本发明专利技术涉及一种开环易位聚合物氢化物的制造方法、以及含有通过该制造方法得到的开环易位聚合物氢化物的树脂组合物。所述开环易位聚合物氢化物的制造方法包括：使环状烯烃在聚合催化剂存在下进行开环易位聚合，然后，将生成的开环易位聚合物的碳-碳双键的至少一部分氢化。该方法的特征在于，使用选自下述式(I)、(II)、(III)、(IV)中的至少一种钌化合物作为所述聚合催化剂。根据本发明专利技术，能够提供尤其是能够以工业上有利的方式制造透光率优异的开环易位聚合物氢化物的方法。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术涉及一种开环易位聚合物氢化物的制造方法、以及含有通过该制造方法得到的开环易位聚合物氢化物的树脂组合物。所述开环易位聚合物氢化物的制造方法包括：使环状烯烃在聚合催化剂存在下进行开环易位聚合，然后，将生成的开环易位聚合物的碳-碳双键的至少一部分氢化。该方法的特征在于，使用选自下述式(I)、(II)、(III)、(IV)中的至少一种钌化合物作为所述聚合催化剂。根据本专利技术，能够提供尤其是能够以工业上有利的方式制造透光率优异的开环易位聚合物氢化物的方法。【专利说明】开环易位聚合物氢化物的制造方法及树脂组合物
本专利技术涉及作为有机场致发光(EL)元件的像素分离膜及平坦化膜、薄膜晶体管的栅极绝缘膜及保护膜等的形成材料等而有用的开环易位聚合物氢化物的制造方法、以及含有上述开环易位聚合物氢化物的树脂组合物。
技术介绍
以往，使用过渡金属化合物作为催化剂的环状烯烃的易位开环聚合方法已被广泛公知。作为所述易位催化剂的中心金属，除了元素周期表第6族的W、Mo以外，还已知有Nb、丁&、1^、21'、11、仙、08、11'等。其中，含钌的催化剂体系具有不易受到水、醇等催化剂失活成分的影响的优点，因此近年来，对这类催化剂的改良得到了大力发展。 例如，专利文献I中公开了一种方法，其包括:使用配位有2个诸如三苯基膦、三环己基膦这样的中性给电子体作为配体的苄叉合钌化合物，使环状烯烃进行易位开环聚合，然后，向聚合反应液中添加改性剂以终止聚合，接着，在氢压力下将环状烯烃的开环聚合物氢化。 专利文献2中公开了一种开环易位聚合物氢化物的制造方法，其包括:使用在钌上配位有至少I个含杂原子卡宾化合物的钌卡宾络合物作为易位聚合催化剂使环状烯烃进行开环易位聚合，然后将生成的开环易位聚合物的碳-碳双键的至少一部分氢化。该文献中，作为所使用的钌卡宾络合物，公开了下述式(a)、(b)所示的钌化合物。 【权利要求】1.一种开环易位聚合物氢化物的制造方法，其包括:使环状烯烃在聚合催化剂的存在下进行开环易位聚合，然后，将生成的开环易位聚合物的碳-碳双键的至少一部分氢化，在该方法中，作为所述聚合催化剂，使用选自下述式(I)、(II)、(III)、(IV)中的至少一种钌化合物，式中，X1~X8各自独立地表示卤原子或-O-(C = O)-Ra所示的基团，Ra表示任选具有取代基的C1-C2tl烷基， L1~L5各自独立地表示给电子性的化合物配体， R0表示氢原子、卤原子、硝基、氰基、C1-C20烷基、C1-C20烷氧基、C1-C20烷硫基、三C1-C2tl烷基甲硅烷基、三C1-C2tl烷基甲硅烷氧基、任选具有取代基的C6-C2tl芳基、任选具有取代基的C6-C2tl芳氧基、任选具有取代基的C2-C2tl杂环基X1-C2tl烷基磺酰基、C1-C2tl烷基亚磺酰基、甲酰基、C1-C20烷基羰基、C1-C20烷氧基羰基、二 C1-C2tl烷基氨基甲酰基、二 C1-C2tl烷基脲基、或C1-C2tl烷基磺酰胺基， R1表示式:(Rbl) (Rb2)NSO2-所示的基团、甲酰基、C1-C20烷基羰基、C1-C20烷氧基羰基、式:(Rcl) (IT2)NCO-所示的基团、酰胺基、卤原子、二C1-C2tl烷基脲基、或C1-C2tl烷基磺酰胺基，Rbl> Rcl表示氢原子、C1-C20烷基或任选具有取代基的芳基，Rb2> Rc2表示氢原子、C1-C20烷基、任选具有取代基的芳基、或式:G-D-所示的基团，且式:G-D-中，D表示连结基团、G表示高分子主链，另外，Rbl与Rb2、Rcl与R。