二酮基吡咯并吡咯低聚物和包含二酮基吡咯并吡咯低聚物的组合物制造技术

技术编号:10508768 阅读:139 留言:0更新日期:2014-10-08 11:56
本发明专利技术涉及包含如下组分的组合物:(a)式(I)化合物和(b)聚合物材料,式I的具体低聚物及其作为有机半导体在有机器件,尤其是在有机光伏器件(太阳能电池)和光电二极管,或在含有二极管和/或有机场效应晶体管的器件中的用途。在将本发明专利技术组合物或低聚物用于有机场效应晶体管、有机光伏器件(太阳能电池)和光电二极管中时,可观察到高能量转换效率、优异的场效应迁移率、良好的电流开/关比和/或优异稳定性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】二酮基吡咯并吡咯低聚物和包含二酮基吡咯并吡咯低聚物的组合物本专利技术涉及包含(a)式I化合物和(b)聚合物材料,具体而言为式I低聚物的组合物,及其作为有机半导体在有机器件中,尤其是在有机光伏(太阳能电池)和光电二极管中,或在含有二极管和/或有机场效应晶体管的器件中的用途。在将本专利技术组合物或低聚物用于有机场效应晶体管、有机光伏器件(太阳能电池)和光电二极管中时,可观察到高能量转换效率、优异的场效应迁移率、良好的电流开/关比和/或优异稳定性。DPP聚合物的实例及其合成例如描述于US6451459B1、WO05/049695、WO2008/000664、EP2034537A2、EP2075274A1、WO2010/049321、WO2010/049323、WO2010/108873、WO2010/115767、WO2010/136353、WO2010/136352和WO2011/144566。WO05/049695公开了二酮基吡咯并吡咯(DPP)基聚合物及其在PLED、有机集成电路(O-IC)、有机场效应晶体管(OFET)、有机薄膜晶体管(OTFT)、有机太阳能电池(O-SCs)或有机激本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种组合物,包含(a)式(I)的化合物,和(b)聚合物材料,其中p为0或1,q为0或1;A1和A2相互独立地为式的基团,或具有R5的含义;A3、A4和A5相互独立地为式的基团;a为1或2;b为0、1或2;c为0、1或2;k为0、1或2;l为1、2或3;r为0或1;z为0、1或2;R1、R2、R1’、R2’、R1”、R2”、R1*和R2*可相同或不同且选自氢,C1‑C100烷基,其可任选被C1‑C8烷基、C1‑C8烷氧基、卤素、C5‑C12环烷基、硝基、氰基、乙烯基、烯丙基、C6‑C24芳基、C2‑C20杂芳基、甲硅烷基或硅氧烷基取代一次或多次和/或可任选被–O‑、‑S‑、‑NR39‑、‑COO...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2011.09.02 EP 11179840.1;2011.09.02 US 61/530,4191.一种组合物,包含(a)式的化合物,和(b)聚合物材料,其中p为0或1,q为0或1;A1和A2相互独立地为式的基团,或具有R5的含义;A3、A4和A5相互独立地为式的基团;a为1或2;b为0、1或2;c为0、1或2;k为0、1或2;l为1、2或3;r为0或1;z为0、1或2;R1、R2、R1’、R2’、R1”、R2”、R1*和R2*可相同或不同且选自氢,C1-C36烷基、C2-C36链烯基,可任选被–O-、-S-或COO间隔一次或多次的C3-C36炔基,和可任选被C1-C8烷基、C1-C8烷氧基、卤素或氰基取代一次或多次的苯基;R3为氢、氰基、C1-C25烷基、C1-C18烷氧基,或为R5或R6;R5为式的基团;R6为式的基团Ar1、Ar2和Ar3相互独立地为下式的二价基团:Ar4、Ar5、Ar6和Ar7相互独立地为下式的二价基团:X为S、-NR10-、-C(R12)(R13)-或R10为C1-C18烷基;R12和R13相互独立地为氢或C1-C18烷基;R16和R17相互独立地为C1-C25烷基或其中Rx为三(C1-C8烷基)甲硅烷基;R18和R19相互独立地为C1-C18烷基、任选可被C1-C8烷基和/或C1-C8烷氧基取代1-3次的苯基;R20和R21相互独立地为氢、C1-C25烷基或氰基;R30-R35相互独立地为氢、C1-C25烷基或C1-C18烷氧基;R60-R68相互独立地为H、氰基或C1-C25烷基;条件为如果聚合物材料为二酮基吡咯并吡咯(DPP)聚合物,则DPP聚合物的重均分子量和聚合物的重复单元的分子量的商为至少5,其中所述聚合物材料b)选自和含有二酮基吡咯并吡咯(DPP)重复单元的聚合物,其中n’为10-1000。2.根据权利要求1的组合物,其中所述聚合物材料为由式所示的聚合物,其中v为1-5的整数;t为1-3的整数;s为1-3的整数;v、t和s总和等于或小于7,A6、A7和M相互独立地为式的基团,和R101和R102相同且为C1-C36烷基;n为5-1000。3.根据权利要求1或2的组合物,其中式I化合物为下式化合物:其中A1、A2、A3、A4、A5、R1、R2、R1’、R2’、R1”、R2”、R1*和R2*如权利要求1中所定义。4.根据权利要求1-3中任一项的化合物,其中式I化合物为下式化合物:其中A1和A2如权利要求1中所定义,g为1-4的整数,R1、R2、R1*和R2*为C1-C38烷基和Ar5为其中h为1、2或3,其中Ar5、A1和A2如上所定义,R1、R2、R1*和R2*为C1-C38烷基且Ar4和Ar6相互独立地为其中R16、R17、R20、R21、R30、R31和X如权利要求1...

【专利技术属性】
技术研发人员:P·哈约兹N·舍博塔莱瓦Y·H·吉尔茨S·斯塔斯JY·巴朗迪尔
申请(专利权)人:巴斯夫欧洲公司
类型:发明
国别省市:德国;DE

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