沉积源制造技术

沉积源包括主体和多个喷嘴，其中所述主体具有预定长度，所述多个喷嘴形成于所述主体上且将沉积材料发射至设置有掩模的衬底上。所述主体被形成为使得从所述主体的中心向所述主体的端部，所述主体与所述衬底之间的距离逐渐增加，或者所述主体被形成为使得从所述主体的中心向所述主体的相对端部，所述喷嘴与所述衬底之间的距离逐渐增加，因而减少当所述沉积材料被沉积在所述衬底上时所述掩模导致的阴影区域。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】沉积源包括主体和多个喷嘴，其中所述主体具有预定长度，所述多个喷嘴形成于所述主体上且将沉积材料发射至设置有掩模的衬底上。所述主体被形成为使得从所述主体的中心向所述主体的端部，所述主体与所述衬底之间的距离逐渐增加，或者所述主体被形成为使得从所述主体的中心向所述主体的相对端部，所述喷嘴与所述衬底之间的距离逐渐增加，因而减少当所述沉积材料被沉积在所述衬底上时所述掩模导致的阴影区域。【专利说明】沉积源
本公开涉及沉积源。
技术介绍
有机发光二极管（0LED)显示器根据在发射层中注入阳极和阴极的空穴和电子的 重组引起的光发射表现颜色，并且具有包括位于阳极与阴极之间的发射层的层压结构。然 而，通过上述的结构难以获得高效光发射，因此诸如电子注入层（EIL)、电子传输层（ETL)、 空穴传输层（HTL)和空穴注入层（HIL)的夹层选择性地位于每个电子与发射层之间。 电子和包括0LED显示器的发射层的夹层可通过包括沉积的各种方法形成。为了 通过使用沉积制造 0LED，与待形成于衬底上的薄膜具有相同图案的掩模被对齐并且薄膜的 原材料被沉积以形成具有期望图案的薄膜。 随着衬底尺寸的增大和其厚度的减小，衬底因其重量而下垂。由此，掩模不与衬底 接触，从而产生过多的阴影区域。 上面在
技术介绍
部分公开的信息仅为了加强对本专利技术的背景的理解，因此它可包 含不形成在本国度已经为本领域技术人员所了解的现有技术。
技术实现思路
本专利技术致力于提供一种使在将沉积材料沉积在大尺寸衬底上的过程中的阴影产 生最小化的沉积源。 本专利技术的一个示例性实施方式提供一种使在将沉积材料沉积在大型衬底上的过 程中产生的阴影区域最小化的沉积源。 根据本专利技术的一方面的沉积源包括主体和多个喷嘴，其中所述主体具有预定长 度，所述多个喷嘴形成于所述主体上以将沉积材料发射至设置有掩模的衬底上。所述主体 被形成为使得从所述主体的中心向所述主体的端部，所述主体与所述衬底之间的距离逐渐 增加。 所述喷嘴可形成于所述主体的面向所述衬底的一侧上，所述喷嘴被布置为使得从 所述主体的中心向所述主体的端部，所述喷嘴与所述衬底之间的距离逐渐增加。 所述喷嘴可具有相同的长度。 所述主体面向所述衬底的一侧可包括从所述主体的中心向所述主体的两个端部 向下倾斜的两个面。 所述两个面中的每个可具有比能够将沉积材料沉积在所述衬底上的最小沉积角 小的倾斜角。 所述两个面的倾斜角可相等。 所述主体面向所述衬底的一侧可以是弧形的。 所述主体的弧形面的特定点处的切角可小于能够将沉积材料沉积在衬底上的最 小沉积角。 根据本专利技术的另一方面的沉积源包括主体和多个喷嘴，其中所述主体具有预定长 度，所述多个喷嘴形成于所述主体上以将沉积材料发射到设置有掩模的所述衬底上。所述 喷嘴形成于所述主体的面向所述衬底的一侧，所述喷嘴被布置为使得从所述主体的中心向 所述主体的端部，所述喷嘴与所述衬底之间的距离逐渐增加。 连接所述多个喷嘴的顶端的虚线的角度可小于能够将沉积材料沉积在所述衬底 上的最小沉积角。 根据本专利技术的一个示例性实施方式的沉积源包括主体，所述主体被形成为使得所 述主体的两个端部与所述衬底之间的距离大于所述主体的中心与所述衬底之间的距离。 所述喷嘴可具有相同的长度。 所述喷嘴可具有不同的长度。 所述主体可被形成为使得当喷嘴可具有不同的长度时，在所述主体的整个长度 上，所述主体的面与所述衬底的面之间的距离相同。 由此，当使用根据本专利技术的示例性实施方式的沉积源将沉积材料沉积在衬底上 时，阴影区域可被显著减少。 