太阳能电池制造技术

提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：基板；第一电极，位于基板上；中间连接层，位于第一电极上，中间连接层包括第一区域和第三区域；光吸收层，位于中间连接层的第三区域上；以及布线，位于中间连接层的第一区域上，其中，中间连接层的第一区域的厚度与中间连接层的第三区域的厚度不同。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】提供了一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：基板；第一电极，位于基板上；中间连接层，位于第一电极上，中间连接层包括第一区域和第三区域；光吸收层，位于中间连接层的第三区域上；以及布线，位于中间连接层的第一区域上，其中，中间连接层的第一区域的厚度与中间连接层的第三区域的厚度不同。【专利说明】太阳能电池 本申请要求在美国专利商标局于2013年5月14日提交的第61/823, 138号美国临 时申请和于2014年1月14日提交的第14/154, 299号美国非临时申请并且标题为"SOLAR CELL (太阳能电池)"的优先权，这些申请通过引用全部包含于此。
实施例涉及一种太阳能电池。
技术介绍
随着对能量需求的增大，对用于将太阳光能量转换成电能的太阳能电池的需求也 增大。太阳能电池是利用作为几乎无限的能源的太阳来发电的清洁能源。太阳能电池已经 作为具有高的年工业增长率的新增长点而备受关注。
技术实现思路
实施例涉及一种太阳能电池。 实施例可以通过提供一种太阳能电池来实现，该太阳能电池包括：基板；第一电 极，位于基板上；中间连接层，位于第一电极上，中间连接层包括第一区域和第三区域；光 吸收层，位于中间连接层的第三区域上；以及布线，位于中间连接层的第一区域上，其中，中 间连接层的第一区域的厚度与中间连接层的第三区域的厚度不同。 中间连接层的第一区域的厚度可以比中间连接层的第三区域的厚度薄。 中间连接层还可以包括第二区域，第二区域未被光吸收层和布线覆盖并且位于第 一区域和第三区域之间。 中间连接层的第二区域的厚度可以大约等于中间连接层的第一区域的厚度。 中间连接层的第二区域的厚度可以大约等于中间连接层的第三区域的厚度。 中间连接层的第二区域可以保护第一电极的表面不渗透湿气。 光吸收层可以包括CIGS材料。 第一电极可以包括钥。 中间连接层可以包括MoSex化合物，其中，X是自然数。 中间连接层的第一区域的厚度可以为大约0. lnm至大约30nm。 布线可以包括铅、锡、铜、铝、银、金、钼、镍、钴、钽、钛和它们的合金中的至少一种。 中间连接层可以连续地设置在第一电极上。 布线可以通过钎焊、超声波钎焊、超声波熔焊、银胶和导电胶带中的至少一种与中 间连接层的第一区域结合。 布线可以直接位于中间连接层的第一区域上。 太阳能电池还可以包括位于光吸收层和中间连接层的第三区域中的至少一个上 的第二电极。 第二电极可以位于光吸收层和中间连接层的第三区域上。 太阳能电池还可以包括位于光吸收层和第二电极之间的缓冲层。 布线可以通过中间连接层的第一区域电连接到第一电极。 光吸收层可以通过中间连接层的第三区域电连接到第一电极。 中间连接层的第一区域和中间连接层的第三区域之间的厚度差可以通过选择性 地蚀刻中间连接层的与第一区域相对应的部分来实现。 【专利附图】【附图说明】 通过参照附图详细地描述示例性实施例，特征对于本领域技术人员来说将变得明 显，在附图中： 图1示出了根据实施例的太阳能电池的剖视图。 图2A示出了在图1中设置第三区域之前的状态的剖视图。 图2B示出了在图2A中设置第三区域之后的状态的剖视图。 图3示出了根据另一实施例的太阳能电池的剖视图。 图4示出了根据实施例制造太阳能电池的方法的流程图。 图5示出了显示根据中间连接层的厚度的电阻的图。 【具体实施方式】 现在将参照附图在下文中更充分地描述示例实施例；然而，它们可以以不同的形 式来实施并且不应被解释为限制于这里阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得该公开 将是彻底的和完全的，并将向本领域技术人员充分地传达示例性的实施方式。