一种具有低临界频率的双频液晶材料制造技术

本发明专利技术公布一种具有低临界频率的双频液晶材料，由20.0～25.0％的组分A、20.0～25.0％的组分B、17.5～22.5％的组分C、7.5～12.5％的组分D、7.5～12.5％的组分E、5.0～10.0％的组分F和5.0～10.0％的组分G按总量100％熔融混合形成；其中，组分A是具有环己烷氟代二苯乙炔骨架结构的系列衍生物；B是具有氟代二苯乙炔骨架结构的系列衍生物；C是具有环己烷苯环骨架结构的系列衍生物；D是具有二苯乙炔骨架结构的系列衍生物；E是具有三环单酯侧氟基端氰基骨架结构的系列衍生物；F是具有三环双酯侧二氰基骨架结构的系列衍生物。该材料具有低的临界频率、较宽的液晶相温度和低粘度，用于制备低工作电压、快速响应的双频驱动液晶器件。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公布一种具有低临界频率的双频液晶材料，由20.0～25.0％的组分A、20.0～25.0％的组分B、17.5～22.5％的组分C、7.5～12.5％的组分D、7.5～12.5％的组分E、5.0～10.0％的组分F和5.0～10.0％的组分G按总量100％熔融混合形成；其中，组分A是具有环己烷氟代二苯乙炔骨架结构的系列衍生物；B是具有氟代二苯乙炔骨架结构的系列衍生物；C是具有环己烷苯环骨架结构的系列衍生物；D是具有二苯乙炔骨架结构的系列衍生物；E是具有三环单酯侧氟基端氰基骨架结构的系列衍生物；F是具有三环双酯侧二氰基骨架结构的系列衍生物。该材料具有低的临界频率、较宽的液晶相温度和低粘度，用于制备低工作电压、快速响应的双频驱动液晶器件。【专利说明】一种具有低临界频率的双频液晶材料
本专利技术属于液晶材料
，具体涉及一种具有低临界频率的双频液晶材料及其应用。
技术介绍
液晶的棒状分子形貌决定了液晶具有光学、电学等的各向异性，双频液晶的主要特征是介电常数随交流电频率的升高而降低，在交流电频率较低(小于500Hz)下介电各向异性大于零(相本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种具有低临界频率的双频液晶材料，其特征在于，由20.0～25.0％的组分A、20.0～25.0％的组分B、17.5～22.5％的组分C、7.5～12.5％的组分D、7.5～12.5％的组分E、5.0～10.0％的组分F和5.0～10.0％的组分G按总量100.0％熔融混合形成；所述组分A是具有环己烷氟代二苯乙炔骨架结构的系列衍生物；所述组分B是具有氟代二苯乙炔骨架结构的系列衍生物；所述组分C是具有环己烷苯环骨架结构的系列衍生物；所述组分D是具有二苯乙炔骨架结构的系列衍生物；所述组分E是具有三环单酯侧氟基端氰基骨架结构的系列衍生物；所述组分F是具有三环双酯侧二氰基骨架结构的系列衍生物；所述组分...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨槐，李辰悦，张兰英，陈寅杰，王萌，王慧慧，
申请(专利权)人：北京大学，
类型：发明
国别省市：北京;11