一种彩膜基板、液晶显示面板及液晶显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术的实施例提供一种彩膜基板、液晶显示面板及液晶显示装置，涉及显示技术领域，可在低温工作状态下为液晶显示面板提供热量，使其正常显示；所述彩膜基板包括设置在衬底基板上的黑矩阵、彩色滤光层、以及制热层；所述制热层的位置与所述黑矩阵的位置相对应；其中，所述制热层包括相互接触的P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区。用于显示装置的制造。

【技术实现步骤摘要】
一种彩膜基板、液晶显示面板及液晶显示装置
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种彩膜基板、液晶显示面板及液晶显示装置。
技术介绍
液晶显示器(LiquidCrystalDisplay，简称LCD)因其轻薄、无辐射、低功耗等优点而广泛的应用于各个领域；但在极端气候条件下，传统液晶显示器的使用可能会受到影响，例如在极冷或极热的环境中，液晶显示器可能无法正常显示。导致上述现象的主要原因是：现阶段的液晶材料可维持其液晶态的最宽温度在-40℃～100℃，而能够显示的温度仅在-20℃～60℃。液晶材料对于温度的变化十分敏感，在低温环境下，液晶材料的响应速度变慢，响应时间大大延长，从而引起显示画面的严重滞后。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种彩膜基板、液晶显示面板及液晶显示装置，可在低温工作状态下为液晶显示面板提供热量，使其正常显示。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：一方面，提供一种彩膜基板，所述彩膜基板包括设置在衬底基板上的黑矩阵、彩色滤光层、以及制热层；所述制热层的位置与所述黑矩阵的位置相对应；其中，所述制热层包括相互接触的P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区。可选的，所述彩膜基板还包括设置在所述制热层背离所述衬底基板一侧的电磁屏蔽层；其中，所述电磁屏蔽层的材料为透明导电材料，且所述电磁屏蔽层覆盖在整个基板的表面；或者，所述电磁屏蔽层的材料为非透明导电材料，且所述电磁屏蔽层与所述黑矩阵的位置相对应。可选的，所述黑矩阵设置在所述衬底基板上；所述黑矩阵包括纵横交错的第一黑矩阵和第二黑矩阵，且相邻所述第一黑矩阵和相邻所述第二黑矩阵之间限定一个像素单元；其中，所述黑矩阵的材料包括金属导电材料或者绝缘树脂材料；所述制热层设置在所述黑矩阵上；其中，对应于构成每个像素单元的所述第一黑矩阵和所述第二黑矩阵，所述制热层均包括相互接触的P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区；所述彩色滤光层设置在所述制热层上；其中，所述彩色滤光层至少包括红色滤光单元、绿色滤光单元和蓝色滤光单元。优选的，对应于构成每个像素单元的所述第一黑矩阵，相邻所述第一黑矩阵对应的所述制热层分别为P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区；对应于构成每个像素单元的所述第二黑矩阵，每个所述第二黑矩阵对应的所述制热层均由相互接触的P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区构成；或者，对应于构成每个像素单元的所述第一黑矩阵，每个所述第一黑矩阵对应的所述制热层均由相互接触的P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区构成；对应于构成每个像素单元的所述第二黑矩阵，每个所述第二黑矩阵对应的所述制热层均由相互接触的P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区构成。进一步可选的，在所述黑矩阵的材料为金属导电材料的情况下，所述彩膜基板还包括位于所述黑矩阵和所述制热层之间的透明绝缘层。进一步的，所述彩膜基板还包括设置在所述彩色滤光层背离所述衬底基板一侧的平坦层；其中，在所述彩膜基板还包括电磁屏蔽层的情况下，所述电磁屏蔽层设置在所述平坦层背离所述衬底基板的一侧。另一方面，提供一种液晶显示面板，所述液晶显示面板包括对盒成型的阵列基板和彩膜基板，以及位于二者之间的封框胶；其中，所述彩膜基板为上述的彩膜基板。可选的，所述阵列基板上设置有驱动电路；所述彩膜基板的制热层中的P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区分别通过所述封框胶内的金属球或导电胶与所述驱动电路相连；其中，所述阵列基板上还设置有分别用于将所述P型半导体热电材料区和所述N型半导体热电材料区与所述驱动电路相连的引线。进一步可选的，所述液晶显示面板还包括温度感应器和印刷电路板；其中，所述温度感应器设置在所述阵列基板背离所述彩膜基板的一侧，且与所述黑矩阵的位置相对应；所述印刷电路板上还集成有温度控制单元。再一方面，提供一种液晶显示装置，所述液晶显示装置包括上述的液晶显示面板、以及背光模组。本专利技术的实施例提供一种彩膜基板、液晶显示面板及液晶显示装置；所述彩膜基板包括设置在衬底基板上的黑矩阵、彩色滤光层、以及制热层；所述制热层的位置与所述黑矩阵的位置相对应；其中，所述制热层包括相互接触的P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区。基于此，当所述彩膜基板应用于液晶显示面板时，通过在所述彩膜基板的内部设置所述制热层，便可以在低温环境中为所述液晶显示面板提供热量，从而调节所述液晶显示面板中的液晶层的工作温度，使其在低温环境中能够正常显示。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术的实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图一；图2为本专利技术的实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图二；图3为本专利技术的实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图三；图4为本专利技术的实施例提供的一种彩膜基板的结构示意图四；图5为本专利技术的实施例提供的一种液晶显示面板的结构示意图；图6为本专利技术的实施例提供的一种彩膜基板的制备方法流程图一；图7为本专利技术的实施例提供的一种彩膜基板的制备方法流程图二。附图标记：10-彩膜基板；101-黑矩阵；1011-第一黑矩阵；1012-第二黑矩阵；102-彩色滤光层；103-制热层；1031-P型半导体热电材料区；1032-N型半导体热电材料区；104-电磁屏蔽层；20-阵列基板；30-封框胶。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本专利技术的实施例提供一种彩膜基板10，如图1和图2所示，所述彩膜基板10可以包括设置在衬底基板100上的黑矩阵101、彩色滤光层102、以及制热层103；所述制热层103的位置与所述黑矩阵101的位置相对应；其中，所述制热层103可以包括相互接触的P型半导体热电材料区1031和N型半导体热电材料区1032。需要说明的是，第一，本专利技术的实施例对于所述黑矩阵101、所述彩色滤光层102和所述制热层103的相对位置不做具体限定，只需保证所述制热层103的位置与所述黑矩阵101的位置相对应即可。在此基础上，所述制热层103的位置与所述黑矩阵101的位置相对应具体是指，所述黑矩阵101在所述衬底基板100上的投影面积可以完全覆盖所述制热层103在所述衬底基板100上的投影面积；其中，所述黑矩阵101的面积可以大于等于所述制热层103的面积。第二，所述制热层103可以用于在低温环境下为液晶显示面板提供热量，其可以由相互接触的所述P型半导体热电材料区1031和所述N型半导体热电材料区1032构成；在此基础上，本领域技术人员应该清楚，与所述制热层103直接接触的膜层需要具有绝缘性。第三，所述P型半导体热电材料区1031与所述N型半导体热电材料区1032之间相互接触的方式具体可以包括：所述P型半导体热电材料区1031和所述N型半导体热电材料区1032同层设置，且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板包括设置在衬底基板上的黑矩阵、彩色滤光层、以及制热层；所述制热层的位置与所述黑矩阵的位置相对应；其中，所述制热层包括相互接触的P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区。

【技术特征摘要】
1.一种彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板包括设置在衬底基板上的黑矩阵、彩色滤光层、以及制热层；所述制热层的位置与所述黑矩阵的位置相对应，具体是指，黑矩阵在衬底基板上的投影面积完全覆盖制热层在衬底基板上的投影面积，其中，黑矩阵的面积大于等于制热层的面积；其中，所述制热层包括相互接触的P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区；所述P型半导体热电材料区与所述N型半导体热电材料区之间相互接触具体为：所述P型半导体热电材料区和所述N型半导体热电材料区同层设置，且所述P型半导体热电材料区的端部与所述N型半导体热电材料区的端部相接触。2.根据权利要求1所述的彩膜基板，其特征在于，所述彩膜基板还包括设置在所述制热层背离所述衬底基板一侧的电磁屏蔽层；其中，所述电磁屏蔽层的材料为透明导电材料，且所述电磁屏蔽层覆盖在整个基板的表面；或者，所述电磁屏蔽层的材料为非透明导电材料，且所述电磁屏蔽层与所述黑矩阵的位置相对应。3.根据权利要求1或2所述的彩膜基板，其特征在于，所述黑矩阵设置在所述衬底基板上；所述黑矩阵包括纵横交错的第一黑矩阵和第二黑矩阵，且相邻所述第一黑矩阵和相邻所述第二黑矩阵之间限定一个像素单元；其中，所述黑矩阵的材料包括金属导电材料或者绝缘树脂材料；所述制热层设置在所述黑矩阵上；其中，对应于构成每个像素单元的所述第一黑矩阵和所述第二黑矩阵，所述制热层均包括相互接触的P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区；所述彩色滤光层设置在所述制热层上；其中，所述彩色滤光层至少包括红色滤光单元、绿色滤光单元和蓝色滤光单元。4.根据权利要求3所述的彩膜基板，其特征在于，对应于构成每个像素单元的所述第一黑矩阵，相邻所述第一黑矩阵对应的所述制热层分别为P型半导体热电材料区和N型半导体热电材料区；对应于构成每个像素单元的所述第二黑矩阵，每个所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：程凌志，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11