铈铽双掺杂氮硅镧发光材料、制备方法及其应用技术

一种铈铽双掺杂氮硅镧发光材料，其化学式为La2Si6N10：xCe3+，yTb3+，La2Si6N10是基质，Ce3+和Tb3+离子是激活元素，其中，x为0.01～0.05，y为0.01～0.06。该铈铽双掺杂氮硅镧发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在490nm和580nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明专利技术还提供该铈铽双掺杂氮硅镧发光材料的制备方法及其应用。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种铈铽双掺杂氮硅镧发光材料，其化学式为La2Si6N10：xCe3+，yTb3+，La2Si6N10是基质，Ce3+和Tb3+离子是激活元素，其中，x为0.01～0.05，y为0.01～0.06。该铈铽双掺杂氮硅镧发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在490nm和580nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本专利技术还提供该铈铽双掺杂氮硅镧发光材料的制备方法及其应用。【专利说明】铈铽双掺杂氮硅镧发光材料、制备方法及其应用【
】本专利技术涉及一种铈铽双掺杂氮硅镧发光材料、其制备方法、铈铽双掺杂氮硅镧发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法。【
技术介绍
】薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的材料，是该课题的发展方向。但是，可应用于薄膜电致发光显不器的铺铺双掺杂氮娃镧发光材料，仍未见报道。【
技术实现思路
】基于此，有必要提供一种可应用于薄膜电致发光器件的铈铽双掺杂氮硅镧发光材料、其制备方法、铈铽双掺杂氮硅镧发光薄膜、其制备方法、使用该铈铽双掺杂氮硅镧发光材料的薄膜电致发光器件及其制备方法。一种铈铽双掺杂氮硅镧发光材料，其化学式为La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+，La2Si6N10是基质，Ce3+和Tb3+离子是激活元素，其中，X为0.01~0.05，y为0.01~0.06。一种铈铽双掺杂氮硅镧发光材料的制备方法，包括以下步骤: 根据La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+各元素的化学计量比称取LaN，Si3N4, CeN和TbN粉体并混合均匀，其中，X为0.01~0.05，y为0.01~0.06 ;及将混合均匀的粉体在900°C~1300°C下烧结0.5小时~5小时即得到化学式为La2Si6N10:xCe3+, yTb3+的铈铽双掺杂氮硅镧发光材料。—种铺铺双掺杂氮娃镧发光薄膜,该铺铺双掺杂氮娃镧发光薄膜的材料的化学通式为 La2Si6N10:xCe3+, yTb3+，其中，x 为 0.01 ~0.05，y 为 0.01 ~0.06。一种铈铽双掺杂氮硅镧发光薄膜的制备方法，包括以下步骤:根据La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+各元素的化学计量比称取LaN，Si3N4, CeN和TbN粉体并混合均匀在900°C~1300°C下烧结0.5小时~5小时制成靶材，其中，x为0.01~0.05，y 为 0.01 ~0.06 ;将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为 1.0X KT3Pa ~1.0X KT5Pa ;及调整磁控溅射镀膜工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm，磁控溅射工作压强0.5Pa~5Pa，工作气体的流量为1sccm~40sccm，衬底温度为250°C~750°C，激光能量为80W~300W，接着进行制膜，得到化学式为La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+的铈铽双掺杂氮硅镧发光薄膜。所述真空腔体的真空度为5.0X10_4Pa，基靶间距为60mm，磁控溅射工作压强为3Pa，工作气体为氧气，工作气体的流量为20SCCm，衬底温度为500°C，激光能量为150W。一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，所述发光层的材料为铈铽双掺杂氮硅镧发光材料，该铈铽双掺杂氮硅镧发光材料的化学式为 La2Si6N10:xCe3+, yTb3+，其中，x 为 0.01 ~0.05，y 为 0.01 ~0.06。一种薄膜电致发光器件的制备方法，包括以下步骤:提供具有阳极的衬底；在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为铈铽双掺杂氮硅镧发光材料，该铈铽双掺杂氮硅镧发光材料的化学式为La2Si6Nltl:XCe3+，yTb3+，其中，X为0.01~0.05，y为0.01 ~0.06 ;在所述发光层上形成阴极。所述发光层的制备包括以下步骤:根据La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+各元素的化学计量比称取LaN，Si3N4, CeN和TbN粉体并混合均匀在900°C~1300°C下烧结0.5小时~5小时制成靶材，其中，x为0.01~0.05，y 为 0.01 ~0.06 ;将所述靶材以及所述衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为 1.0X KT3Pa ~1.0X KT5Pa ；调整磁控溅射镀膜工艺参数为:基靶间距为45mm~95mm，磁控溅射工作压强0.5Pa~5Pa，工作气体的流量为1sccm~40sccm，衬底温度为250°C~750°C，激光能量为80W~300W，接着进行制膜，得到化学式为La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+的铈铽双掺杂氮硅镧发光薄膜，在所述阳极上形成发光层。上述铈铽双掺杂氮硅镧发光材料(La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+)制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中，在490nm和580nm波长区都有很强的发光峰,能够应用于薄膜电致发光显示器中。【【专利附图】【附图说明】】图1为一实施方式的薄膜电致发光器件的结构示意图；图2为实施例1制备的铈铽双掺杂氮硅镧发光薄膜的电致发光谱图；图3为实施例1制备的铈铽双掺杂氮硅镧发光薄膜的XRD图；图4是实施例1制备的薄膜电致发光器件的电压与电流密度和电压与亮度之间的关系曲线图。【【具体实施方式】】 下面结合附图和具体实施例对铈铽双掺杂氮硅镧发光材料、其制备方法、铈铽双掺杂氮硅镧发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法进一步阐明。一实施方式的铈铽双掺杂氮硅镧发光材料，其化学式为La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+，La2Si6N10是基质，Ce3+和Tb3+离子是激活元素，其中，x为0.01~0.05，y为0.01~0.06。优选的，X为 0.02，y 为 0.03。该铈铽双掺杂氮硅镧发光材料中La2Si6Nltl是基质，Ce3+和Tb3+离子是激活元素。该铈铽双掺杂氮硅镧发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱(EL)中，在490nm和580nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。上述铈铽双掺杂氮硅镧发光材料的制备方法，包括以下步骤:步骤S11、根据La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+各元素的化学计量比称取LaN，Si3N4, CeN和TbN 粉体，其中，X 为 0.01 ~0.05，y 为 0.01 ~0.06。该步骤中，优选的，X为0.02，y为0.03。该步骤中，优选的，LaN, Si3N4, CeN和TbN粉体的摩尔比为2:2: (0.01~0.05):(0.01 ~0.06);步骤S12、将混合均的粉体在900°C~1300°C下烧结0.5小时~5小时即可得到铈铽双掺杂氮硅镧发光材料，其化学式为La2Si6Nltl:xCe3+, yTb3+，其中，x为0.01~0.05，y为0.01 ~0.06。该步骤中，优选的在1250°C下烧结3小时。—实施方式的铺铺双掺杂氮娃镧发光薄膜,该铺铺双掺杂氮娃镧发光薄膜的材料的化学通式为L本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种铈铽双掺杂氮硅镧发光材料，其特征在于：其化学式为La2Si6N10：xCe3+，yTb3+，La2Si6N10是基质，Ce3+和Tb3+离子是激活元素，其中，x为0.01～0.05，y为0.01～0.06。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，张娟娟，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44