【专利附图】【附图说明】 考虑结合附图，参考下面的详细描述，随着本专利技术的更完整的理解及其伴随的优 点被更好地理解，它们将显而易见，在附图中类似的参考标号表示相同或相似的组件，其 中： 图1示出了根据第一示例性实施方式使用沉积源将材料沉积在衬底上； 图2是图1的区域S的截面图； 图3示出了根据第二示例性实施方式使用沉积源将材料沉积在衬底上； 图4示出了根据第三示例性实施方式使用沉积源将材料沉积在衬底上；以及 图5是当使用根据一个示例性实施方式的沉积源和使用根据比较实施例的沉积 源将沉积材料沉积在衬底上时在衬底上产生的阴影的长度的曲线图。 【具体实施方式】 下文参考附图将更完整地理解本专利技术，其中在附图中示出了本专利技术的实施方式。 所描述的实施方式可以多种不同的方式修改，并且全部的修改不背离本专利技术的精神或范 围。实施方式中具有相同配置的部件将使用与第一实施方式中的参考标号相同的参考标号 描述并且可在全部的实施方式中用于指向相同的零件，将描述第一实施方式并且在其它实 施方式中仅解释与第一实施方式的零件不同的零件。 为了清楚描述本专利技术，省略与描述不相关的零件，并且在整个说明书中相同的参 考标号用于指向相同或相似的零件。 在说明书和权利要求中，当描述一个元件"耦接"至另一元件时，它不仅包括一个 元件"直接连接"至另一元件的情况，还包括一个元件"电连接"至另一元件且两个元件直 接具有其它元件的情况。 此外，除非明确地进行相反说明，词语"包括（comprise)"及其变型诸如"包括 (comprises)"或"包括（comprising)"将被理解为包括所列的元件但是不排除任何其它元 件。 图1示出了根据第一示例性实施方式使用沉积源将材料沉积在衬底上，以及图2 是图1的区域S的截面图。 参考图1和图2,根据第一示例性实施方式的沉积源100将沉积材料发射至衬底 10,其中衬底10的一侧设置有掩模20。沉积源100包括主体110和多个喷嘴120。 主体110具有预定的长度并且形成沉积源100的外观。在使用沉积源100将沉积 材料沉积在衬底10上的过程中衬底10可沿一个方向移动或者沉积源100可沿一个方向移 动。沉积源100的主体110的纵向方向可以是与衬底10移动时的方向垂直的方向。例如， 如果衬底10前后移动，则主体100在左右方向移动。 主体110内形成有存储空间(未示出）。沉积材料(未示出)存储在存储空间内。例 如，沉积材料可以是有机材料。有机材料被蒸发并且通过喷嘴120被发射至衬底10。沉积 材料可通过例如加热被蒸发。例如，加热线圈（未示出）可设置在沉积源的内壁并且电流可 被施加至加热线圈以产生热。然而，蒸发沉积材料的方法不限于加热。 多个喷嘴120形成于主体110上。喷嘴120可形成于主体110面向衬底10的一 侧上。喷嘴120可以预定的间隔形成。每个喷嘴120可具有细孔。沉积材料可通过细孔被 发射至衬底10。 根据一个示例性实施方式，沉积源100的主体110优选地被形成使得从主体110 的中心向主体110的端部，主体110与衬底10之间的距离逐渐增加。 如等式1所表达的，阴影长度在衬底10的中心最小。阴影长度在衬底10的边缘 增加。 等式 1 【权利要求】1. 一种沉积源，包括：主体，具有预定长度；多个喷嘴，形成于所述主体上以将沉积材 料发射至设置有掩模的衬底上，所述主体被形成为使得从所述主体的中心向所述主体的相 本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种沉积源，包括：主体，具有预定长度；多个喷嘴，形成于所述主体上以将沉积材料发射至设置有掩模的衬底上，所述主体被形成为使得从所述主体的中心向所述主体的相对端部，所述主体与所述衬底之间的距离逐渐增加。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：洪宰敏，朴峻永，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR