粘合带制造技术

本发明专利技术提供一种粘合带，其即使因激光切割等而被加热也能够抑制粘合力的上升，小片化的半导体元件的取出、向其他粘合带的转移等的处理容易，且能够抑制对被粘物的残胶。本发明专利技术的粘合带为在基材的至少一个面上具备粘合剂层的粘合带，该粘合剂层的表面的利用纳米压痕仪得到的100℃下的压痕硬度为20.0MPa以上。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术提供一种粘合带，其即使因激光切割等而被加热也能够抑制粘合力的上升，小片化的半导体元件的取出、向其他粘合带的转移等的处理容易，且能够抑制对被粘物的残胶。本专利技术的粘合带为在基材的至少一个面上具备粘合剂层的粘合带，该粘合剂层的表面的利用纳米压痕仪得到的100℃下的压痕硬度为20.0MPa以上。【专利说明】粘合带
本专利技术涉及粘合带。
技术介绍
半导体小片（芯片）是将形成有电路的半导体晶圆切断(切割）而制作的。例如， 通过在切割用粘合带上进行半导体晶圆的切割，该半导体晶圆被小片化(芯片化）而成为芯 片，从切割用粘合带上拾取该芯片，继续在后面的工序中使用(例如参照专利文献1)。在该 切断加工中，出于固定半导体晶圆的目的而使用粘合带。 以往的切断加工中，使用着旋转刃等切削刃。但是，在使用了切削刃的切断加工 中，存在产生切削屑这样的问题。因此，近年来进行着用激光进行切断的激光切割。 然而，在激光切割中使用以往的切割用粘合带时，产生如下的问题：在激光切割后 切割用粘合带的粘合力大幅上升，其后的处理(例如，将小片化的半导体元件取出、或者向 其他粘合带转移的操作等）变得难以进行这样的问题、在取出的被粘物上产生残胶这样的 问题。 当初认为，这种现象是切割用粘合带中的粘合剂的分子链因激光而被切断，粘合 剂发生低分子量化而引起粘合力上升的结果。从而认为，是否可以通过向粘合剂层中添加 光吸收剂来应对。但是，通过这种应对，对消除上述现象仍然全无效果。 现有技术文献 专利文献 专利文献1 :日本特开2005-019607号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问是页 本专利技术人使用从量子化学方面考虑也无法切断分子链这样的长波长激光进行验 证时发现，在使用这种长波长的激光时，也与以往相同，在激光切割后切割用粘合带的粘合 力大幅上升。因此，本专利技术人为了调查在对半导体晶圆照射激光时所发生的情况，挑选硅镜 面晶圆作为半导体晶圆，在其上贴附粘合带，并照射在对半导体晶圆进行激光切割时所使 用的激光，观察其状况。 其结果，发现了在对硅镜面晶圆照射激光时，在该光照射到的微小区域中温度急 剧上升，虽然时间很短，但晶圆被切断时加热到l〇〇°C左右。由该结果认为，在激光切割后切 割用粘合带的粘合力大幅上升的原因并非由激光造成的粘合剂的化学变质，原因是物理变 质，即，由于加热而粘合剂软化，密合于被粘物(半导体晶圆）的面积增大。 即，本专利技术的课题在于提供一种粘合带，其即使因激光切割等而被加热也能够抑 制粘合力的上升，小片化的半导体元件的取出、向其他粘合带的转移等的处理容易，且能够 抑制对被粘物的残胶。 用于解决问题的方案 本专利技术人在100°C下使用具有各种硬度的粘合剂，确认激光切割后的切割用粘合 带的粘合力上升的程度时发现，如果粘合剂表面的利用纳米压痕仪得到的l〇〇°C下的压痕 硬度为规定的大小以上，则在激光切割后的处理中不会引起造成不良影响那样的粘合力上 升。 本专利技术的粘合带为在基材的至少一个面上具备粘合剂层的粘合带， 该粘合剂层的表面的利用纳米压痕仪得到的l〇〇°C下的压痕硬度为20. OMPa以 上。 在优选的实施方式中，上述粘合剂层的表面的利用纳米压痕仪得到的23°C下的压 痕硬度为〇. 5MPa?10. OMPa。 在优选的实施方式中，上述粘合剂层的贴附保存粘合力在23 C X30分钟后为 0. 15N/20mm 以上。 在优选的实施方式中，上述粘合剂层包含环氧系交联剂。 在优选的实施方式中，上述粘合剂层包含（甲基）丙烯酸类聚合物。 