一种锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料，其化学式为BaSi2O2N2：xMn4+，BaSi2O2N2是基质，Mn4+离子是激活元素，其中，x为0.01～0.08。该锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在520nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明专利技术还提供该锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料的制备方法及其应用。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料、其制备方法、锰掺杂氮硅酸钡盐发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法。
技术介绍
薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至全色TFELD，开发多波段发光的材料，是该课题的发展方向。但是，可应用于薄膜电致发光显示器的锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料，仍未见报道。
技术实现思路
基于此，有必要提供一种可应用于薄膜电致发光器件的锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料、其制备方法、锰掺杂氮硅酸钡盐发光薄膜、其制备方法、使用该锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料的薄膜电致发光器件及其制备方法。一种锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料，其化学式为BaSi2O2N2：xMn4+，BaSi2O2N2是基质，Mn4+离子是激活元素，其中，x为0.01～0.08。所述x为0.03。一种锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料的制备方法，包括以下步骤：根据BaSi2O2N2：xMn4+各元素的化学计量比称取BaO，SiON和MnO2粉体并混合均匀，其中，x为0.01～0.08；及将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时即得到化学式为BaSi2O2N2：xMn4+的锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料。一种锰掺杂氮硅酸钡盐发光薄膜，该锰掺杂氮硅酸钡盐发光薄膜的材料的化学通式为BaSi2O2N2：xMn4+，BaSi2O2N2是基质，Mn4+离子是激活元素，其中，x为0.01～0.08。一种锰掺杂氮硅酸钡盐发光薄膜的制备方法，包括以下步骤：根据BaSi2O2N2：xMn4+各元素的化学计量比称取BaO，SiON和MnO2粉体并混合均匀，其中，x为0.01～0.08；将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa；及调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃，接着进行制膜，得到化学式为BaSi2O2N2：xMn4+的锰掺杂氮硅酸钡盐发光薄膜。还包括步骤：将所述锰掺杂氮硅酸钡盐发光薄膜于500℃～800℃下真空退火处理1h～3h。一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光层以及阴极层，所述发光层的材料为锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料，该锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料的化学式为BaSi2O2N2：xMn4+，BaSi2O2N2是基质，Mn4+离子是激活元素，其中，x为0.01～0.08。一种薄膜电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：提供具有阳极的衬底；在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料，该锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料的化学式为BaSi2O2N2：xMn4+，BaSi2O2N2是基质，Mn4+离子是激活元素，其中，x为0.01～0.08；在所述发光层上形成阴极。所述发光层的制备包括以下步骤：根据BaSi2O2N2：xMn4+各元素的化学计量比称取BaO，SiON和MnO2粉体并混合均匀在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时制成靶材，其中，x为0.01～0.08；将所述靶材以及所述衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa；调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，磁控溅射工作压强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃，接着进行制膜，在所述阳极上形成发光层。还包括步骤：将所述锰掺杂氮硅酸钡盐发光薄膜于500℃～800℃下真空退火处理1h～3h。上述锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料（BaSi2O2N2：xMn4+）制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在520nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。【附图说明】图1为一实施方式的薄膜电致发光器件的结构示意图；图2为实施例1制备的锰掺杂氮硅酸钡盐发光薄膜的电致发光谱图；图3为实施例1制备的锰掺杂氮硅酸钡盐发光薄膜的拉曼光谱；图4是实施例1制备的薄膜电致发光器件的电压与电流密度和电压与亮度之间的关系曲线图。【具体实施方式】下面结合附图和具体实施例对锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料、其制备方法、锰掺杂氮硅酸钡盐发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件及其制备方法进一步阐明。一实施方式的锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料，其化学式为BaSi2O2N2：xMn4+，BaSi2O2N2是基质，Mn4+离子是激活元素，其中，x为0.01～0.08。优选的，x为0.03。该锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料制成的发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在520nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。上述锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料的制备方法，包括以下步骤：步骤S11、根据BaSi2O2N2：xMn4+各元素的化学计量比称取BaO，SiON和MnO2粉体并混合均匀，其中，x为0.01～0.08；及将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时即得到化学式为BaSi2O2N2：xMn4+的锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料。该步骤中，优选的，x为0.03。步骤S12、将混合均的粉体在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时即可得到锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料，其化学式为BaSi2O2N2：xMn4+。该步骤中，优选的在1250℃下烧结3小时。一实施方式的锰掺杂氮硅酸钡盐发光薄膜，该锰掺杂氮硅酸钡盐发光薄膜的材料的化学通式为BaSi2O2N2：xMn4+，BaSi2O2N2是基质，Mn4+离子是激活元素，其中，x为0.01～0.08。优选的，x为0.03。上述锰掺杂氮硅酸钡盐发光薄膜的制备方法，包括以下步骤：步骤S21、按BaSi2O2N2：xMn4+各元素的化学计量比称取BaO，SiON和MnO2粉体并混合均匀，其中，x为0.01～0.08。该步骤中，优选的，x为0.05，在1250℃下烧结3小时成直径为50mm，厚度为2mm的陶瓷靶材。步骤S22、将步骤S21中得到的靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的真空度设置为1.0×10-3Pa～1.0本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料，其特征在于：其化学式为BaSi2O2N2：xMn4+，BaSi2O2N2是基质，Mn4+离子是激活元素，其中，x为0.01～0.08。
【技术特征摘要】
1.一种锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料，其特征在于：其化学式为BaSi2O2N2：
xMn4+，BaSi2O2N2是基质，Mn4+离子是激活元素，其中，x为0.01～0.08。
2.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于：所述x为0.03。
3.一种锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料的制备方法，其特征在于，包括以下步
骤：
根据BaSi2O2N2：xMn4+各元素的化学计量比称取BaO，SiON和MnO2粉体
并混合均匀，其中，x为0.01～0.08；及
将混合均匀的粉体在900℃～1300℃下烧结0.5小时～5小时即得到化学式为
BaSi2O2N2：xMn4+的锰掺杂氮硅酸钡盐发光材料。
4.一种锰掺杂氮硅酸钡盐发光薄膜，其特征在于，该锰掺杂氮硅酸钡盐发
光薄膜的材料的化学通式为BaSi2O2N2：xMn4+，BaSi2O2N2是基质，Mn4+离子是
激活元素，其中，x为0.01～0.08。
5.一种锰掺杂氮硅酸钡盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步
骤：
根据BaSi2O2N2：xMn4+各元素的化学计量比称取BaO，SiON和MnO2粉体
并混合均匀，其中，x为0.01～0.08；
将所述靶材以及衬底装入磁控溅射镀膜设备的真空腔体，并将真空腔体的
真空度设置为1.0×10-3Pa～1.0×10-5Pa；及
调整磁控溅射镀膜工艺参数为：基靶间距为45mm～95mm，磁控溅射工作压
强0.2Pa～4Pa，工作气体的流量为10sccm～35sccm，衬底温度为250℃～750℃，
接着进行制膜，得到化学式为BaSi2O2N2：xMn4+的锰掺杂氮硅酸钡盐发光薄膜。
6.根据权利要求5所述的锰掺杂氮硅酸钡盐发光薄膜的制备方法，其特征
在于，还包括步骤：将所述锰掺杂氮硅酸钡盐发光薄...
【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，钟铁涛，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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