2分别可以共同键合而形成环， R2、R3、R5、R6、R7、R1' R11、R12各自独立地表示氢原子、齒原子、C1-C2tl烷基、C「C2(I烷氧基、c「c2(l烷硫基、三C1-C2tl烷基甲硅烷氧基、C6-C2tl芳氧基、C6-C2tl芳基、C2-C2tl杂环基、C「C2Q烷氧基羰基、二 C1-C2tl烷基氨基甲酰基、二 C1-C2tl烷基脲基、或C1-C2tl烷基磺酰胺基，R4、R8、R9、R13、R14、R15、R16各自独立地表示氢原子、C1-C20烷基、C1-C2tl烷氧基、C1-C2tl烷硫基、三C1-C2tl烷基甲硅烷基、三C1-C2tl烷基甲硅烷氧基、任选具有取代基的C6-C2tl芳基、任选具有取代基的C6-C2tl芳氧基、任选具有取代基的C2-C2tl杂环基、C1-C20烷基磺酰基、C1-Cm烷基亚磺酰基X1-C2tl烷基羰基、C1-C2tl烷氧基羰基、二 C1-C2tl烷基氨基甲酰基、二 C1-C2tl烷基脲基、C1-C20烷基磺酰胺基、或任选被卤原子取代的C6-C2tl芳基羰基， Y1、Y2各自独立地表示氧原子、硫原子、NRb或PRb，Rb表示氢原子或C1-C2tl烷基， Z表示式:-C(Rb) (R。)-所示的基团、或羰基，且式:_C(Rb) (R。)-中，Rb、R。各自独立地表示氢原子、C1-C6烷基、或卤代C1-C6烷基。2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，使开环易位聚合物的碳-碳双键的至少98%氢化。3.根据权利要求1或2所述的制造方法，其中，所述钌化合物是式(I)、(II)、(III)及(IV)中的L1~L5为下述式(1-1)~(1-3)中的任意配体的化合物，式(1-1)~(1-3)中的R17、R18各自独立地表示氢原子、或任选包含卤原子、氧原子、氮原子、硫原子、磷原子、硅原子的C1~C2tl烃基，R19~R22各自独立地表示氢原子、C1-C10烷基，R23~R25各自独立地表示C1-C2tl烷基、C1-C20烷氧基、C3-C20环烷基、任选具有取代基的C6-C20芳基、任选具有取代基的C6-C2tl芳氧基、或任选具有取代基的C2-C2tl杂环基。4.根据权利要求1~3中任一项所述的制造方法，其中，所述式(I)所示的钌化合物为下述式(ι-1)所示的化合物，式(1-1)中，L1、R°~R4表不与上述相同的含义。5.根据权利要求1~3中任一项所述的制造方法，其中，所述式(I)所示的钌化合物为下述式(1-2)所示的化合物，式(1-2)中，L1、R°、R2~R4、Rbl及Rb2表示与上述相同的含义。6.根据权利要求1~3中任一项所述的制造方法，其中，所述式(I)所示的钌化合物为下述式(1-3)所示的化合物，_ 式(1-3)中，R°、R2~R4、R17、R18、Rbl及Rb2表示与上述相同的含义。7.根据权利要求1~3中任一项所述的制造方法，其中，所述式(I)所示的钌化合物为下述式(1-4)所示的化合物，式(1-4)中，R0、R2~R4、R23~R25、Rbl及Rb2表示与上述相同的含义。8.根据权利要求1~3中任一项所述的制造方法，其中，所述式(II)所示的钌化合物为下述式(i1-ι)所示的化合物，式(I1-1)中，R5~R9、R17、R18及Z表示与上述相同的含义。9.根据权利要求1~3中任一项所述的制造方法，其中，所述式(II)所示的钌化合物为下述式(I1-2)所示的化合物，式(I 1-2)中，R8、R9、R17及R18表示与上述相同的含义。10.根据权利本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种开环易位聚合物氢化物的制造方法，其包括：使环状烯烃在聚合催化剂的存在下进行开环易位聚合，然后，将生成的开环易位聚合物的碳‑碳双键的至少一部分氢化，在该方法中，作为所述聚合催化剂，使用选自下述式(I)、(II)、(III)、(IV)中的至少一种钌化合物，式中，X1～X8各自独立地表示卤原子或‑O‑(C＝O)‑Ra所示的基团，Ra表示任选具有取代基的C1‑C20烷基，L1～L5各自独立地表示给电子性的化合物配体，R0表示氢原子、卤原子、硝基、氰基、C1‑C20烷基、C1‑C20烷氧基、C1‑C20烷硫基、三C1‑C20烷基甲硅烷基、三C1‑C20烷基甲硅烷氧基、任选具有取代基的C6‑C20芳基、任选具有取代基的C6‑C20芳氧基、任选具有取代基的C2‑C20杂环基、C1‑C20烷基磺酰基、C1‑C20烷基亚磺酰基、甲酰基、C1‑C20烷基羰基、C1‑C20烷氧基羰基、二C1‑C20烷基氨基甲酰基、二C1‑C20烷基脲基、或C1‑C20烷基磺酰胺基，R1表示式:(Rb1)(Rb2)NSO2‑所示的基团、甲酰基、C1‑C20烷基羰基、C1‑C20烷氧基羰基、式:(Rc1)(Rc2)NCO‑所示的基团、酰胺基、卤原子、二C1‑C20烷基脲基、或C1‑C20烷基磺酰胺基，Rb1、Rc1表示氢原子、C1‑C20烷基或任选具有取代基的芳基，Rb2、Rc2表示氢原子、C1‑C20烷基、任选具有取代基的芳基、或式:G‑D‑所示的基团，且式:G‑D‑中，D表示连结基团、G表示高分子主链，另外，Rb1与Rb2、Rc1与Rc2分别可以共同键合而形成环，R2、R3、R5、R6、R7、R10、R11、R12各自独立地表示氢原子、卤原子、C1‑C20烷基、C1‑C20烷氧基、C1‑C20烷硫基、三C1‑C20烷基甲硅烷氧基、C6‑C20芳氧基、C6‑C20芳基、C2‑C20杂环基、C1‑C20烷氧基羰基、二C1‑C20烷基氨基甲酰基、二C1‑C20烷基脲基、或C1‑C20烷基磺酰胺基，R4、R8、R9、R13、R14、R15、R16各自独立地表示氢原子、C1‑C20烷基、C1‑C20烷氧基、C1‑C20烷硫基、三C1‑C20烷基甲硅烷基、三C1‑C20烷基甲硅烷氧基、任选具有取代基的C6‑C20芳基、任选具有取代基的C6‑C20芳氧基、任选具有取代基的C2‑C20杂环基、C1‑C20烷基磺酰基、C1‑C20烷基亚磺酰基、C1‑C20烷基羰基、C1‑C20烷氧基羰基、二C1‑C20烷基氨基甲酰基、二C1‑C20烷基脲基、C1‑C20烷基磺酰胺基、或任选被卤原子取代的C6‑C20芳基羰基，Y1、Y2各自独立地表示氧原子、硫原子、NRb或PRb，Rb表示氢原子或C1‑C20烷基，Z表示式:‑C(Rb)(Rc)‑所示的基团、或羰基，且式:‑C(Rb)(Rc)‑中，Rb、Rc各自独立地表示氢原子、C1‑C6烷基、或卤代C1‑C6烷基。...
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：堤隆志，田口和典，大迫由美，
申请(专利权)人：日本瑞翁株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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