包括用于保持物体的支撑件的光刻装置、以及用于在光刻装置中使用的支撑件制造方法及图纸

一种光刻装置具有支撑件(S)，支撑件设置有用于保持物体(W)的突节(BR)。支撑件已经采用光刻制造方法制造，例如MEMS技术，以便于形成其取向或位置为单独电可控的突节。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】包括用于保持物体的支撑件的光刻装置、以及用于在光刻 装置中使用的支撑件 相关申请的夺叉引用 本申请要求享有于2012年1月30体提交的美国临时申请61/592, 243的优先权， 并且该美国临时申请通过整体引用并入本文。
本专利技术涉及一种包括用于保持物体的支撑件的光刻装置，以及涉及一种被配置用 于在光刻装置中使用的支撑件。
技术介绍
光刻装置是将所需图案应用至衬底上、通常应用至衬底的目标部分上的机器。光 刻装置可以例如用于制造集成电路（1C)。在这种情况中，备选地被称作掩模或者掩模版的 图案形成装置可以用来产生将要形成在1C的单独的层上的电路图案。该图案可以被传递 至衬底（例如硅晶片）上的目标部分（例如包括一个或若干管芯的一部分）上。图案的传 递通常经由向设置在衬底上的辐射敏感材料（抗蚀剂）上成像来实现。通常，单个衬底将 包含相继被图案化的相邻目标部分的网络。传统的光刻装置包括所谓的步进器和所谓的扫 描器，在步进器中通过将整个图案立刻曝光到目标部分上而辐射每个目标部分，在扫描器 中通过经由在给定方向（扫描方向）上的辐射束扫描图案而同时平行于或者反平行于 该方向同步扫描衬底来辐射每个目标部分。也有可能通过将图像压印在衬底上而将图案从 图案形成装置传递至衬底。 光刻装置可以具有支撑件以用于以严格的平整度要求来支撑诸如衬底或掩模之 类的物体。温度改变、物体的形变、支撑件和/或物体的污染、支撑件的磨损可能对平整度 要求具有有害效果。
技术实现思路
希望的是提供一种用于光刻装置中的物体的支撑件，该支撑件以充分的平整度支 撑物体。 本专利技术的实施例涉及一种光刻装置，其包括用于保持物体的支撑件。支撑件具有 第一部分，第一部分具有当支撑件保持物体时面向物体的第一上部主表面。支撑件具有第 二部分，第二部分具有面向第一部分的第一底部主表面的第二上部主表面。第二上部主表 面和第一底部主表面借由多个分立的支撑壁而相互间隔开。支撑件具有从第一上部主表面 延伸的多个突节。多个突节中的第一突节具有第一顶表面，第一顶表面操作用于当支撑件 保持物体时接触物体。多个突节中的第二突节具有第二顶表面，第二顶表面操作用于当支 撑件保持物体时接触物体。第一顶表面具有相对于第二上部主表面的第一位置，并且具有 相对于第二主表面的第一取向。第二顶表面具有相对于第二上部主表面的第二位置，并且 具有相对于第二上部主表面的第二取向。光刻装置包括控制器，控制器被配置用于以下项 中的至少一项：当支撑件保持物体时相互独立地控制第一位置和第二位置；以及当支撑件 保持物体时相互独立地控制第一取向和第二取向。 在另一实施例中，第一下部主表面容纳第一突节下方的第一电极，并且第二上部 主表面容纳面向第一电极的第二电极。控制器操作用于经由控制第一电极和第二电极之间 的电容性力来控制第一位置和第一取向中的至少一个。 在另一实施例中，第二电极包括多个电隔离部分，并且控制器操作用于经由控制 多个电隔离部分中的相应电隔离部分与第一电极之间的电容性力的相应分量来控制第一 位置和第一取向中的至少一个。 在另一实施例中，第一部分容纳传感器，传感器被配置用于感测第一位置的第一 改变和第一取向的第二改变中的至少一个，以及用于提供表示第一改变和第二改变中的至 少一个的传感器输出信号。控制器操作用于取决于传感器输出信号来控制第一位置和第一 取向中的至少一个。 在另一实施例中，第二上部主表面容纳停止件，停止件被配置用于限制第一位置 的第一改变和第二位置的第二改变中的至少一个。 在另一实施例中，第一上部主表面容纳加热器和温度传感器中的至少一个，加热 器操作用于局部产生热量，温度传感器操作用于感测支撑件和物体中的至少一个的局部温 度。 在另一实施例中，支撑件采用光刻制造方法制造。 本专利技术也涉及一种被配置用于在如上所述的光刻装置中使用的支撑件。支撑件可 以已经采用光刻制造方法制造。合适的光刻制造技术的示例是用于制造集成电子电路装置 所采用的技术，也即半导体器件制造技术。在此需要注意的是，这种光刻制造技术正用于制 造微机电系统（MEMS)。 【附图说明】 将仅借由示例的方式，参考所附示意性附图来描述本专利技术的实施例，其中对应的 附图标记指示对应的部件，并且其中： 图1示出了根据本专利技术的实施例的光刻装置； 图2示出了根据实施例的用于在图1的光刻装置中使用的支撑件；以及 图3示出了根据另一实施例的用于在图1的光刻装置中使用的支撑件。 【具体实施方式】 图1示意性地示出了根据本专利技术的一个实施例的光刻装置。该装置包括：被配置 用于调整辐射束B(例如UV辐射或任何其它合适的辐射）的照明系统（照明器）IL、被构造 用于支撑图案形成装置（例如掩模）Μ并且连接至被配置用于根据特定参数精确地定位图 案形成装置的第一定位装置ΡΜ的掩模支撑结构（例如掩模台）ΜΤ。该装置也包括被构造用 于保持衬底（例如涂覆抗蚀剂的晶片）W并且连接至被配置用于根据特定参数精确地定位 的第二定位装置PW的衬底台（例如晶片台）WT或衬底支撑件。该装置进一步包括被配 置用于将通过图案形成装置MA被赋予至辐射束B的图案投影到衬底W的目标部分C (例如 包括一个或多个管芯）上的投影系统（例如折射投影透镜系统）PS。 照明系统可以包括各种类型的光学部件，诸如折射、反射、磁性、电磁、静电或其它 类型的光学部件，或者其任意组合，以用于引导、成形或者控制辐射。 掩模支撑结构支撑图案形成装置，例如承载其重量。其以取决于图案形成装置的 取向、光刻装置的设计以及其它条件的方式保持图案形成装置，该其它条件诸如例如图案 形成装置是否被保持在真空环境中。掩模支撑结构可以使用机械、真空、静电或其它夹持技 术来保持图案形成装置。掩模支撑结构可以是框架或者台，例如其可以是固定的或者根据 需要而可移动。掩模支撑结构可以确保图案形成装置处于所需位置处，例如相对于投影系 统。在本文中对于术语掩模版或者掩模的任何使用可以视作与更通用术语图案形 成装置相同含义。 在本文中使用的术语图案形成装置应该广义地解释为涉及可以用于赋予辐射 束以截面中的图案以便于在衬底的目标部分中形成图案的任何装置。应该注意的是，被赋 予至辐射束的图案可以并非精确地对应于衬底的目标部分中的所需图案，例如如果图案包 括相移特征或者所谓的辅助特征。通常，被赋予至辐射束的图案将对应于在目标位置中正 在形成的装置（诸如集成电路）中的特定功能层。 图案形成装置可以是透射式或者反射式的。图案形成装置的示例包括掩模、可编 程反射镜阵列、以及可编程LCD面板。掩模在光刻中是已知的，并且包括诸如二元掩模类 型、交替型相移掩模类型和衰减相移掩模类型，以及各种混合掩模类型。可编程反射镜阵列 的示例采用了小反射镜的矩阵布置，每一个小反射镜可以单独地倾斜以便于在不同方向上 反射入射的辐射束。倾斜的反射镜在辐射束中赋予了由反射镜矩阵反射的图案。 在本文中使用的术语投影系统应该广义地解释为涵盖任何类型投影系统，包括 折射、反射、反射折射、磁性、电磁和静电光学系统，或者其任意组合，针对正在使用的曝光 辐射或者针对其它因素（诸如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光刻装置，包括用于保持物体的支撑件，其中：所述支撑件具有第一部分，所述第一部分具有当所述支撑件保持所述物体时面向所述物体的第一上部主表面；所述支撑件具有第二部分，所述第二部分具有面向所述第一部分的第一底部主表面的第二上部主表面；所述第二上部主表面和所述第一底部主表面借由多个分立的支撑壁而相互间隔开；所述支撑件具有从所述第一上部主表面延伸的多个突节；所述多个突节中的第一突节具有操作用于当所述支撑件保持所述物体时接触所述物体的第一顶表面；所述多个突节中的第二突节具有操作用于当所述支撑件保持所述物体时接触所述物体的第二顶表面；所述第一顶表面具有相对于所述第二上部主表面的第一位置，并且具有相对于所述第二主表面的第一取向；所述第二顶表面具有相对于所述第二上部主表面的第二位置，并且具有相对于所述第二上部主表面的第二取向；所述光刻装置包括控制器，所述控制器被配置用于以下项中的至少一项：当所述支撑件保持所述物体时，相互独立地控制所述第一位置和所述第二位置；以及当所述支撑件保持所述物体时，相互独立地控制所述第一取向和所述第二取向。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.02.06 US 61/595,3621. 一种光刻装置，包括用于保持物体的支撑件，其中： 所述支撑件具有第一部分，所述第一部分具有当所述支撑件保持所述物体时面向所述 物体的第一上部主表面； 所述支撑件具有第二部分，所述第二部分具有面向所述第一部分的第一底部主表面的 第二上部主表面； 所述第二上部主表面和所述第一底部主表面借由多个分立的支撑壁而相互间隔开； 所述支撑件具有从所述第一上部主表面延伸的多个突节； 所述多个突节中的第一突节具有操作用于当所述支撑件保持所述物体时接触所述物 体的第一顶表面； 所述多个突节中的第二突节具有操作用于当所述支撑件保持所述物体时接触所述物 体的第二顶表面； 所述第一顶表面具有相对于所述第二上部主表面的第一位置，并且具有相对于所述第 二主表面的第一取向； 所述第二顶表面具有相对于所述第二上部主表面的第二位置，并且具有相对于所述第 二上部主表面的第二取向； 所述光刻装置包括控制器，所述控制器被配置用于以下项中的至少一项： 当所述支撑件保持所述物体时，相互独立地控制所述第一位置和所述第二位置；以及 当所述支撑件保持所述物体时，相互独立地控制所述第一取向和所述第二取向。2. 根据权利要求1所述的光刻装置，其中： 所述第一下部主表面容纳在所述第一突节下方的第一电极； 所述第二上部主表面容纳面向所述第一电极的第二电极； 所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：T·P·M·凯德，V·Y·巴宁，K·J·J·M·扎尔，R·巴迪，H·辛格，
申请(专利权)人：ASML荷兰有限公司，
类型：发明
国别省市：荷兰;NL