【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及有机半导体材料
，为解决有机半导体材料存在的稳定性、溶解性等问题，本专利技术提出了一种星形含硅聚合物及其制备方法与应用，所述的星形含硅聚合物的结构式如（I）所示，本专利技术的星型结构有利于提高化合物的溶解性，从而得到溶解度较高的聚合物，有利于适用低成本的溶液法器件制备工艺。此外，含硅噻咯环的引入也有利于提高聚合物的稳定性。（I）【专利说明】
本专利技术涉及有机半导体材料
，具体地说涉及一种星形含硅聚合物及其制 备方法与应用。 一种星形含硅聚合物及其制备方法与应用
技术介绍
近几年来，有机半导体材料的发展极为迅速，有机半导体材料在有机光电器件如 场效应晶体管（OFETs)，有机发光二级管（0LED)，有机太阳能光伏电池（0PV)等有机光电器 件中有着重要的潜在应用价值。OFETs具有有机半导体的诸多优良特性，如易于制备和功 能化、较低的器件制备温度、良好的柔韧性、和塑料衬底有良好的兼容性以及可大面积制备 等，因而越来越受到人们的重视。从1986年被报道以来，OFETs取得了很大的进展。0FET...
【技术保护点】
一种星形含硅聚合物，其特征在于，所述的星形含硅聚合物结构式如（I）所示：（I）。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：高建华，杨成东，王英峰，郝望龙，邹素芬，张海霞，谢辉，
申请(专利权)人：杭州师范大学，
类型：发明
国别省市：浙江;33
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