有机发光二极管显示器和像素制造技术

本申请公开一种有机发光二极管显示器和像素。该像素包括联接至晶体管的电容器、位于电容器的半导体层上方的第一绝缘层、位于第一绝缘层上方的第二绝缘层以及位于第一绝缘层与第二绝缘层之间的阻挡层。电容器的第一极板位于第一绝缘层上，电容器的第二极板位于第二绝缘层上。阻挡层可以由自然氧化物层形成，第一绝缘层可以由不同于阻挡层的材料形成。

【技术实现步骤摘要】

本文中的实施例涉及有机发光二极管(OLED)显示器和像素。
技术介绍
有机发光二极管显示器包括多个像素，每个像素包括用于控制供应给OLED的电流量的像素电路。供应给OLED的电流量是根据电容器和晶体管的布置来确定的，晶体管至少包括开关晶体管和驱动晶体管。通过驱动晶体管供应的电流量确定要发出的光的灰度值。为了满足对更高分辨率显示器的不断增长的需求，已经采用集成技术。这些技术包括减小每个像素的尺寸。减小像素的尺寸允许用较少的电流量驱动像素。然而，由该较少的电流实现的功耗节省至少部分被可用于驱动开关晶体管和驱动晶体管的栅极电压的范围缩小相抵消。调整施加至驱动晶体管的栅极电压的幅度来保持可管理的灰度范围是困难的。
技术实现思路
根据一个实施例，一种有机发光二极管显示器包括：基板；半导体层，位于所述基板上并且包括彼此分离的开关半导体层和驱动半导体层；第一栅绝缘层，位于所述半导体层上方；开关栅电极，位于所述第一栅绝缘层上并且与所述开关半导体层重叠；第二栅绝缘层，位于所述开关栅电极上方；驱动栅电极，位于所述第二栅绝缘层上并且与所述驱动半导体层重叠；以及夹层绝缘层，位于所述驱动栅电极和所述第二栅绝缘层上方。所述第二栅绝缘层包括位于所述第一栅绝缘层上的第二下栅绝缘层、位于所述第二下栅绝缘层上的裂缝阻挡层以及位于所述裂缝阻挡层上的第二上栅绝缘层。所述裂缝阻挡层包括自然氧化物层。此外，所述基板可以包括位于所述基板与所述半导体层之间的聚酰亚胺层和/或屏障层。此外，存储电容器可以包括位于所述第一栅绝缘层上的第一极板和位于所述第二栅绝缘层上的与所述第一极板重叠的第二极板。此外，所述显示器可以包括：扫描线，位于所述基板上并且传输扫描信号；与所述扫描线相交的数据线和驱动电压线，所述数据线和所述驱动电压线分别传输数据信号和驱动电压；开关晶体管，联接至所述扫描线和所述数据线，所述开关晶体管包括所述开关半导体层和所述开关栅电极；驱动晶体管，联接至所述开关晶体管的所述开关漏电极，所述驱动晶体管包括所述驱动半导体层和所述驱动栅电极；以及有机发光二极管，联接至所述驱动晶体管的所述驱动漏电极。根据另一实施例，一种像素包括：晶体管；联接至所述晶体管的电容器；位于所述晶体管的半导体层上方的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上方的第二绝缘层；以及位于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的阻挡层，其中所述电容器的第一极板位于所述第一绝缘层上，所述电容器的第二极板位于所述第二绝缘层上，并且其中所述阻挡层由自然氧化物层形成，所述第一绝缘层由不同于所述阻挡层的材料形成。此外，所述半导体层包括驱动半导体层，其中所述驱动半导体层对应于联接至所述电容器的所述晶体管。此外，所述晶体管可以是所述像素的驱动晶体管。此外，所述像素可以包括开关晶体管，其中所述第一绝缘层和所述第二绝缘层是所述驱动晶体管的栅绝缘层。此外，所述开关晶体管的栅电极位于所述第一绝缘层上。所述第二绝缘层可以位于所述栅电极上方。此外，所述驱动晶体管包括栅电极，所述栅电极可以位于所述第二绝缘层上。所述第一绝缘层可以包括硅，并且有机发光二极管可以联接至所述电容器的至少一个节点。根据另一实施例，一种像素包括：驱动晶体管；开关晶体管；位于所述开关晶体管的节点与所述驱动晶体管的节点之间的电容器；位于所述开关晶体管的半导体层和所述驱动晶体管的半导体层上方的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上方的第二绝缘层；位于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间的阻挡层，其中所述电容器的第一极板位于所述第一绝缘层上，所述电容器的第二极板位于所述第二绝缘层上。此外，所述阻挡层可以由防止所述第一绝缘层中的裂缝迁移至所述第二绝缘层的材料形成。在一种实现方式中，所述阻挡层由自然氧化物层形成，所述第一绝缘层由不同于所述阻挡层的材料形成。此外，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层可以是所述开关晶体管或所述驱动晶体管的绝缘层。另一绝缘层可以位于所述阻挡层与第一电容器极板之间。附图说明通过参照附图详细描述示例性实施例，各特征对本领域普通技术人员而言将变得明显，其中：图1图示有机发光二极管显示器的像素的一个实施例；图2图示图1中的显示器的晶体管和电容器；图3图示图2的一个像素的详细布局图；图4图示图3的沿线IV-IV截取的显示器的剖面图；图5图示图3的沿线V-V'和线V'-V''截取的显示器的剖面图；以及图6图示图5的区域A中的裂缝阻挡层的放大图。具体实施方式现在，将参照附图在下文中更全面地描述示例性实施例，然而示例性实施例可以以不同的形式体现，而不应当被解释为局限于本文阐述的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开更全面和完整，并且将示例性实施例完整地传达给本领域技术人员。在附图中，为了图示清楚，可以放大层和区域的尺寸。还应理解，当一层或元件被称为位于另一层或基板“上”时，该层或元件可以直接位于另一层或基板上，或者还可以存在中间层。此外，应理解，当一层被称为位于另一层“下方”时，其可以直接位于另一层下方，或者还可以存在一个或多个中间层。此外，还应理解，当一层被称为位于两层“之间”时，其可以是这两个层之间的唯一层，或者还可以存在一个或多个中间层。在全文中，相同的附图标记指代相同的元件。图1图示有机发光二极管(OLED)显示器的像素100的等效电路的实施例。如图1所示，像素100包括：多条信号线121、122、123、124、171和172，连接至多条信号线的多个晶体管T1、T2、T3、T4、T5和T6、存储电容器Cst以及有机发光二极管(OLED)。这些晶体管包括驱动晶体管(驱动薄膜晶体管)T1、开关晶体管(开关薄膜晶体管)T2、补偿晶体管T3、初始化晶体管T4、操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6。这些信号线包括：传输扫描信号Sn的扫描线121，将前一扫描信号Sn-1传输至初始化晶体管T4的前一扫描线122，将发光控制信号En传输至操作控制晶体管T5和发光控制晶体管T6的发光控制线123，与扫描线121相交且传输数据信号Dm的数据线171，传输驱动电压ELVDD且几乎与数据线171平行形成的驱动电压线172，以及传输对驱动晶体管T1进行初始化的初始化电压Vint的初始化电压线124。驱动晶体管T1的栅电极G1连接至存储电容器Cst的第一端Cst1，驱动晶体管T1的源电极S1经由操作控制晶体管T5连接至驱动电压线172。驱动晶体管T1的漏电极D1经本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机发光二极管显示器，包括：基板；半导体层，位于所述基板上并且包括彼此分离的开关半导体层和驱动半导体层；第一栅绝缘层，位于所述半导体层上方；开关栅电极，位于所述第一栅绝缘层上并且与所述开关半导体层重叠；第二栅绝缘层，位于所述开关栅电极上方；驱动栅电极，位于所述第二栅绝缘层上并且与所述驱动半导体层重叠；以及夹层绝缘层，位于所述驱动栅电极和所述第二栅绝缘层上方，其中所述第二栅绝缘层包括：位于所述第一栅绝缘层上的第二下栅绝缘层，位于所述第二下栅绝缘层上的裂缝阻挡层，以及位于所述裂缝阻挡层上的第二上栅绝缘层。

【技术特征摘要】
2013.04.26 KR 10-2013-00467761.一种有机发光二极管显示器，包括：
基板；
半导体层，位于所述基板上并且包括彼此分离的开关半导体层和驱动半导体层；
第一栅绝缘层，位于所述半导体层上方；
开关栅电极，位于所述第一栅绝缘层上并且与所述开关半导体层重叠；
第二栅绝缘层，位于所述开关栅电极上方；
驱动栅电极，位于所述第二栅绝缘层上并且与所述驱动半导体层重叠；以及
夹层绝缘层，位于所述驱动栅电极和所述第二栅绝缘层上方，其中所述第二栅绝
缘层包括：
位于所述第一栅绝缘层上的第二下栅绝缘层，
位于所述第二下栅绝缘层上的裂缝阻挡层，以及
位于所述裂缝阻挡层上的第二上栅绝缘层。
2.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，其中所述基板包括聚酰亚胺。
3.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，进一步包括位于所述基板与所
述半导体层之间的屏障层。
4.根据权利要求1所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：
存储电容器，包括位于所述第一栅绝缘层上的第一极板和位于所述第二栅绝缘层
上的与所述第一极板重叠的第二极板。
5.根据权利要求4所述的有机发光二极管显示器，进一步包括：
扫描线，位于所述基板上并且传输扫描信号；
与所述扫描线相交的数据线和驱动电压线，所述数据线和所述驱动电压线分别传
输数据信号和驱动电压；
开关晶体管，联接至所述扫描线和所述数据线，所述开关晶体管包括所述开关半
导体层和所述开关栅电极；
驱动晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：姜昶旭，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR