光刻用共聚物及其制造方法、抗蚀剂组合物以及基板的制造方法技术

一种光刻用共聚物，具有含有酸离去基团的单体单元和不含酸离去基团的单体单元，将在通过GPC得到的洗脱曲线中显示出共聚物涉及的色谱峰的洗脱液，按照洗脱顺序，分成体积均等的5个组分，其中，将最先洗脱的第1个至第4个的各组分中所含有的共聚物中的含有酸离去基团的单体单元的比率设为N(v1)～N(v4)摩尔％、5个组分合计所含有的共聚物中的含有酸离去基团的单体单元的比率设为Nave摩尔％时，N(v1)/Nave为1.01～1.09，N(v2)/Nave、N(v3)/Nave及N(v4)/Nave均为0.95～1.05。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】一种光刻用共聚物，具有含有酸离去基团的单体单元和不含酸离去基团的单体单元，将在通过GPC得到的洗脱曲线中显示出共聚物涉及的色谱峰的洗脱液，按照洗脱顺序，分成体积均等的5个组分，其中，将最先洗脱的第1个至第4个的各组分中所含有的共聚物中的含有酸离去基团的单体单元的比率设为N(v1)～N(v4)摩尔％、5个组分合计所含有的共聚物中的含有酸离去基团的单体单元的比率设为Nave摩尔％时，N(v1)/Nave为1.01～1.09，N(v2)/Nave、N(v3)/Nave及N(v4)/Nave均为0.95～1.05。【专利说明】光刻用共聚物及其制造方法、抗蚀剂组合物以及基板的制 造方法
本专利技术涉及光刻用共聚物、光刻用共聚物的制造方法、使用了该光刻用共聚物的 抗蚀剂组合物及使用该抗蚀剂组合物的形成有图案的基板的制造方法。 本申请基于2012年3月5日于日本申请的日本专利申请2012-048249号主张优先权， 此处援用其内容。
技术介绍
在半导体元件、液晶元件等的制造工序中，近年来，通过光刻形成的图案精细化快 速发展。作为精细化的方法，有照射光的短波长本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻用共聚物，由含有酸离去基团的至少1种单体及不含酸离去基团的至少1种单体聚合得到，将在通过凝胶渗透色谱GPC得到的洗脱曲线中显示出该共聚物涉及的色谱峰的洗脱液，按照洗脱顺序，分成体积均等的5个组分，其中，将最先洗脱的第1个组分中所含有的构成共聚物的全部单体单元中的含有酸离去基团的单体单元的比率设为N(v1)摩尔％，第2～4个洗脱的各组分中所含有的构成共聚物的全部单体单元中的含有酸离去基团的单体单元的比率分别设为N(v2)摩尔％、N(v3)摩尔％、N(v4)摩尔％，所述5个组分合计所含有的构成共聚物的全部单体单元中的含有酸离去基团的单体单元的比率为Nave摩尔％时，N(v1)/Nave为1...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：安田敦，押切友也，中条美帆，
申请(专利权)人：三菱丽阳株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP