一种铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜，其化学式为Me3Sc2Si3O12:xCe3+,其中，0.01≤x≤0.05，Me3Sc2Si3O12是基质，铈元素是激活元素，Me为Al,Ga,In或Tl。该铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在620nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本发明专利技术还提供该铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜的制备方法及其应用。
【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】一种铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜，其化学式为Me3Sc2Si3O12:xCe3+,其中，0.01≤x≤0.05，Me3Sc2Si3O12是基质，铈元素是激活元素，Me为Al,Ga,In或Tl。该铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜的电致发光光谱（EL）中，在620nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。本专利技术还提供该铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜的制备方法及其应用。【专利说明】铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜、制备方法及其应用 【
】 本专利技术涉及一种铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜、其制备方法、薄膜电致发光器件 及其制备方法。 【
技术介绍
】 薄膜电致发光显示器（TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角 大、适用温度宽、工序简单等优点，已引起了广泛的关注，且发展迅速。目前，研究彩色及至 全色TFELD，开发多波段发光的薄膜，是该课题的发展方向。但是，可应用于薄膜电致发光显 不器的铺掺杂三族钪娃酸盐发光薄膜，仍未见报道。 【
技术实现思路
】 基于此，有必要提供一种可应用于薄膜电致发光器件的铈掺杂三族钪硅酸盐发光 薄膜、其制备方法该铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜电致发光器件及其制备方法。 一种铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜，其化学式为Me3Sc2Si 3012: xCe3+，其中， 0· 01彡X彡(λ 05, Me3Sc2Si3012是基质，铈元素是激活元素，Me为Al，Ga，In或T1。 铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜的厚度为80nm?300nm。 一种铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜的制备方法，包括以下步骤： 将衬底装入化学气相沉积设备的反应室中，并将反应室的真空度设置为 1.0Xl(T2Pa ?1.0Xl(T3Pa ; 调节衬底的温度为250°C?650°C，转速为50转/分钟?1000转/分钟，采用氩 气气流的载体，根据Me 3SC2Si3012:XCe3+各元素的化学计量比将四甲基庚二酮碱土盐、三羰 基钪、硅烷和四（2, 2, 6, 6-四甲基-3, 5-庚二酮酸）铈通入反应室内，及 然后通入氧气，进行化学气相沉积得到铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜其化学式为 Me3Sc2Si3012:xCe3+的铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜，其中，0· 01彡X彡0· 05，Me3Sc2Si3012是 基质，铺元素是激活元素，Me为Al, Ga, In或T1。 四甲基庚二酮碱土盐、三羰基钪、硅烷和四（2, 2, 6, 6-四甲基-3, 5-庚二酮酸）铈 摩尔比为 3 :2 :3 :(0· 01 ?0· 05); 氦气气流量为5?15sccm，氧气气流量为10?200sccm。 一种薄膜电致发光器件，该薄膜电致发光器件包括依次层叠的衬底、阳极层、发光 层以及阴极层，所述发光层的材料为铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜，该铈掺杂三族钪硅酸 盐发光薄膜的化学式为Me 3Sc2Si3012:xCe3+，其中，(λ 01彡X彡0· 05，Me3Sc2Si3012是基质，铈 元素是激活元素，Me为Al, Ga, In或T1。 一种薄膜电致发光器件的制备方法，包括以下步骤： 提供具有阳极的衬底； 在所述阳极上形成发光层，所述发光层的材料为铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜， 该铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜的化学式为Me 3SC2Si3012:XCe3+，其中，0. 01彡X彡0. 05， Me3Sc2Si3012是基质，铺元素是激活元素，Me为Al, Ga, In或ΤΙ ; 在所述发光层上形成阴极。 在优选的实施例中，所述发光层的制备包括以下步骤： 将衬底装入化学气相沉积设备的反应室中，并将反应室的真空度设置为 1.0Xl(T2Pa ?1.0Xl(T3Pa ; 调节衬底的温度为250°C?650°C，转速为50转/分钟?1000转/分钟，采用氩 气气流的载体，根据Me 3SC2Si3012:XCe3+各元素的化学计量比将（DPM) 3Me、三羰基钪、硅烷和 四（2, 2, 6, 6-四甲基-3, 5-庚二酮酸）铈通入反应室内，其中，氩气气流量为5?15SCCm， 及 然后通入氧气，流量为10?20〇SCCm ;进行化学气相沉积得到发光层化学式为 Me3Sc2Si3012:xCe3+的铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜，其中，0· 01彡X彡0· 05，Me3Sc2Si3012是 基质，铺元素是激活元素，Me为Al, Ga, In或T1。 上述铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜（Me3SC2Si 3012:XCe3+)的电致发光光谱（EL)中， 在620nm波长区都有很强的发光峰，能够应用于薄膜电致发光显示器中。 【【专利附图】【附图说明】】 图1为一实施方式的薄膜电致发光器件的结构示意图； 图2为实施例1制备的铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜的电致发光谱图； 图3为实施例1制备的铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜的XRD图； 图4为实施例1制备的薄膜电致发光器件的电压与电流和亮度关系图。 【【具体实施方式】】 下面结合附图和具体实施例对铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜、其制备方法和薄膜 电致发光器件及其制备方法作进一步阐明。 -实施方式的铺掺杂三族钪娃酸盐发光薄膜，其化学式为Me3Sc2Si 3012:xCe3+,其 中，(λ 01彡X彡(λ 05, Me3Sc2Si3012是基质，铈元素是激活元素，Me为Al, Ga, In或T1。 优选的，铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜的厚度为80nm?300nm，X为0· 03。 该铺掺杂三族钪娃酸盐发光薄膜中Me3Sc2Si 3012是基质，铺元素是激活元素。该铺 掺杂三族钪娃酸盐发光薄膜的电致发光光谱（EL)中，在620nm波长区都有很强的发光峰， 能够应用于薄膜电致发光显示器中。 上述铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜的制备方法，包括以下步骤： 步骤S11、将衬底装入化学气相沉积设备的反应室中，并将反应室的真空度设置为 1.0Xl(T 2Pa?L0Xl(r3Pa。 在本实施方式中，衬底为铟锡氧化物玻璃（ΙΤ0)，可以理解，在其他实施例中，也可 以为掺氟氧化锡玻璃（FT0)、掺错的氧化锌（ΑΖ0)或掺铟的氧化锌（ΙΖ0);衬底先后用甲苯、 丙酮和乙醇超声清洗5分钟，然后用蒸馏水冲洗干净，氮气风干后送入反应室； 优选的，反应室的真空度为4. OX l(T3Pa。 步骤S12、将衬底在600°C?800°C下热处理10分钟?30分钟。 步骤S13、调节衬底的温度为250°C?650°C，转速为50转/分钟?1000转/分 钟，采用氩气气流的载体，根据Me3Sc2Si3012: xCe3+各元素的化学计量比将（DPM) 3Me、三羰基 钪、硅烷和四（2, 2, 6, 6-四甲基-3, 5-庚二酮酸）铈通入反应室内； 所述四甲基庚二酮碱土盐（（DPM)3Me)、三羰基钪（Sc(C0)3)、硅烷（SiH 4)和四 (2, 2, 6, 6-四甲基-3, 5-庚二酮酸）铈摩尔比为3 :2 :3 : (0· 01?0· 05); 所述衬底的温度优选为500°C，衬底的转速优选为300转/分钟，氩气气流量为 5 ?15sccm ; 所述氦气气流量为lOsccm ; 步骤S14、然后通入氧气，进行化学气相沉积得到铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜其本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种铈掺杂三族钪硅酸盐发光薄膜，其特征在于，其化学式为Me3Sc2Si3O12:xCe3+,其中，0.01≤x≤0.05，Me3Sc2Si3O12是基质，铈元素是激活元素，Me为Al,Ga,In或Tl。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，陈吉星，钟铁涛，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44
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