像素电路、有机发光显示面板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术实施例提供了一种像素电路、有机发光显示面板及显示装置，通过设置用于在充电阶段，控制存储电容第一端的电位为第二电平信号输入端输入信号的电位，控制存储电容第二端的电位为第一电平信号输入端输入信号的电位和驱动薄膜晶体管阈值电压之间差值的充电单元；用于在所述充电阶段之后的补偿跳变阶段，控制存储电容第一端的电位为数据电压，使存储电容第二端电压跳变为数据电压，与所述第一电平信号输入端输入信号的电位和驱动薄膜晶体管阈值电压之间差值的和，以便发光单元在补偿跳变阶段之后的发光阶段，利用所述数据电压进行发光的补偿跳变单元。从而改善有机发光显示面板亮度的均匀性，提高显示装置的图像显示效果。

【技术实现步骤摘要】
像素电路、有机发光显示面板及显示装置
本技术涉及显示
，具体涉及一种像素电路、有机发光显示面板及显示装置。
技术介绍
有机发光显示器(AMOLED)是当今平板显示器研究领域的热点之一，与液晶显示器相比，有机发光二极管(OLED)具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点，目前，在手机、PDA、数码相机等显示领域OLED已经开始取代传统的IXD显示屏。像素驱动电路设计是AMOLED显示器核心
技术实现思路
，具有重要的研究意义。 与TFT-LCD利用稳定的电压控制亮度不同，OLED属于电流驱动，需要稳定的电流来控制发光。在原始的AMLOED两管像素单元电路(2T1C)，如附图1所示，该电路只有I个驱动薄膜晶体管(TFT)，一个开关薄膜晶体管TFT和一个存储电容Cs组成，当扫描线选择某一行时，Vs_为低，开关薄膜晶体管即Tl导通，数据电压Vdata写入存储电容Cs，当该行扫描结束后，Vs_变高，Tl关断，存储在Cs上的栅极电压驱动T2即驱动薄膜晶体管，使其产生电流来驱动0LED，保证OLED在一帧内持续发光，驱动薄膜晶体管饱和电流公式为I_D =K (Ves-Vth)2。 由于工艺制程和器件老化等原因，各像素点的驱动薄膜晶体管的阈值电压(Vth)会漂移，这样就导致了流过每个像素点OLED的电流因阈值电压的变化而变化，使得显示亮度不均，从而影响整个图像的显示效果。
技术实现思路
本技术提供一种像素电路、有机发光显示面板及显示装置，可以消除驱动薄膜晶体管的阈值电压对发光驱动电流的影响，从而改善有机发光显示面板亮度的均匀性，提高显示装置的图像显示效果。 本技术提供方案如下: 本技术实施例提供了一种像素电路，包括存储电容、驱动薄膜晶体管以及发光单元，其中，驱动薄膜晶体管源极连接第一电平信号输入端，驱动薄膜晶体管栅极连接存储电容的第二端，驱动薄膜晶体管漏极连接发光单元； 所述像素电路还包括: 用于在充电阶段，控制存储电容第一端的电位为第二电平信号输入端输入信号的电位，控制存储电容第二端的电位为第一电平信号输入端输入信号的电位和驱动薄膜晶体管阈值电压之间差值的充电单元； 用于在所述充电阶段之后的补偿跳变阶段，控制存储电容第一端的电位为数据电压，使存储电容第二端电压跳变为数据电压，与所述第一电平信号输入端输入信号的电位和驱动薄膜晶体管阈值电压之间差值的和，以便发光单元在补偿跳变阶段之后的发光阶段，利用所述数据电压进行发光的补偿跳变单元。 优选的,所述充电单兀,分别与与第二电平信号输入端、第一扫描信号输入端、驱动薄膜晶体管的漏极、存储电容的第一端和第二端连接。 优选的,所述充电单元包括: 第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中: 第一薄膜晶体管的源极与所述第二电平信号输入端连接，第一薄膜晶体管的栅极与第一扫描信号输入端连接，第一薄膜晶体管的漏极与存储电容第一端连接； 第二薄膜晶体管的源极与驱动薄膜晶体管的漏极连接，第二薄膜晶体管的栅极与第一扫描信号输入端连接，第二薄膜晶体管的漏极与存储电容第二端连接。 优选的，所述补偿跳变单元，分别与数据线、第二扫描信号输入端以及存储电容的第一端连接。 优选的，所述补偿跳变单元包括: 第三薄膜晶体管； 第三薄膜晶体管的源极与数据线连接，第三薄膜晶体管的栅极与第二扫描信号输入端连接，第三薄膜晶体管的漏极与存储电容第一端连接。 优选的，所述像素电路还包括: 用于在充电阶段之前的重置阶段，控制存储电容第二端电位为第二电平信号输入端输入信号的电位的重置单元； 重置单元分别与第二电平信号输入端、第三扫描信号输入端以及存储电容第二端连接。 优选的，所述重置单元包括: 第四薄膜晶体管； 第四薄膜晶体管的源极与第二电平信号输入端连接，第四薄膜晶体管的栅极与第三扫描信号输入端连接，第四薄膜晶体管的漏极与存储电容第二端连接。 优选的，所述像素电路还包括: 用于在充电阶段将第一电平信号输入端输入的信号传输至驱动薄膜晶体管，以使所述信号经过驱动薄膜晶体管传输至充电单元，以及在发光阶段将第一电平信号输入端输入的信号传输至驱动薄膜晶体管，以使所述信号经过驱动薄膜晶体管传输至发光单元的控制单兀； 控制单元分别与第一电平信号输入端、控制信号输入端以及驱动薄膜晶体管连接。 优选的，所述控制单元包括: 第五薄膜晶体管； 第五薄膜晶体管的源极与第一电平信号输入端连接，第五薄膜晶体管的栅极与控制信号输入端连接，第五薄膜晶体管的漏极与驱动薄膜晶体管的源极连接。 优选的，所述发光单元包括: 第六薄膜晶体管以及有机发光二极管；其中: 第六薄膜晶体管的源极分别与驱动薄膜晶体管的漏极连接，第六薄膜晶体管的栅极与第二扫描信号输入端连接，第六薄膜晶体管的漏极与有机发光二极管的阳极连接； 有机发光二极管的阴极与第二电平信号输入端连接。 优选的，所述薄膜晶体管为P型薄膜晶体管； 第一电平信号输入端输入的信号为高电平信号； 第二电平信号输入端输入的信号为低电平信号。 本技术实施例还提供了一种有机发光显示面板，包括上述本技术实施例提供的像素电路。 本技术实施例还提供了一种显示装置，包括上述本技术实施例提供的有机发光显示面板。 从以上所述可以看出，本技术实施例提供的像素电路、有机发光显示面板及显示装置，通过设置用于在充电阶段，控制存储电容第一端的电位为第二电平信号输入端输入信号的电位，控制存储电容第二端的电位为第一电平信号输入端输入信号的电位和驱动薄膜晶体管阈值电压之间差值的充电单元；用于在所述充电阶段之后的补偿跳变阶段，控制存储电容第一端的电位为数据电压，使存储电容第二端电压跳变为数据电压，与所述第一电平信号输入端输入信号的电位和驱动薄膜晶体管阈值电压之间差值的和，以便发光单元在补偿跳变阶段之后的发光阶段，利用所述数据电压进行发光的补偿跳变单元。可以消除驱动薄膜晶体管的阈值电压对发光驱动电流的影响，从而改善有机发光显示面板亮度的均匀性，提高显示装置的图像显示效果。 【附图说明】 图1为现有技术示意图。 图2为本技术实施例提供的像素电路示意图一； 图3为本技术实施例提供的像素电路示意图二 ； 图4为本技术实施例提供的像素电路示意图三； 图5为本技术实施例提供的像素电路示意图四； 图6为本技术实施例提供的像素电路示意图五； 图7为本技术实施例提供的像素电路示意图六； 图8为本技术实施例提供的像素电路示意图七； 图9为本技术实施例提供的像素驱动方法流程示意图； 图10为本技术实施例提供的信号时序示意图； 图11为本技术实施例提供的像素电路状态示意图一； 图12为本技术实施例提供的像素电路状态示意图二 ； 图13为本技术实施例提供的像素电路状态示意图三； 图14为本技术实施例提供的像素电路状态示意图四。 【具体实施方式】 为使本技术实施例的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合本技术实施例的附图，对本技术实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电路，包括存储电容、驱动薄膜晶体管以及发光单元，其中，驱动薄膜晶体管源极连接第一电平信号输入端，驱动薄膜晶体管栅极连接存储电容的第二端，驱动薄膜晶体管漏极连接发光单元； 其特征在于，所述像素电路还包括： 用于在充电阶段，控制存储电容第一端的电位为第二电平信号输入端输入信号的电位，控制存储电容第二端的电位为第一电平信号输入端输入信号的电位和驱动薄膜晶体管阈值电压之间差值的充电单元； 用于在所述充电阶段之后的补偿跳变阶段，控制存储电容第一端的电位为数据电压，使存储电容第二端电压跳变为数据电压，与所述第一电平信号输入端输入信号的电位和驱动薄膜晶体管阈值电压之间差值的和，以便发光单元在补偿跳变阶段之后的发光阶段，利用所述数据电压进行发光的补偿跳变单元。

【技术特征摘要】
1.一种像素电路，包括存储电容、驱动薄膜晶体管以及发光单元，其中，驱动薄膜晶体管源极连接第一电平信号输入端，驱动薄膜晶体管栅极连接存储电容的第二端，驱动薄膜晶体管漏极连接发光单元； 其特征在于，所述像素电路还包括: 用于在充电阶段，控制存储电容第一端的电位为第二电平信号输入端输入信号的电位，控制存储电容第二端的电位为第一电平信号输入端输入信号的电位和驱动薄膜晶体管阈值电压之间差值的充电单元； 用于在所述充电阶段之后的补偿跳变阶段，控制存储电容第一端的电位为数据电压，使存储电容第二端电压跳变为数据电压，与所述第一电平信号输入端输入信号的电位和驱动薄膜晶体管阈值电压之间差值的和，以便发光单元在补偿跳变阶段之后的发光阶段，利用所述数据电压进行发光的补偿跳变单元。2.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述充电单元，分别与第二电平信号输入端、第一扫描信号输入端、驱动薄膜晶体管的漏极、存储电容的第一端和第二端连接。3.如权利要求2所述的像素电路，其特征在于，所述充电单元包括: 第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管；其中: 第一薄膜晶体管的源极与所述第二电平信号输入端连接，第一薄膜晶体管的栅极与第一扫描信号输入端连 接，第一薄膜晶体管的漏极与存储电容第一端连接； 第二薄膜晶体管的源极与驱动薄膜晶体管的漏极连接，第二薄膜晶体管的栅极与第一扫描信号输入端连接，第二薄膜晶体管的漏极与存储电容第二端连接。4.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，所述补偿跳变单元，分别与数据线、第二扫描信号输入端以及存储电容的第一端连接。5.如权利要求4所述的像素电路，其特征在于，所述补偿跳变单元包括: 第三薄膜晶体管； 第三薄膜晶体管的源极与数据线连接，第三薄膜晶体管的栅极与第二扫描信号输入端连接，第三薄膜晶体管的漏极与存储电容第一端连接。6.如权利要求1所述的像素电路，其特征在于，还包括: 用于在充电阶段...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨盛际，董学，王海生，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：北京;11