一种In2S3/CuInS2薄层敏化的宽带半导体光阳极及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种In2S3/CuInS2薄层敏化的宽带半导体光阳极，由导电基片、宽带半导体膜层和In2S3/CuInS2薄层组成，在导电基片表面沉积有宽带半导体膜层以构成宽带半导体膜电极，在宽带半导体膜电极表面先后包覆In2S3与CuInS2薄层，In2S3的厚度在1-5nm之间，CuInS2的厚度在2-15nm之间。采用连续离子层吸附反应法制备。本发明专利技术的In2S3/CuInS2薄层敏化光阳极结构不仅制备工艺简便，可通过控制溶液浓度及敏化次数控制晶粒大小，优化CuInS2的化学计量比，减少材料缺陷，而且引入的缓冲层In2S3能有效抑制电子复合，有利于电子注入，并可以有效避免因CuInS2中的Cu扩散到TiO2而带来的污染和其化学计量比的变化，对于提高CuInS2半导体纳米晶敏化太阳电池光电转换效率具有积极意义。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种In2S3/CuInS2薄层敏化的宽带半导体光阳极，其特征在于由导电基片、宽带半导体膜层和In2S3/CuInS2薄层组成，在导电基片表面沉积有宽带半导体膜层以构成宽带半导体膜电极，在宽带半导体膜电极表面先后包覆In2S3与CuInS2薄层，In2S3的厚度在1‑5nm之间，CuInS2的厚度在2‑15nm之间。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：徐雪青，安萍，梁柱荣，徐刚，
申请(专利权)人：中国科学院广州能源研究所，
类型：发明
国别省市：广东;44