含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料及其制备方法和太阳能电池器件技术

一种含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料，具有如下结构式：其中，R为C1～C20的烷基；该含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料为给体-受体型共轭单体，它具有较高的空穴迁移率，高的开路电压，较好的溶解性能和成膜性能，进而解决太阳能电池器件低效率问题。本发明专利技术还提供一种上述含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料的制备方法及使用该含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料的太阳能电池器件。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光电领域，尤其涉及一种含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料及其制备方法和使用该含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料的太阳能电池器件。
技术介绍
本体异质结太阳能电池因为其低成本，重量轻，制备工艺简单和可制备成大面积柔性器件等优点而引起广泛关注。基于共轭聚合物给体，富勒烯衍生物受体的聚合物太阳能电池的最高能量转换效率达到了9.2%。虽然可溶液加工的有机小分子太阳能电池的最高能量转换效率仍然低于相应的聚合物，但是其明确的分子结构，确定的分子量和高纯度等优点使得基于小分子的有机太阳能电池成为新的研究热点。 目前，但相对于有机聚合物太阳能电池而言，有机小分子太阳能电池仍然存在很多不足之处。调节分子的吸收性质、能级结构以及载流子迁移率等，因而成为一类极具发展潜力的有机小分子太阳能电池材料，要实现这些目标，需要研制更多的新型共轭分子材料，其中，设计合成新型共轭单元就显得十分重要。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种能量转化效率较高的含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料。 此外，还有必要提供一种含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料的制备方法。 此外，还有必要提供使用含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料的太阳能电池器件。 一种含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料，具有如下结构式： 其中，R为C1～C20的烷基。 一种含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料的制备方法，包括如下步骤： 提供如下结构式表示的化合物A和化合物B， A为：B为：其中，R为C1～C20的烷基； 在无氧环境中，将摩尔比为1:2～1:2.4的化合物A和化合物B添加入含有催化剂和碱溶液的有机溶剂中，在70℃～130℃进行Suzuki耦合反应12小时～48小时，所述催化剂为有机钯或为有机钯与有机磷配体的混合物，得到如下结构式表示的含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料： 在优选的实施例中，所述有机溶剂选自甲苯、N，N-二甲基甲酰胺及四氢呋喃中的至少一种。 在优选的实施例中，所述有机钯为双三苯基膦二氯化钯、四三苯基膦钯、醋酸钯或三二亚苄基丙酮二钯，所述有机膦配体为三叔丁基膦、三邻甲苯基膦或2-双环己基磷-2’,6’-二甲氧基联苯，所述有机钯与所述有机膦配体的摩尔比为1:4～1:8。 在优选的实施例中，所述催化剂中的有机钯与所述化合物A的摩尔比为1:20～1:100。 在优选的实施例中，所述Suzuki耦合反应的反应温度为90℃～120℃，反应时间为24小时～36小时。 在优选的实施例中，所述碱溶液选自碳酸钠溶液、碳酸钾溶液及碳酸氢钠溶液中的至少一种。 在优选的实施例中，所述碱溶液中的溶质与化合物A的摩尔比为20:1～50:1。 在优选的实施例中，还包括将含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料进行分离纯化的步骤，所述分离纯化步骤如下：向所述化合物A和化合物B进行Suzuki耦合反应后的溶液中加入二氯甲烷进行萃取，合并有机相干燥后，将过滤得到的固体采用石油醚和乙酸乙酯混合物作为淋洗液进行硅胶层析分离，真空干燥后得到纯化后的含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料。 在优选的实施例中，所述抽提采用索氏提取器进行。 一种太阳能电池器件，包括活性层，所述活性层包括电子给体材料及电子受体材料，所述电子受体材料为[6,6]苯基-C61-丁酸甲酯（PC61BM）或者[6,6]苯基-C71-丁酸甲酯，所述电子给体材料具有如下结构式的含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料： 其中，R为C1～C20的烷基。 上述含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料为给体-受体型共轭单体，它具有较高的空穴迁移率，高的开路电压，较好的溶解性能和成膜性能，进而解决太阳能电池器件低效率问题。 上述含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料的制备方法，采用了较简单的合成路线，从而减少工艺流程，原材料价廉易得，使得制造成本降低；且值得的材料结构新颖，溶解性能良好，成膜性能优良，可适用于太阳能电池器件。 【附图说明】 图1为一实施方式的太阳能电池器件的结构示意图； 图2为实施例1制备的含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料的紫外-可见吸收光谱图； 图3为实施例1制备的含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料的热失重分析图。 【具体实施方式】 为了更好地理解本专利技术专利的内容，下面通过具体的实例和图例来进一步说明本专利技术的技术案，具体包括材料制备和器件制备，但这些实施实例并不限制本专利技术，其中单体A和单体B从市场上购买得到。 一实施方式的含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料，具有如下结构式： 其中，R为C1～C20的烷基。 上述含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料为给体-受体型共轭单体，它具有较高的空穴迁移率，高的开路电压，较好的溶解性能和成膜性能，进而解决太阳能电池器件低效率问题。 一实施方式的含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料的制备方法，包括以下步骤： 步骤S1、提供化合物A和化合物B。 化合物A的结构式为：其中，R为C1～C20的烷基。 化合物B的结构式为： 步骤S2、制备含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料。 在无氧环境中，将摩尔比为1:2～1:2.4的化合物A和化合物B添加入含有催化剂和碱溶液的有机溶剂中，在70℃～130℃进行Suzuki耦合反应12小时～48小时，所述催化剂为有机钯或有机钯与有机磷配体的混合物，得到如下结构式表示的含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料： 本实施方式中，Suzuki耦合反应在氮气氛围下进行。 本实施方式中，有机溶剂选自甲苯、N，N-二甲基甲酰胺及四氢呋喃中的至少一种。可以理解，有机溶液也可使用其他溶剂，只要能溶解化合物A和化合物B即可。 本实施方式中，有机钯为双三苯基膦二氯化钯、四三苯基膦钯、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料，其特征在于，具有如下结构式：其中，R为C1～C20的烷基。

【技术特征摘要】
1.一种含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料，其特征在于，具有如下结构
式：
其中，R为C1～C20的烷基。
2.一种含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料的制备方法，其特征在于，包
括如下步骤：
提供如下结构式表示的化合物A和化合物B，
A为：B为：其中，R为
C1～C20的烷基；
在无氧环境中，将摩尔比为1:2～1:2.4的化合物A和化合物B添加入含有催
化剂和碱溶液的有机溶剂中，在70℃～130℃进行Suzuki耦合反应12小时～48
小时，所述催化剂为有机钯或为有机钯与有机磷配体的混合物，得到如下结构
式表示的含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料：
3.根据权利要求2所述的含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料的制备方法，
其特征在于，所述有机溶剂选自甲苯、N，N-二甲基甲酰胺及四氢呋喃中的至少
一种。
4.根据权利要求2所述的含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料的制备方法，
其特征在于，所述有机钯为双三苯基膦二氯化钯、四三苯基膦钯、醋酸钯或三
二亚苄基丙酮二钯，所述有机膦配体为三叔丁基膦、三邻甲苯基膦或2-双环己
基磷-2’,6’-二甲氧基联苯，所述有机钯与所述有机膦配体的摩尔比为1:4～1:8。
5.根据权利要求2所述的含噻唑并噻唑单元的有机半导体材料的制备方法，
其特征在于，所述催化剂中的有机钯与所述化合物A的摩尔比为1:20～1:1...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，张振华，王平，陈吉星，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44