像素电路、有机发光显示面板及显示装置制造方法及图纸

技术编号:10501035 阅读:117 留言:0更新日期:2014-10-04 17:36
本实用新型专利技术提供了一种像素电路、有机发光显示面板及显示装置,该像素电路包括:显示驱动模块,用于在一时间周期内,在第一扫描线输入的第一扫描信号、第二扫描线输入的第二扫描信号、控制线输入的控制信号的控制下,利用数据线输入的数据信号和第二信号源输入的第二信号进行驱动晶体管阈值电压补偿处理,使得在所述时间周期的第三阶段,有机发光二极管的发光驱动信号与驱动晶体管阈值电压无关;电容触控侦测模块,用于在所述时间周期内,在第一扫描信号、控制信号的控制下,侦测触摸屏的触摸信号。从而提高显示装置的图像显示效果,实现显示驱动和触控侦测的高效整合。(*该技术在2024年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】
像素电路、有机发光显示面板及显示装置
本技术涉及显示
,具体涉及一种像素电路、有机发光显示面板及显示装置。
技术介绍
有机发光显示器(AMOLED)是当今平板显示器研究领域的热点之一,与液晶显示器相比,有机发光二极管(OLED)具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点,目前,在手机、PDA、数码相机等显示领域OLED已经开始取代传统的液晶显示屏(IXD)。像素驱动电路设计是AMOLED显示器核心
技术实现思路
,具有重要的研究意义。 与TFT-LCD利用稳定的电压控制亮度不同,OLED属于电流驱动,需要稳定的电流来控制发光。由于工艺制程和器件老化等原因,各像素点的驱动薄膜晶体管的阈值电压(Vth)会漂移,这样就导致了流过每个像素点OLED的电流因阈值电压的变化而变化,使得显示亮度不均,从而影响整个图像的显示效果。 目前触控内置(In cell touch)技术已经应用的IXD显示器上,较为常用的包括电容式触控内置技术,而目前电容式触控内置技术最难解决的技术问题就是信号干扰问题,即触控电极与LCD工作时各自所需的电极之间有相当大的寄生电容,本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种像素电路,包括第一存储电容、驱动晶体管以及有机发光二极管,所述驱动晶体管的栅极与第一存储电容第二端连接;其特征在于,所述像素电路还包括:显示驱动模块,分别与第一扫描线、第二扫描线、控制线、数据线、第一信号源、第二信号源连接,用于在一时间周期内,在第一扫描线输入的第一扫描信号、第二扫描线输入的第二扫描信号、控制线输入的控制信号的控制下,利用数据线输入的数据信号和第二信号源输入的第二信号进行驱动晶体管阈值电压补偿处理,使得在所述时间周期的第三阶段,有机发光二极管的发光驱动信号与驱动晶体管阈值电压无关;电容触控侦测模块,分别与第一扫描线、控制线、数据线、第三信号源、信号读取线连接,用于在所述时间...

【技术特征摘要】
1.一种像素电路,包括第一存储电容、驱动晶体管以及有机发光二极管,所述驱动晶体管的栅极与第一存储电容第二端连接; 其特征在于,所述像素电路还包括: 显示驱动模块,分别与第一扫描线、第二扫描线、控制线、数据线、第一信号源、第二信号源连接,用于在一时间周期内,在第一扫描线输入的第一扫描信号、第二扫描线输入的第二扫描信号、控制线输入的控制信号的控制下,利用数据线输入的数据信号和第二信号源输入的第二信号进行驱动晶体管阈值电压补偿处理,使得在所述时间周期的第三阶段,有机发光二极管的发光驱动信号与驱动晶体管阈值电压无关; 电容触控侦测模块,分别与第一扫描线、控制线、数据线、第三信号源、信号读取线连接,用于在所述时间周期内,在第一扫描信号、控制信号的控制下,侦测触摸屏的触摸信号。2.如权利要求1所述的像素电路,其特征在于,所述显示驱动模块包括: 重置单元,分别与第一信号源、控制线和第一存储电容第一端连接,用于在所述时间周期的第一阶段,将第一存储电容第一端的电位重置为第一信号的电位; 第一充电单元,分别与第一扫描线、数据线、驱动晶体管、第一存储电容第二端连接,用于在所述时间周期的第二阶段,将第一存储电容第二端的电位充电至数据信号的电位与驱动晶体管阈值电压的差值; 补偿驱动单元,分别与第二扫描线、数据线、第二信号源、第一存储电容第一端、驱动晶体管连接,用于在所述时间周期的第三阶段,控制第一存储电容第一端的电位为数据信号的电位,使第一存储电容第二端的电位跳变为2倍数据信号的电位,与驱动晶体管阈值电压的差值,以便基于第二信号和数据信号确定有机发光二极管的发光驱动信号,并利用所述发光驱动信号驱动有机发光二极管发光。3.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述重置单元包括: 第一薄膜晶体管; 第一薄膜晶体管的源极与第一信号源连接,第一薄膜晶体管的栅极与控制线连接,第一薄膜晶体管的漏极与第一存储电容第一端连接。4.如权利要求2所述的像素电路,其特征在于,所述第一充电单元包括: 第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管,其中: 第二薄膜晶体管的源极与数据线连接,第二薄膜晶体管的栅极与第一扫描线连接,第二薄膜晶体管的漏极与驱动晶体管的源极连接; 第三薄膜晶体管的源极与驱动晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员:杨盛际
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司北京京东方光电科技有限公司
类型:新型
国别省市:北京;11

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