阻气膜制造技术

通过本发明专利技术，作为基材与阻挡性层叠体的粘附性得到改善的阻气膜，提供一种阻气膜，其是依次包含塑料膜、有机层及无机层的阻气膜，在上述塑料膜及上述有机层之间，具有包含选自由硅氧化物、硅氮化物及硅碳化物组成的组中的1种以上的化合物的硅化合物层，上述塑料膜及上述的硅化合物层、以及上述的硅化合物层及上述有机层分别彼此邻接，上述的硅化合物层的膜厚为40nm以下，上述有机层为由包含聚合性化合物及硅烷偶联剂的组合物形成的层。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】通过本专利技术，作为基材与阻挡性层叠体的粘附性得到改善的阻气膜，提供一种阻气膜，其是依次包含塑料膜、有机层及无机层的阻气膜，在上述塑料膜及上述有机层之间，具有包含选自由硅氧化物、硅氮化物及硅碳化物组成的组中的1种以上的化合物的硅化合物层，上述塑料膜及上述的硅化合物层、以及上述的硅化合物层及上述有机层分别彼此邻接，上述的硅化合物层的膜厚为40nm以下，上述有机层为由包含聚合性化合物及硅烷偶联剂的组合物形成的层。【专利说明】阻气膜
本专利技术涉及阻气膜。本专利技术还涉及阻气膜的制造方法。
技术介绍
作为具有阻断水蒸汽、氧气等的功能的阻气膜，在作为基材的塑料膜上具有有机层和无机层层叠而成的阻挡性层叠体的阻气膜作为具有高的阻挡性的膜从各种观点出发正在进行开发。例如，在上述构成中，关于有机层与无机层因力学上的应力而容易剥离的问题，在专利文献I中，进行了构成有机层的聚合物的研究。此外，在专利文献2及专利文献3中，公开了通过在用于形成有机层的聚合性组合物中添加硅烷偶联剂及聚合性酸性化合物而提高有机层与无机层的粘附性(密着性)。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开2008-221830号公报 专利文献2:日本特开2011-201064号公报 专利文献3:日本特开2010-200780号公报
技术实现思路
专利技术所要解决的课题 本专利技术的课题是提供基材与阻挡性层叠体的粘附性得到改善的阻气膜，其是在作为基材的塑料膜上具备具有有机层和无机层的阻挡性层叠体的阻气膜。本专利技术的课题特别是提供在上述阻挡性层叠体中，使用在上述塑料膜侧具有有机层的阻挡性层叠体时，上述塑料膜与上述有机层的粘附性得到改善的阻气膜。 用于解决课题的方案 本【专利技术者】们为了解决上述课题进行了深入研究，发现在塑料膜上形成阻挡性层叠体时，通过在塑料膜上设置用于提高塑料膜与有机层的粘附性的无机系薄膜，能够提高基材与阻挡性层叠体的粘附性，从而完成本专利技术。 gp，本专利技术提供以下(I)?(9)。 (I) 一种阻气膜，其是依次包含塑料膜、有机层及无机层的阻气膜，其中， 在上述塑料膜及上述有机层之间，具有包含选自由硅氧化物、硅氮化物及硅碳化物组成的组中的I种以上的化合物的硅化合物层，上述塑料膜及上述的硅化合物层、以及上述的硅化合物层及上述有机层分别彼此邻接，上述的硅化合物层的膜厚为40nm以下，上述有机层为由包含聚合性化合物及硅烷偶联剂的组合物形成的层。 (2)根据(I)所述的阻气膜，其中，上述硅化合物层的膜厚为20nm以下。 (3)根据(I)所述的阻气膜，其中，上述硅化合物层的膜厚低于5nm。 (4)根据(I)?(3)中任一项所述的阻气膜，其中，上述无机层的膜厚为20nm以上。 (5) (I)?(4)中任一项所述的阻气膜，其中，硅烷偶联剂为通式(I)所表示的化合物。 m、严 ? /C、o ^通式(I) LI Si — (OR1)3_n(R2)n 式中，Rl分别独立地表不氢原子或甲基，R2表不齒素或烧基，R3表不氢原子或烧基，L表示2价的连接基团，η表示O到2中的任一整数。 (6)根据权利要求1?5中任一项所述的阻气膜，其特征在于，上述聚合性化合物为(甲基)丙烯酸酯。 (7)根据(I)?￠)中任一项所述的阻气膜，其特征在于，上述硅化合物层为通过气相生长法制作的层。 (8)根据(I)?(7)中任一项所述的阻气膜，其特征在于，上述无机层为通过气相生长法制作的层。 (9) 一种制造方法，其特征在于，其是包括在塑料膜上应用含有聚合性化合物的组合物并使其固化而形成有机层、及在上述有机层上形成无机层的阻气膜的制造方法， 包括在要应用上述组合物的上述塑料膜表面，通过气相生长法以40nm以下的膜厚形成包含选自由硅氧化物、硅氮化物及硅碳化物组成的组中的I种以上的化合物的硅化合物层， 上述组合物包含硅烷偶联剂， 上述组合物直接应用在上述硅化合物层上。 专利技术效果 通过本专利技术，可提供基材与阻挡性层叠体的粘附性提高的阻气膜。 【具体实施方式】 以下，对本专利技术的内容进行详细说明。 在本说明书中，“?”以包含在其前后记载的数值作为下限值及上限值的意思使用。此外，本专利技术中的有机EL元件是指有机电致发光元件。在本说明书中，(甲基)丙烯酸酯以包含丙烯酸酯及甲基丙烯酸酯这两者的意思而使用。 本专利技术的阻气膜具有包含塑料膜及阻挡性层叠体的构成。本专利技术的阻气膜的特征在于在上述塑料膜及上述阻挡性层叠体之间具有硅化合物层。 本专利技术的阻气膜可以是在塑料膜的单面设置有阻挡性层叠体的构成，也可以是在塑料膜的两面设置有阻挡性层叠体的构成。 (阻挡性层叠体) 阻挡性层叠体为包含至少I层有机层和至少I层无机层的层叠体，也可以是2层以上的有机层与2层以上的无机层交替层叠的层叠体。 在不脱离本专利技术的主旨的范围内，阻挡性层叠体也可以包含构成阻挡性层叠体的组成在膜厚方向上有机区域与无机区域连续地发生变化的所谓的倾斜材料层。作为上述倾斜材料的例子,可列举出3f Λ等的论文“Journal of Vacuum Science and TechnologyA第23卷971页?977页(2005年刊、美国真空学会)”中记载的材料、或如美国公开专利2004-46497号说明书中公开的那样有机区域与无机区域不具有界面的连续的层等。以后，为了简化，有机层和有机区域记作“有机层”，无机层和无机区域记作“无机层”。 关于构成阻挡性层叠体的层数没有特别限制，但典型的是优选2层?30层，进一步优选3层?20层。此外，也可以含有有机层及无机层以外的其他的构成层。 在本专利技术的阻气膜中，阻挡性层叠体的塑料膜侧的最外表面为有机层(以下，有时将塑料膜侧的最外表面的有机层称为“第I有机层”。)。即，本专利技术的阻气膜的特征在于在塑料膜及第I有机层之间具有硅化合物层。并且，在本专利技术的阻气膜中，上述塑料膜及上述的硅化合物层、以及上述的硅化合物层及上述有机层分别彼此邻接。 (硅化合物层) 硅化合物层具有提高塑料膜及阻挡性层叠体的粘附性的功能。硅化合物层包含选自由硅氧化物、硅氮化物及硅碳化物组成的组中的硅化合物。硅化合物优选为硅氧化物或硅氮化物。硅化合物层可以没有作为阻挡膜的功能，可以是包含与阻挡性层叠体中的无机层相同的化合物的层，也可以是包含不同的化合物的层。另外，在本说明书中，硅化合物层与阻挡性层叠体中的无机层分别地记载。 硅化合物层通过制成40nm以下的薄膜，能够发挥提高塑料膜与有机层的粘附性的功能。娃化合物层的膜厚优选为20nm以下,更优选为1nm以下,特别优选为低于5nm。此外，娃化合物层的膜厚优选Inm以上,但也可以比Inm薄。 硅化合物层的形成方法只要是能够形成目标薄膜的方法则任何方法均可以使用。例如可列举出蒸镀法、溅射法、离子镀法等物理气相生长法(PVD)、各种化学气相生长法(CVD)、镀敷或溶胶凝胶法等液相生长法。其中，优选气相生长法，特别优选等离子体CVD及溅射法。认为在气相生长法中由于形成膜的原子或分子具有高能量而进入作为基材的塑料膜中，所以在与塑料膜之间，产生共价键等相互作用，容易有助于塑料膜与阻挡性层叠体的粘附性的提闻本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阻气膜，其是依次包含塑料膜、有机层及无机层的阻气膜，其中，在所述塑料膜及所述有机层之间，具有包含选自由硅氧化物、硅氮化物及硅碳化物组成的组中的1种以上的化合物的硅化合物层，所述塑料膜及所述的硅化合物层、以及所述的硅化合物层及所述有机层分别彼此邻接，所述的硅化合物层的膜厚为40nm以下，所述有机层为由包含聚合性化合物及硅烷偶联剂的组合物形成的层。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：中村诚吾，铃木信也，
申请(专利权)人：富士胶片株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP