FA/LTE合路器制造技术

本实用新型专利技术公开了一种FA/LTE合路器，包括谐振腔和所述谐振腔两侧的端口，所述谐振腔由腔体、腔体内部的谐振柱和盖板组成，所述端口包括同一侧的FA端口和LTE D端口，还包括另一侧的公共端口，所述谐振柱包括FA通道谐振柱和D通道谐振柱。本实用新型专利技术采用射频同轴腔体，产品内部由谐振柱、腔体和盖板形成谐振腔，通过LC的谐振，形成一个谐振频点，多个谐振频点，通过腔间窗口耦合，形成滤波器的特性，调整腔体及谐振器的结构尺寸，通过仿真，实现器件的高频谐振特性。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种FA/LTE合路器，其特征在于：包括谐振腔和所述谐振腔两侧的端口，所述谐振腔由腔体、腔体内部的谐振柱和盖板组成，所述端口包括同一侧的FA端口和LTE D端口，还包括另一侧的公共端口，所述谐振柱包括FA通道谐振柱和D通道谐振柱。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：马玉国，
申请(专利权)人：上海鑫众通信技术有限公司，
类型：新型
国别省市：上海;31