在优选的实施方式中，上述基材的按照JIS-K-7127 (1999年）测定的最大伸长率 为100%以上。 在优选的实施方式中，上述基材为塑料薄膜。 在优选的实施方式中，上述塑料薄膜包含选自聚氯乙烯、聚烯烃、乙烯-醋酸乙烯 酯共聚物的至少1种。 在优选的实施方式中，在上述基材的单面具备上述粘合剂层，在该基材的与该粘 合剂层相反的面具备非粘合层。 在优选的实施方式中，上述非粘合层为聚硅氧烷和（甲基）丙烯酸类聚合物的混合 层。 在优选的实施方式中，上述非粘合层中的聚硅氧烷与（甲基）丙烯酸类聚合物的混 合比以重量比计为聚硅氧烷：（甲基）丙烯酸类聚合物=1 :50?50 :1。 在优选的实施方式中，上述非粘合层具有相分离结构。 在优选的实施方式中，上述非粘合层的厚度为0.01 μ--?10 μ--。 在优选的实施方式中，在上述粘合剂层的表面具备剥离衬垫。 在优选的实施方式中，本专利技术的粘合带用于半导体加工。 在优选的实施方式中，本专利技术的粘合带用于LED切割用途。 专利技术的效果 根据本专利技术，能够提供一种粘合带，其即使因激光切割等而被加热也能够抑制粘 合力的上升，小片化的半导体元件的取出、向其他粘合带的转移等的处理容易，且能够抑制 对被粘物的残胶。 【专利附图】【附图说明】 图1为本专利技术的粘合带的优选的实施方式的截面示意图。 图2为示出本专利技术的粘合带中的非粘合层的表面侧状态的Sffl照片。 图3为示出本专利技术的粘合带中的非粘合层的截面侧状态的Sffl照片。 图4为带说明地示出本专利技术的粘合带中的非粘合层的截面侧状态的SEM照片。 附图标记说明 10 基材 20 粘合剂层 30 非粘合层 100粘合带 【具体实施方式】 本专利技术的粘合带在基材的至少一个面上具备粘合剂层。本专利技术的粘合带可以在基 材的双面具备粘合剂层，也可以在基材的单面具备粘合剂层。 图1为本专利技术的粘合带的优选的实施方式的截面示意图。图1中，本专利技术的粘合 带100在基材10的一个面上具备粘合剂层20。在图1中，在基材10的与粘合剂层20相反 的面具备非粘合层30。也可以在粘合剂层20的表面具备剥离衬垫(未图示)。图1中，本发 明的粘合带100为非粘合层30、基材10和粘合剂层20的层叠体。 本专利技术的粘合带的厚度优选为20 μ m?120 μ m，更优选为30 μ m?120 μ m，进一 步优选为40 μ m?120 μ m。通过将本专利技术的粘合带的厚度调节到上述范围内，本专利技术的效 果可以变得更加容易显现。若本专利技术的粘合带的厚度过小，则有处理性变差的担心，尤其有 贴合操作变难的担心。若本专利技术的粘合带的厚度过大，则有对拉伸等变形的追随性变差的 担心。 〈基材〉 基材的厚度优选为20 μ m?120 μ m，更优选为30 μ m?120 μ m，进一步优选为 40μπι?120μπι。通过将本专利技术的基材的厚度调节到上述范围内，本专利技术的效果可以变得 更加容易显现。若基材的厚度过小，则有处理性变差的担心，尤其在构成粘合带时有贴合操 作变难的担心。若基材的厚度过大，则有对拉伸等变形的追随性变差的担心。 基材的按照JIS-K-7127 (1999年)测定的最大伸长率优选为100%以上，更优选为 200%?1000%。通过使用显示出这样的最大伸长率的基材，本专利技术的效果可变得更加容易 显现。另外，通过使用显示出这样的最大伸长率的基材，能够赋予本专利技术的粘合带以适本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种粘合带，其为在基材的至少一个面上具备粘合剂层的粘合带，该粘合剂层的表面的利用纳米压痕仪得到的100℃下的压痕硬度为20.0MPa以上。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：由藤拓三，矢田贝隆浩，
申请(专利权)人：日东电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP