用于固态储存装置中晶体单元的群组区分方法制造方法及图纸

一种固态储存装置中晶体单元的群组区分方法，包括：建立一电压偏移参数对照表，该电压偏移参数对照表包含一第一位置参数表；利用N个具重大内部晶体单元干扰效应的晶体单元来决定MN个内部晶体单元干扰图样；当中央晶体单元为第一储存状态时，根据电压偏移参数对照表决定对应MN个内部晶体单元干扰图样的MN个中央晶体单元阈值电压偏移，并将第一储存状态区分为多个子区间；以及将对应第一数目的内部晶体单元干扰图样的中央晶体单元区分至第一储存状态中的第一群组，其中第一数目的内部晶体单元干扰图样对应的中央晶体单元阈值电压偏移位于第一储存状态的第一子区间。

【技术实现步骤摘要】
用于固态储存装置中晶体单元的群组区分方法
本专利技术是有关于一种固态储存装置，且特别是有关于一种固态储存装置及利用内部晶体单元干扰(ICI)图样来将特定储存状态的晶体单元进一步区分为多个群组的方法。
技术介绍
众所周知，与非门闪存(NANDflashmemory)所组成的固态储存装置(solidstatedevice)已经非常广泛的应用于各种电子产品。例如SD卡、固态硬盘等等。基本上，根据闪存每个晶体单元所储存的资料量可进一步区分为每个晶体单元储存一位的单层晶体单元(Single-LevelCell，简称SLC)闪存、每个晶体单元储存二位的多层晶体单元(Multi-LevelCell，简称MLC)闪存、与每个晶体单元储存三位的三层晶体单元(Triple-LevelCell，简称TLC)闪存。请参照图1，其所绘示为闪存内部晶体单元排列示意图。其中，每个晶体单元内包括一个浮动栅晶体管(floatinggatetransistor)。此晶体单元可为SLC、MLC、或者TLC。如图所示，多个晶体单元串行连接成一行(column)，而闪存中包括多行。再者，每一列的字符线(wordline)可控制每行中的晶体单元。基本上，浮动栅晶体管中的浮动栅(floatinggate)可以储存热载子(hotcarrier)，而根据热载子储存量的多少可决定该浮动栅晶体管的阈值电压(thresholdvoltage，简称VTH)。也就是说，具有较高的阈值电压的浮动栅极晶体管需要较高的栅极电压(gatevoltage)来开启(turnon)浮动栅晶体管；反之，具有较低的阈值电压的浮动栅极晶体管则可以用较低的栅极电压来开启浮动栅晶体管。因此，于闪存的程序周期(programcycle)时，可控制注入浮动栅极的热载子量，进而改变其阈值电压。而在读取周期(readcycle)时，闪存中的感测电路(sensingcircuit)即可根据浮动栅晶体管的阈值电压来判断其储存状态。请参照图2，其所绘示为MLC闪存中的储存状态与阈值电压关系示意图。基本上，MLC闪存的一个晶体单元可以有四个储存状态E、A、B、C。在未注入热载子时，可视为储存状态E(例如逻辑储存状态11)，而随着热载子注入晶体单元的数量渐增，依序为储存状态A(例如逻辑储存状态10)、储存状态B(例如逻辑储存状态00)、储存状态C(例如逻辑储存状态01)。其中，储存状态C的晶体单元具有最高的阈值电压准位，储存状态B的晶体单元次之，储存状态A的晶体单元再次之，储存状态E的晶体单元具有最低的阈值电压准位。再者，当晶体单元经过抹除周期之后，皆会回复至未注入热载子的储存状态E。一般而言，于程序周期时，若将多个晶体单元程序为相同的储存状态，其并非每个晶体单元的阈值电压都会相同，而是会呈现一分布曲线(distributioncurve)，且其分布曲线可对应至一中位阈值电压。由图2可知，储存状态E的中位阈值电压为VTHE(例如0V)，储存状态A的中位阈值电压为VTHA(例如10V)，储存状态B的中位阈值电压为VTHB(例如20V)，储存状态C的中位阈值电压为VTHC(例如30V)。举例来说明，在统计储存状态C的所有晶体单元的阈值电压后，具中位阈值电压VTHC(例如30V)的晶体单元数目最多。而于读取周期时，即可提供一第一切割电压(Vs1)、第二切割电压(Vs2)、与第三切割电压(Vs3)来侦测MLC闪存中的四个储存状态。再者，由于每个晶体单元的特性差异，部分的晶体单元在程序后，其阈值电压可能会超过默认的切割电压，如此，这些晶体单元在读取周期时，便会发生误判储存状态的状况。以图2的MLC闪存中储存状态B与储存状态C的分布曲线为例来做说明。如储存状态B的分布曲线所示，区域b中的晶体单元的阈值电压超过第三切割电压Vs3，因此当使用第三切割电压Vs3来判断储存状态时，区域b中的晶体单元会被误判为储存状态C。同理，如储存状态C的分布曲线所示，区域c中的晶体单元的阈值电压小于第三切割电压Vs3，因此当使用第三切割电压Vs3来判断储存状态时，区域e中的晶体单元会被误判为储存状态B。当然，SLC闪存中晶体单元的二个储存状态以及TLC闪存中晶体单元的八个储存状态也是以相同的方式来区别。因此，也会有上述误判的情况发生，此处不再赘述。而进一步分析，在一个储存状态的阈值电压分布曲线中，会有特定情况的晶体单元会产生较大的阈值电压偏移而导致误判。因此，本专利技术的目的在于统计出各种情况下的晶体单元及其阈值电压偏移，并可用于降低读取周期时闪存的资料错误率(dataerrorrate)。
技术实现思路
本专利技术系有关于一种固态储存装置中晶体单元的群组区分方法，该固态储存装置中包括一中央晶体单元及其周围的多个相邻晶体单元，该中央晶体单元与所述相邻晶体单元皆可被程序为M个储存状态其中之一，且所述相邻晶体单元中包括N个具重大内部晶体单元干扰效应的相邻晶体单元，该群组区分方法包括下列步骤：建立一电压偏移参数对照表，其中该电压偏移参数对照表包含一第一位置参数表，该位置参数表对应一第一相邻晶体单元，且该第一相邻晶体单元是该N个具重大内部晶体单元干扰效应的相邻晶体单元其中之一；利用该N个具重大内部晶体单元干扰效应的晶体单元来决定MN个内部晶体单元干扰图样；当该中央晶体单元为该M个储存状态中的一第一储存状态时，根据该电压偏移参数对照表决定对应该MN个内部晶体单元干扰图样的MN个中央晶体单元阈值电压偏移；根据该MN个中央晶体单元阈值电压偏移将该第一储存状态区分为多个子区间；以及将对应一第一数目的内部晶体单元干扰图样的中央晶体单元区分至该第一储存状态中的一第一群组，其中该第一数目的内部晶体单元干扰图样对应的中央晶体单元阈值电压偏移位于该第一储存状态的一第一子区间。附图说明为了详细说明本专利技术的结构、特征以及功效的所在，以下结合较佳实施例并配合附图说明如后，其中：图1所绘示为闪存内部晶体单元排列示意图。图2所绘示为MLC闪存中的储存状态与阈值电压关系示意图。图3所绘示为一种ICI图样示意图。图4A所示为在中央晶体单元为储存状态A时，64个ICI图样与阈值电压(VTH)之间的对照表示意图。图4B所示为进一步根据不同ICI图样所对应的阈值电压大小来将储存状态A区分为多个群组的示意图。图5A至图5E所绘示为中央晶体单元为储存状态A时的左参数表建立流程。图6A至图6E所绘示为中央晶体单元为储存状态B时的左参数表建立流程。图7A至图7E所绘示为中央晶体单元为储存状态C时的左参数表建立流程。图8所示为本专利技术电压偏移参数对照表示意图。图9A至图9C所绘示为中央晶体单元为储存状态A的三个ICI图样的中央晶体单元阈值电压的偏移估计方法。图9D至图9F所绘示为中央晶体单元为储存状态B的三个ICI图样的中央晶体单元阈值电压的偏移估计方法。