化活性相。利用这种催化剂的独特高温结构稳定性，适宜的碳源分解能力，在较宽温度范围内选择性合成了窄手性分布、高质量的半导体性单壁碳纳米管。本发明专利技术突破目前窄手性分布碳纳米管生长量少、缺陷多或生长窗口窄等难题，实现宏量、窄手性分布、半导体性单壁碳纳米管的富集生长。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种窄手性、半导体性单壁碳纳米管的宏量、可控生长方法，其特征在于，以醇类液态有机物为碳源及刻蚀剂，以氩气为载气，以二元合金纳米颗粒为双金属催化剂，通过气相沉积方法生长单壁碳纳米管，制备样品为半导体富集且在较宽温度范围内存在占优的手性。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘畅，赵石永，侯鹏翔，成会明，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：发明
国别省市：辽宁;21