在附图中，为 清楚地示出，可能夸大层和区域的尺寸。 在下面的详细描述中，通过示出的方式仅简单地示出并描述了本专利技术的特定实施 例。如本领域技术人员将意识到的，在所有不脱离本专利技术的精神或范围的情况下，可以以各 种不同的方式修改所描述的实施例。因此，附图和描述将被认为实质上是说明性的而不是 限制性的。此外，当元件被称为"在"另一元件"上"时，该元件可以直接在所述另一元件上， 或者可以间接在所述另一元件上并且使一个或更多个中间元件插入在它们之间。另外，当 元件被称为"连接到"另一元件时，该元件可以直接连接到所述另一元件，或者可以间接连 接到所述另一元件并且使一个或更多个中间元件插入在它们之间。在下文中，同样的附图 标记表示同样的元件。 图1示出了根据实施例的太阳能电池的剖视图。参照图1，根据这个实施例的太 阳能电池100可以包括基板110、在基板110上的第一电极层120、在第一电极层120上的 合金层或中间连接层130以及连接到中间连接层130的布线160。在实施方式中，布线160 可以直接附着或连接到中间连接层130。第二电极层150的一部分和/或光吸收层可以形 成在中间连接层130上。 基板110可以是例如玻璃基板、陶瓷基板、金属基板、聚合物基板等。例如，基板 110可以是其中包括诸如钠（Na)、钾（K)和/或铯（Cs)的碱金属元素的玻璃基板。在实施 方式中，基板110可以是钠钙玻璃基板。在制造太阳能电池100的工艺期间，基板110中包 括的碱金属元素可以扩散到光吸收层140中，从而使光吸收层140中电子的浓度增大，因此 有利地提高了光电转换效率。 第一电极层120可以由导体(例如，金属）制成。例如，第一电极层120可以由具 有高导电性并且在高温下具有优异的安全性的材料制成。第一电极层120可以利用与基板 110和光吸收层140具有优异的接合性能的材料形成，其中，基板110和光吸收层140分别 设置在第一电极层120上和下方。在实施方式中，第一电极层120可以由钥（Mo)制成。 中间连接层130可以连续地形成在第一电极120的上部上，并且位于光吸收层140 和第一电极层120彼此接触的界面处，从而保护第一电极层120的表面。中间连接层130 可以通过执行硒化工艺来形成。例如，可以通过在第一电极层120的上部上形成光吸收层 140,然后通过硒化工艺使第一电极层120与硒（Se)反应来形成中间连接层130。例如，硒 (Se)可以与第一电极层120的表面直接反应，或者可以从光吸收层140的上表面向下扩散 以与第一电极层120的表面反应，从而形成中间连接层130。例如，在第一电极层120由钥 (Mo)制成的情况下，中间连接层130可以是硒化钥化合物（MoSe x)(其中，X是自然数)。 光吸收层140可以是吸收光从而在其中形成电荷的层。光吸收层140可以由例如 CIS、CGS或CIGS (这里，C表示铜（Cu)，I表示铟（In)，G表示镓，S表示硫（S)和硒（Se)中 的一种或更多种）的化合物半导体制成。光吸收层140可以用作p型半导体。 第二电极层150可以是导电层，并且可以用作η型半导体。例如，第二电极层150 可以由透明导电氧化物（TC0)制成。在实施方式中，第二电极层150可以由氧化锌（ΖηΟ)制 成。 尽管图1中未示出，但是在光吸收层140和第二电极本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种太阳能电池，所述太阳能电池包括：基板；第一电极，位于基板上；中间连接层，位于第一电极上，中间连接层包括第一区域和第三区域；光吸收层，位于中间连接层的第三区域上；以及布线，位于中间连接层的第一区域上，其中，中间连接层的第一区域的厚度与中间连接层的第三区域的厚度不同。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：杨政烨，南政圭，
申请(专利权)人：三星SDI株式会社，
类型：发明
国别省市：韩国;KR