多分析器角度的光谱椭圆偏光仪制造技术

本发明专利技术揭示具有改善稳定性的椭圆偏光仪系统及椭圆偏光仪数据收集方法。根据本发明专利技术，利用多个预定、离散分析器角度来收集用于单一测量的椭圆偏光仪数据，且基于在这些预定、离散分析器角度处收集到的所述椭圆偏光仪数据执行数据回归。针对单一测量利用多个离散分析器角度改善了椭圆偏光仪系统的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】本专利技术揭示具有改善稳定性的椭圆偏光仪系统及椭圆偏光仪数据收集方法。根据本专利技术，利用多个预定、离散分析器角度来收集用于单一测量的椭圆偏光仪数据，且基于在这些预定、离散分析器角度处收集到的所述椭圆偏光仪数据执行数据回归。针对单一测量利用多个离散分析器角度改善了椭圆偏光仪系统的稳定性。【专利说明】多分析器角度的光谱椭圆偏光仪
本专利技术大体上涉及表面检查的领域，且特定来说，涉及椭圆偏光仪工具。
技术介绍
例如硅晶片及类似物的薄抛光板是现代技术的极其重要的部分。例如，晶片可指代用于制作集成电路及其它装置的半导体材料的薄切片。薄抛光板/膜的其它实例可包含磁盘衬底、规块及类似物。虽然此处描述的技术主要指代晶片，但应了解所述技术同样也可适用于其它类型的抛光板及膜。在本专利技术中可交替使用术语晶片及术语薄抛光板及/或膜。 大体上，可针对晶片的介电性质制定某些要求。椭圆偏光仪为用于研究晶片的介电性质的光学技术。在分析反射离开样本(例如，晶片表面)的光的偏光的改变之后，椭圆偏光仪可产生关于所述样本的信息。椭圆偏光仪可探测复合折射率或介电函数张量，这准许获取基本物理参数且与包含形态、晶体质量、化学组成或导电性的各种样本性质相关。椭圆偏光仪通常用以特征化从几埃或几十纳米到若干微米的单层或复合多层堆叠的膜厚度。 光谱的椭圆偏光仪为运用涵盖某一光谱范围(例如，在红外线、可见光或紫外线光谱区域中)的宽带光源的椭圆偏光仪的一种类型。通过涵盖光谱范围，可获得在对应光谱区域中的复合折射率或介电函数张量，这准许获取大量基本物理性质。 然而，测试结果指示在某些情况下现存椭圆偏光仪工具获得的测量并不稳定。此处存在对具有改善测量稳定性的椭圆偏光仪工具的需要。
技术实现思路
本专利技术涉及一种椭圆偏光仪系统。所述椭圆偏光仪系统可包含经配置用以支撑晶片的支撑机构及经配置用以朝向所述晶片传递入射光束的照明源。入射光束可反射离开晶片，借此形成反射光束。所述椭圆偏光仪系统还可包含经配置用以使反射光束偏光的分析器。所述分析器的偏光方向可旋转到多个预定、离散角位置。可利用检测器来基于行进穿过分析器的反射光束来收集一组光谱数据。所收集到的所述组光谱数据的每一光谱数据可对应于所述组预定、离散角位置中的一者。一旦收集到所述组光谱数据，便可利用处理器模块对所述组光谱数据执行同时回归。 本专利技术的进一步实施例涉及用于检查晶片的椭圆偏光仪方法。所述方法可包含:朝向晶片传递入射光束，其中所述入射光束反射离开晶片，借此形成反射光束；利用分析器使反射光束偏光，所述分析器具有可旋转到一组预定、离散角位置的偏光方向；基于行进通过所述分析器的反射光束收集一组光谱数据，当所述分析器的偏光方向指向所述组预定、离散角位置中的一者时，收集所述组光谱数据的每一光谱数据；及对收集到的所述组光谱数据执行同时回归。 本专利技术的额外实施例还涉及用于检查晶片的椭圆偏光仪方法。所述方法可包含:朝向晶片传递入射光束，其中所述入射光束反射离开晶片，借此形成反射光束；利用分析器使反射光束偏光，所述分析器具有指向第一预定、离散角位置的偏光方向；当分析器的偏光方向指向第一预定、离散角位置时收集行进穿过分析器的反射光束；旋转分析器，其中分析器的偏光方向经旋转以指向第二预定、离散角位置；当分析器的偏光方向指向第二预定、离散角位置时收集行进穿过分析器的反射光束；及对在分析器的偏光方向指向第一预定、离散角位置时及在分析器的偏光方向指向第二预定、离散角位置时收集到的光谱数据执行同时回归。 应了解，先前的大体描述及以下的详细描述两者均仅为示范性及阐释性的且并不一定对本专利技术具有限制性。并入本说明书中且构成本说明书的一部分的【专利附图】【附图说明】本专利技术的标的物。描述及图式一起用以阐释本专利技术的原理。 