以简单的结构高效地去除醇中的溶解氧。醇中的溶解氧去除装置(5)是填充有吸收了氢的储氢金属催化剂(51)的溶解氧去除装置，通过使含有溶解氧的醇与储氢金属催化剂(51)相接触，从醇中去除溶解氧。醇中的溶解氧去除方法具有如下工序：使含有溶解氧的醇与吸收了氢的储氢金属催化剂(51)相接触，从醇中去除溶解氧。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】【专利摘要】以简单的结构高效地去除醇中的溶解氧。醇中的溶解氧去除装置(5)是填充有吸收了氢的储氢金属催化剂(51)的溶解氧去除装置，通过使含有溶解氧的醇与储氢金属催化剂(51)相接触，从醇中去除溶解氧。醇中的溶解氧去除方法具有如下工序：使含有溶解氧的醇与吸收了氢的储氢金属催化剂(51)相接触，从醇中去除溶解氧。【专利说明】醇中的溶解氧去除装置及方法、醇供给装置及清洗液供给装置
本专利技术涉及醇中的溶解氧去除装置及方法、以及使用了该装置的醇供给装置及清洗液供给装置。
技术介绍
对于半导体制造工序中所使用的超纯水，为了防止基板表面的氧化，要求利用真空脱气、膜脱气将超纯水中的溶解氧(DO)浓度降低至例如1ppb以下，进而降低至Ippb以下。 在半导体制造工序中，除了超纯水以外，还使用大量的试剂溶液。特别是异丙醇(IPA)，多被用作基板清洗后的再清洗液、干燥工序的干燥液。现阶段，并未对IPA中的溶解氧浓度进行管理。然而，随着半导体器件的高度化、微细化、高密度化的推进，还考虑到了IPA中的溶解氧会引发半导体器件的预料之外的氧化，从而致使成品率下降的情况。因而，存在需要去除IPA中的溶解氧直至低浓度为止的可能性。 在专利文献I中，公开有含有有机溶剂的试剂溶液的脱气方法。采用该方法，通过使试剂溶液在聚烯烃制的均质膜的单侧通过，并对均质膜的另一侧进行减压，从而去除试剂溶液中的氧。 现有技术文献 专利文献 专利文献1:日本特开2004-105797号公报 专利文献2:日本特开2010-214321号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题 为了利用专利文献I所记载的方法进行溶解氧的脱气直至低浓度为止，需要增大真空泵的容量、或减少处理量。 这关系到装置的设置空间和电力使用量的增加。 本专利技术的目的在于提供能够以简单的结构高效地去除醇中的溶解氧的醇中的溶解氧去除装置及方法。 _3] 用于解决问题的方案 本专利技术的醇中的溶解氧去除装置是填充有吸收了氢的储氢金属催化剂的溶解氧去除装置，其通过使含有溶解氧的醇与储氢金属催化剂相接触，从而从醇中去除溶解氧。本专利技术的醇中的溶解氧去除方法具有如下工序:使含有溶解氧的醇与吸收了氢的储氢金属催化剂相接触，从而从醇中去除溶解氧。 通过使含有溶解氧的醇在吸收了氢的储氢金属催化剂中通过，在吸收了氢的储氢金属催化剂的表面，由醇中的溶解氧和储氢金属催化剂中所吸收的氢生成水(2H2+02 — 2H20)。通过利用该化学反应，能够以简单的结构高效地去除醇中的溶解氧。 专利技术的效果 采用本专利技术，可以提供能够以简单的结构高效地去除醇中的溶解氧的醇中的溶解氧去除装置及方法。 【专利附图】【附图说明】 图1是表示本专利技术的第I实施方式的醇供给装置的概略结构的示意图。 图2是表示本专利技术的第2实施方式的清洗液供给装置的概略结构的示意图。 图3是表示本专利技术的第3实施方式的清洗液供给装置的概略结构的示意图。 图4是表示实施例1所使用的装置的概略结构的示意图。 图5是表示实施例2所使用的装置的概略结构的示意图。 【具体实施方式】 第I实施方式 图1是表示本专利技术的第I实施方式的醇供给装置(IPA供给装置I)的概略结构的示意图。 本实施方式的IPA供给装置I将用于干燥半导体器件的IPA干燥液供给到半导体器件制造装置101。IPA供给装置I具有:贮存IPA的IPA贮存槽2 ;向IPA贮存槽2供给IPA的IPA供给管线11 ;向半导体器件制造装置101供给IPA干燥液的IPA供给管线3 ;以及使从半导体器件制造装置101排出的IPA干燥液返回IPA贮存槽2的回收管线4。