本发明专利技术公开一种微粒污染物测量方法和设备。该方法例如包括：将聚氨酯弹性体(2)的测量表面(5)压靠待测的表面(7)；从该表面移除聚氨酯弹性体而不留下残余物；随后，使用光学设备(11)检测已经通过聚氨酯弹性体从该表面移除并且已经附着至聚氨酯弹性体的微粒(8)。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术公开一种微粒污染物测量方法和设备。该方法例如包括：将聚氨酯弹性体(2)的测量表面(5)压靠待测的表面(7)；从该表面移除聚氨酯弹性体而不留下残余物；随后，使用光学设备(11)检测已经通过聚氨酯弹性体从该表面移除并且已经附着至聚氨酯弹性体的微粒(8)。【专利说明】微粒污染物测量方法和装置相关申请的交叉引用本申请要求于2012年4月2日递交的美国临时申请61/619，209的权益，其在此通过引用全文并入。
本专利技术涉及微粒污染物测量设备、用于从固体表面获得可移除的微粒污染物的取样器、适于测量表面的微粒污染物的方法以及用于制造用于从固体表面(例如光刻设备的部件的表面)获得可移除微粒污染物的取样器的方法。
技术介绍
光刻设备是一种将期望的图案应用到衬底上，通常是衬底的目标部分上的机器。例如，可以将光刻设备用在集成电路(ICs)的制造中。在这种情况下，可以将可选地称为掩模或掩模版的图案形成装置用于生成将要在所述IC的单层上形成的电路图案。这种图案可以被转移到衬底(例如硅晶片)上的目标部分(例如包括部分管芯、一个或多个管芯)上。通常，图案转移是通过将图案成像到设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)的层上来实现的。通常，单个衬底将包含被连续形成图案的相邻的目标部分的网络。 光刻术被广泛地看作制造IC和其他器件和/或结构的关键步骤之一。然而，随着通过使用光刻术制造的特征的尺寸变得越来越小，光刻术正变成允许制造微型IC或其他器件和/或结构的更加关键的因素。 图案印刷极限的理论估计可以由用于分辨率的瑞利法则给出，如等式⑴所示: ( V.) = k' * ( I ； 1 NA 其中λ是所用辐射的波长，NA是用以印刷图案的投影系统的数值孔径，Ic1是依赖于过程的调节因子，也称为瑞利常数，CD是所印刷的特征的特征尺寸(或临界尺寸)。由等式(I)知道，特征的最小可印刷尺寸的减小可以由三种途径获得:通过缩短曝光波长λ、通过增大数值孔径NA或通过减小Ic1的值。 为了缩短曝光波长，并因此减小最小可印刷尺寸，已经提出使用极紫外(EUV)辐射源。EUV辐射是具有在5-20nm范围内的波长的电磁辐射，例如在13_14nm范围内。还已经提出可以使用波长小于1nm的EUV辐射，例如波长在5-lOnm范围内，例如6.1xm或6.8nm。这种辐射被称为极紫外辐射或软X射线辐射。可能的源包括例如激光产生的等离子体源、放电等离子体源或基于通过电子存储环提供的同步加速器辐射的源。 可以通过使用等离子体来产生EUV辐射。用于产生EUV辐射的辐射系统可以包括用于激发燃料以提供等离子体的激光器和用于容纳等离子体的源收集器装置。例如可以通过将激光束引导至燃料来产生等离子体，所述燃料诸如是合适的材料(例如锡)的微粒或者合适气体或蒸汽(例如氙气或锂蒸汽)的束流等。所形成的等离子体发出输出辐射，例如EUV辐射，其通过使用辐射收集器来收集。辐射收集器可以是反射镜式正入射辐射收集器，其接收辐射并将辐射聚焦成束。源收集器装置可以包括包围结构或腔室，其布置成提供真空环境以支持等离子体。这种辐射系统通常被称为激光产生的等离子体(LPP)源。 如果污染物进入EUV光刻设备，则污染物会将误差引入到通过EUV光刻设备投影到衬底上的图案中。例如，污染物微粒可以附着至EUV光刻设备中的图案形成装置的图案化区域，由此使得图案化的区域的一部分变模糊并将误差引入到投影束中。因此，期望减少EUV光刻设备中的污染物，尤其是微粒污染物。一种实现此的方法是测量将要用于组装EUV光刻设备的部件的表面的微粒污染物。如果部件表面的测量到的微粒污染物太多，则部件可以例如被抛弃和/或清洁。 已知的通过从给定表面去除微粒的接触清洁表面的原理使用组装在器件中的有粘性的材料，例如地板垫、接触辊或手动辊。在这种微粒去除装置中使用的各种粘性材料包括聚氨酯、橡胶或乳胶、或软的橡胶。 在用于将微粒转移到粘性材料的表面上并且用显微镜分析表面的微粒检测方法中使用这种粘性材料是已知的。带升降方法是例如使用例如橡胶带等粘性材料的分析方法。 然而,这些粘性材料通常包括粘合剂、化学品、释放剂(release agents)或可以被释放的聚合物成分。这些材料可能在接触处留下微量的残余物，然而对于EUV应用来说，SP使是这样低的残余物水平也是不能接受的。US0644903581描述了例如被称为不留下残余物的材料。然而，其中公开的聚合物材料是仍然可能一定程度地在接触过的表面上留下硅酮(单)层的材料。虽然仅可以使用先进的例如XPS等表面分析来进行检测，但是这种微量的残余物在它们存在于EUV光刻扫描器、EUV辐射源或其他设备中时也是具有有害影响的。这是因为即使微量的残余物也可以影响在光学元件上累积的污染物，由此改变它们的输出，或者影响涂覆过程中润湿特性。 在接触清洁或微粒检测方法中使用的大多数粘性材料通常会留下例如有机材料的单层或有机材料层、硅酮或难熔成分，这些对于EUV光刻中的高洁净要求是不能接受的。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种新的微粒污染物测量设备和方法，其能满足上述高的清洁度要求，提供简单的方式来以受控的方式收集可移除微粒。 根据本专利技术的第一方面，提供一种辐射源微粒污染物测量设备，包括载体承载的聚氨酯弹性体层，该载体配置成允许聚氨酯弹性体的测量表面被压靠待测表面并且随后被移除。 聚氨酯弹性体的测量表面可以是超净的。 聚氨酯弹性体的硬度可以低于大约80肖氏A。 聚氨酯弹性体的硬度可以高于大约20肖氏00，例如高于20肖氏A。 聚氨酯弹性体的测量表面的粗糙度可以等于或小于大约I微米Ra。 载体可以是设置有孔的衬底，可以通过该孔访问该聚氨酯弹性体的测量表面。 衬底可以是柔性的。 载体可以具有信用卡坯的形状和尺寸。 通过孔可以将柔性材料设置到聚氨酯弹性体的相对侧上。 载体可以是探测装置。聚氨酯弹性体可以设置在探测装置的端部上。 根据本专利技术的第二方面，提供一种微粒污染物测量设备，包括柔性材料，该柔性材料比金属表面的柔性好，使得柔性材料的测量表面将与污染物微粒形成比污染物微粒和金属表面之间的接触面积大的接触面积，柔性材料的粘性足够大，使得残余物将不会从测量表面被转移至金属表面，测量表面是超净的。柔性比金属表面强的柔性材料可以是自粘附的。 金属表面可以是金属结构的表面，例如招或钢结构。金属表面可以是形成EUV光刻设备的一部分的部件的金属表面。 根据本专利技术第二方面的测量设备可以包括根据本专利技术第一方面的测量设备的一个或多个特征。 根据本专利技术第三方面，提供一种微粒污染物测量设备，包括:比固体表面柔性更好的材料，使得该材料的测量表面将与污染物微粒建立比污染物微粒与固体表面之间的接触面积大的接触面积，其中该材料的粘性充分强，使得残余物将不会从测量表面被转移至固体表面，和其中该测量表面是超净的。 根据本专利技术第四方面，提供一种用于从固体表面获取可移除微粒污染物的取样器，包括:载体和耦接至载体的柔性材料层，柔性材料层具有内表面和相对的外表面，其中载体布置成允许从固体表面剥离柔性材料层，其中外表面是适于在接触时将可移除微粒污染物从固体表面转移至外表面的本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种微粒污染物测量设备，包括载体承载的聚氨酯弹性体层，该载体配置成允许聚氨酯弹性体的测量表面压靠待测的表面并且随后被移除。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·德乔恩，J·范德东克，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，荷兰国家应用科学研究院，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。