【专利附图】【附图说明】 参考附图，所属领域的技术人员可更好地了解本专利技术的众多优点，其中: 图1为描述根据本专利技术的椭圆偏光仪系统的说明的等角视图； 图2为描绘相对于反射光束的横截面视图的多个预定、离散角位置的说明； 图3为说明根据本专利技术的用于检查晶片的椭圆偏光仪方法的流程图；以及 图4为说明用于根据多个预定、离散角位置收集光谱数据的方法的流程图。 【具体实施方式】 现将详细参考在附图中说明的所揭示的标的物。 本专利技术涉及具有改善稳定性的椭圆偏光仪系统及椭圆偏光仪数据收集方法。根据本专利技术，利用多个预定、离散分析器角度收集用于单一测量的椭圆偏光仪数据，且基于在这些预定、离散分析器角度处收集的椭圆偏光仪数据执行数据回归。针对单一测量利用多个离散分析器角度改善椭圆偏光仪系统的稳定性。 参考图1及2，展示描绘根据本专利技术的一个实施例的椭圆偏光仪系统100的说明。椭圆偏光仪系统100可包含经配置用以支撑晶片104的支撑机构102。椭圆偏光仪系统100还可包含照明源106，其经配置用以通过偏光器110传递入射光束108朝向晶片104，从而照明晶片104的至少一部分。入射光束108可反射离开晶片104，从而形成如图1中所展示的反射光束112。入射光束108及反射光束112横跨通常称为入射平面的平面。 接着反射光束112行进到称为分析器114的第二偏光器，且落入到检测器116中。分析器114及检测器116可共同称为分析器模块，所述分析器模块沿入射平面中的反射光束112的光学路径而定位。根据本专利技术，利用多个分析器角度来收集用于单一测量的椭圆偏光仪数据，从而改善椭圆偏光仪系统的稳定性。 更具体来说，当分析器114的偏光方向(图1中的向量A)指向各种预定、离散角位置时，可收集椭圆偏光仪数据。在一个示范性实施方案中，可针对固定角位置中的每一者使分析器114的方向从一个离散位置步进/旋转到下一个离散位置，从而允许检测器116在每一固定角位置处收集椭圆偏光仪数据。 举例来说，可将在入射平面的每一侧上对称偏移的一对分析器角度α及-α界定为预定、离散角位置。可首先旋转分析器114使得分析器114的方向(向量Α)指向分析器角度α。当向量A指向分析器角度α时，检测器116可收集反射离开晶片104而行进穿过分析器114的光谱。当检测器116收集光谱时，分析器114的方向(向量A)可保持不变(即，指向分析器角度α)达预定持续时间。随后，可相对于反射光束112旋转分析器114，使得分析器114的方向(向量Α)指向分析器角度-α。接着，当向量A指向分析器角度-α时，检测器116可收集反射离开晶片104而行进穿过分析器114的光谱。当检测器116收集光谱时，分析器114的方向(向量Α)可保持不变(即，指向分析器角度-α)达预定持续时间。 预期在不脱离本专利技术的精神及范围的情况下，α的值可变化且可针对每一特定应用而决定。此外，分析器角度(即，角位置)不限于以上实例中描绘的两个。可在不脱离本专利技术的精神及范围的情况下界定两个以上离散角位置。 还预期，不要求分析器114从一个离散点步进到下一个离散点。在替代实施方案中，分析器114可连续旋转通过一系列角度，且检测器116可在分析器114的方向(向量Α)指向预定分析器角度的中一者时收集反射离开晶片104的光谱。在又另一实施方案中，分析器114可连续旋转通过一系列角本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种椭圆偏光仪系统，其包括：支撑机构，其经配置用以支撑晶片；照明源，其经配置以用于朝向所述晶片传递入射光束，其中所述入射光束反射离开所述晶片，借此形成反射光束；分析器，其经配置以用于使所述反射光束偏光，所述分析器具有可旋转到多个预定、离散角位置的偏光方向；检测器，其经配置以用于基于行进穿过所述分析器的所述反射光束收集一组光谱数据，当所述分析器的所述偏光方向指向所述组预定、离散角位置中的一者时收集所述组光谱数据中的每一光谱数据；及处理器模块，其经配置以用于对所收集到的所述组光谱数据执行同时回归。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：欣东·郭，沃德·狄克逊，利奥尼德·波斯拉夫斯基，托斯顿·卡克，
申请(专利权)人：科磊股份有限公司，
类型：发明
国别省市：美国;US