【技术实现步骤摘要】
超声波换能器装置及其制造方法、探测器、电子设备
本专利技术涉及超声波换能器装置以及利用其的探测器、电子设备以及超声波图像装置等。
技术介绍
通常已知超声波换能器装置。例如，在专利文献I中所述的超声波换能器装置中多个振动膜配置为阵列状。下部电极形成于振动膜上。配线连接下部电极。下部电极以及配线被压电膜覆盖。上部电极形成于压电膜上。 期望压电膜在每个振动膜间隔开。例如代替在专利文献I中所述的整个压电膜而在每个振动膜都形成压电元件。此时，按照通常的方法，从整个原材料膜通过蚀刻处理形成压电元件用的压电体。配线暴露于蚀刻处理。配线的膜厚减少。并且形成上部电极时配线暴露于蚀刻处理。通过这样的膜厚减少，配线的电阻增高。 现行技术文献 专利文献 专利文献1:日本专利特开2005-51688号公报
技术实现思路
根据本专利技术至少一个方式能够提供一种在每个振动膜都具有压电体膜同时回避配线电阻的上升的超声波换能器装置。 (I)本专利技术的一个方式涉及一种超声波换能器装置，该超声波换能器装置具备:基体，其阵列状地配置有多个振动膜；第一电极膜，其形...
【技术保护点】
一种超声波换能器装置，其特征在于，具备：基体，其阵列状地配置有多个振动膜；第一电极膜，其形成于所述振动膜上；压电体膜，其形成于所述第一电极膜上；第二电极膜，其形成于所述压电体膜上；以及第一导电膜，其以比所述第一电极膜的膜厚大的膜厚形成且与所述第一电极膜连接。
【技术特征摘要】
2013.03.29 JP 2013-0715821.一种超声波换能器装置，其特征在于，具备: 基体，其阵列状地配置有多个振动膜； 第一电极膜，其形成于所述振动膜上； 压电体膜，其形成于所述第一电极膜上； 第二电极膜，其形成于所述压电体膜上；以及 第一导电膜，其以比所述第一电极膜的膜厚大的膜厚形成且与所述第一电极膜连接。2.根据权利要求1所述的超声波换能器装置，其特征在于，该超声波换能器装置具备以与所述第二电极膜隔离且与所述第一导电膜连接、覆盖所述压电体膜的至少一部分的方式形成的第二导电膜。3.根据权利要求1或2所述的超声波换能器装置，在特征在于，在所述压电体膜上，在所述第二电极膜和所述第二导电膜之间形成有绝缘膜。4.根据权利要求1~3中任一项所述的超声波换能器装置，其特征在于，所述第二电极膜的膜厚与所述第二导电膜的膜厚相等。5.根据权利要求2所述的超声波换能器装置，其特征在于， 在从所述基体的厚 度方向看的俯视观察中，所述第一导电膜具有形成于所述第一电极膜和所述振动膜的第一方向端部之间的第一方向导电体部以及形成于所述第一电极膜和所述振动膜的与所述第一方向端部隔着所述第一电极膜的另一侧的第二方向端部之间的第二方向导电体部， 所述第二导电膜具有与所述第一方向导电体部连接并在所述压电体膜上与所述第二电极膜隔离的第一上层导电体部、以及与所述第二方向导电体部连接并在所述压电体膜上与所述第二电极膜隔离的第二上层导电体部， 在...
【专利技术属性】
技术研发人员：清濑摄内，铃木博则，松田洋史，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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