【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术的光纤珐珀应变传感器，包括相互熔接的两段光纤(1)和(2)，光纤(1)上与光纤(2)熔接的一端具有圆孔，圆孔与单模光纤(1)和(2)形成非本征型珐珀腔；所述光纤(2)的另一端平整，并具有砷化镓镀膜。本专利技术的有益效果：本专利技术的光纤珐珀应变传感器及其系统与现有的珐珀应变传感器相比具有如下优点：砷化镓薄膜的本征吸收波长不受薄膜应力等外界因素影响，只和温度有关。砷化镓薄膜本征吸收快，耐高温，能满足高温条件下温度的实时测量。该珐珀应变传感器输入输出同一根光纤，结构简单，便于批量安装。【专利说明】光纤法拍应变传感器、传感系统及传感器制作方法
本专利技术属于光学传感元件
，具体涉及一种光纤传感器，特别涉及一种能 够同时测量应变和温度的吸收式温度补偿的光纤珐珀应变传感器、以该传感器为核心的传 感系统以及上述传感器的制造方法。
技术介绍
在半导体（如砷化镓）传感器应用领域，应用本征半导体的禁带宽度随温度升高 而减小的现象，在1999年，曹康敏等人用砷化镓晶片作敏感元、光纤作导光系统、半导体发 光二极管作光源、半导体...
【技术保护点】
光纤珐珀应变传感器，其特征在于，包括相互熔接的两段光纤(1)和(2)，光纤(1)上与光纤(2)熔接的一端具有圆孔，圆孔与光纤(1)和(2)形成非本征型珐珀腔；所述光纤(2)的另一端平整，并具有测温镀膜层。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：冉曾令，罗配良，骆书成，杨彦广，戴金雯，李绪国，闽夫，
申请(专利权)人：电子科技大学，
类型：发明
国别省市：四川;51
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