在IPA供给管线3上具备用于去除IPA干燥液中的溶解氧的溶解氧去除装置5和位于该IPA供给管线3的后段的水分去除装置6。本实施方式的IPA供给装置I除了用于半导体器件的干燥以外，还能够广泛地应用于将IPA用于物品的清洗和干燥中的至少任意一项的情况中。 溶解氧去除装置5在容器内填充了储氢金属催化剂51。在以下的记载中，储氢金属催化剂51是指在IPA干燥液或后述的清洗液通液前已经吸收了氢的储氢金属催化剂。在填充储氢金属催化剂51时，可以在容器内设置预先吸收了氢的储氢金属催化剂。或者，也可以在容器内设置尚未吸收氢的储氢金属后，在IPA干燥液或后述的清洗液通液前，使氢气与催化剂相接触、或使含有氢的水等通过催化剂，从而将氢吸收到储氢金属中。储氢金属利用压力、温度而较简单地吸收氢。储氢金属也能够可逆地释放出氢。通过使含有溶解氧的IPA干燥液与储氢金属催化剂51相接触，在储氢金属催化剂51的表面，IPA干燥液中的溶解氧与储氢金属催化剂51中所吸收的氢发生2H2+02 — 2H20的反应，IPA干燥液中的溶解氧的至少一部分被去除。作为储氢金属，可以应用镁(Mg)、钛(Ti)、钒(V)、钼(Pt)、钯(Pd)等，优选钼族金属。钼或钯、或钼与钯的合金的催化活性高，特别优选作为储氢金属。 储氢金属催化剂51优选使储氢金属负载于活性炭、离子交换树脂等载体上的形态，但是并不限定于此。作为载体，特别优选使用阴离子交换树脂等阴离子交换体、或纤维状或单块状的阴离子交换体。 通过溶解氧去除装置5而去除了溶解氧的IPA干燥液因通过溶解氧的分解而生成的水分、从储氢金属催化剂51中溶出的水分而导致所含有的水分增加(IPA浓度下降)。在谋求高精度的管理的半导体制造中，存在有IPA浓度的变化对成品率造成影响的可能性，特别是在要求供给高纯度的IPA的半导体干燥工序中，存在IPA中的水分对成品率造成较大的影响的可能性。因此，IPA供给装置I具有水分去除装置6，所述水分去除装置6用于去除在溶解氧去除装置5中去除溶解氧等时产生的水。水分去除装置6位于溶解氧去除装置5的后段，用于将去除了溶解氧的IPA所含有的水去除。 水分去除装置6优选具有具备脱水膜的结构，但是并不限定于此。优选利用渗透气化法(PV法；Pervaporat1n)或蒸发气化(VP法；Vapor Permeat1n)来去除通过了溶解氧去除装置5的IPA干燥液中的水分。脱水膜为例如透水性膜组件即可。膜可以由聚酰亚胺类、纤维素类、聚乙烯醇类等高分子类原材料形成、或由沸石等无机类原材料形成。从机械强度、脱水性能等观点出发，脱水膜优选由沸石形成。 溶解氧去除装置5中得到的液体仅在IPA干燥液中的水分浓度超过了规定值的情况下(IPA干燥液中的IPA浓度低于规定值的情况下)通过设于溶解氧去除装置5的后段的水分去除装置6。即，仅在上述特定的情况下去除IPA干燥液中的水分而调整IPA干燥液的水分浓度(IPA浓度)。为了实现该目的，IPA供给装置I具有:用于测定溶解氧去除装置5中得到的液体的IPA浓度的醇浓度测定装置7 (醇浓度计)和绕开水分去除装置6的旁路管线8。醇浓度测定装置7设置于溶解氧去除装置5的后段(溶解氧去除装置5与水分去除装置6之间)。旁路管线8从IPA供给管线3分支出，绕开水分去除装置6后再次与IPA供给管线3合流。 在通过了溶解氧去除装置5的IPA干燥液的、利用醇浓度测定装置7测得的水分浓度超过了规定值的情况下(IPA干燥液中的IPA浓度低于规定值的情况下)，溶解氧本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种醇中的溶解氧去除装置，其填充有吸收了氢的储氢金属催化剂，通过使含有溶解氧的醇与所述储氢金属催化剂相接触，从而从所述醇中去除所述溶解氧。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...
【专利技术属性】
技术研发人员：村山雅美，菅原广，高桥一重，
申请(专利权)人：奥加诺株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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