图9G至图9I所绘示为中央晶体单元为储存状态C的三个ICI图样的中央晶体单元阈值电压的偏移估计方法。图10绘示在储存状态A、B、C中所区分的群组A1-A3、B1-B3、C1-C3。图11所绘示为本专利技术简化的电压偏移参数对照表示意图。图12所绘示为本专利技术的固态储存装置中晶体单元的群组区分方法流程示意图。图13所绘示为本专利技术的根据中央晶体单元阈值本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种固态储存装置中晶体单元的群组区分方法，该固态储存装置中包括一中央晶体单元及其周围的多个相邻晶体单元，该中央晶体单元与所述相邻晶体单元皆可被程序为M个储存状态其中之一，且所述相邻晶体单元中包括N个具重大内部晶体单元干扰效应的相邻晶体单元，该群组区分方法包括下列步骤：建立一电压偏移参数对照表，其中该电压偏移参数对照表包含一第一位置参数表，该位置参数表对应一第一相邻晶体单元，且该第一相邻晶体单元是该N个具重大内部晶体单元干扰效应的相邻晶体单元其中之一；利用该N个具重大内部晶体单元干扰效应的晶体单元来决定MN个内部晶体单元干扰图样；当该中央晶体单元为该M个储存状态中的一第一储存状态时，根据该电压偏移参数对照表决定对应该MN个内部晶体单元干扰图样的MN个中央晶体单元阈值电压偏移；根据该MN个中央晶体单元阈值电压偏移将该第一储存状态区分为多个子区间；以及将对应一第一数目的内部晶体单元干扰图样的中央晶体单元区分至该第一储存状态中的一第一群组，其中该第一数目的内部晶体单元干扰图样对应的中央晶体单元阈值电压偏移位于该第一储存状态的一第一子区间。

【技术特征摘要】
1.一种固态储存装置中晶体单元的群组区分方法，该固态储存装置中包括一中央晶体单元及其周围的多个相邻晶体单元，该中央晶体单元与所述相邻晶体单元皆可被程序为M个储存状态其中之一，且所述相邻晶体单元中包括N个具重大内部晶体单元干扰效应的相邻晶体单元，该群组区分方法包括下列步骤：建立一电压偏移参数对照表，其中该电压偏移参数对照表包含一第一位置参数表，该位置参数表对应一第一相邻晶体单元，且该第一相邻晶体单元是该N个具重大内部晶体单元干扰效应的相邻晶体单元其中之一；利用该N个具重大内部晶体单元干扰效应的晶体单元来决定MN个内部晶体单元干扰图样；当该中央晶体单元为该M个储存状态中的一第一储存状态时，根据该电压偏移参数对照表决定对应该MN个内部晶体单元干扰图样的MN个中央晶体单元阈值电压偏移；根据该MN个中央晶体单元阈值电压偏移将该第一储存状态区分为多个子区间；以及将对应一第一数目的内部晶体单元干扰图样的中央晶体单元区分至该第一储存状态中的一第一群组，其中该第一数目的内部晶体单元干扰图样对应的中央晶体单元阈值电压偏移位于该第一储存状态的一第一子区间。2.如权利要求1所述的固态储存装置中晶体单元的群组区分方法，该方法又包括下列步骤：将对应一第二数目的内部晶体单元干扰图样的中央晶体单元区分至该第一储存状态中的一第二群组，其中该第二数目的内部晶体单元干扰图样对应的中央晶体单元阈值电压偏移位于一第二子区间。3.如权利要求1所述的固态储存装置中晶体单元的群组区分方法，该方法又包括下列步骤：当该中央晶体单元为该M个储存状态中的一第二储存状态时，根据该电压偏移参数对照表决定对应该MN个内部晶体单元干扰图样的MN个中央晶体单元阈值电压偏移；根据该MN个中央晶体单元阈值电压偏...

【专利技术属性】
技术研发人员：曾士家，傅仁杰，吴郁姍，张锡嘉，
申请(专利权)人：光宝科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71