本发明专利技术提供一种可高速推定半导体发光元件的发光总量的半导体发光元件用的发光量推定装置。LED(101)用的发光量推定装置(3)具有接收LED(101)发射的光的光电探测器(105)、可改变光电探测器(105)所接收的LED(101)发射的光的范围的受光范围变更机构、以及运算部(151)。运算部(151)通过受光范围变更机构在不同的多个受光范围内对一个LED(101)进行测定，从而推定LED(101)的发光量。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种通过测定来自LED等半导体发光元件的光可推定其发光总量的。
技术介绍
专利文献I及专利文献2中公开了为测定与发光中心轴所成的角度所对应的光的强度即配光强度的分布(配光强度分布)，每次测定一个地方的技术。 此外，专利文献3中公开了为测定配光强度分布，同时测定多个地方的技术。 并且，专利文献4中公开了测定发光总量的技术。 现有技术文献 专利文献 【专利文献I】日本专利文献特开平5-107107号公报 【专利文献2】日本专利文献特开平8-114498号公报 【专利文献3】日本专利文献特开2005-172665号公报 【专利文献4】日本专利文献特开2008-76126号公报
技术实现思路
专利技术要解决的问题 然而,在专利文献I~专利文献3所记载的任一方法中，存在着为测定发光总量而必须测定非常多个点的配光强度的不利之处。 并且，在专利文献4中，虽然能够测定发光总量，但也存在着只能一个一个测定半导体发光元件的不利之处。 本专利技术是为了解决上述问题而完成的，其中一个目的在于提供一种可以高速推定半导体发光元件的发光总量的。 解决问题的手段 本专利技术的半导体发光元件用的发光量推定装置具有:受光部，其接收半导体发光元件发射的光；受光范围变更机构，其可改变所述受光部所接收的所述半导体发光元件发射的光的范围；以及运算部。所述运算部通过所述受光范围变更机构在不同的多个受光范围内对一个所述半导体发光元件进行测定，从而推定所述半导体发光元件的发光量。 本专利技术的半导体发光元件用的发光量推定方法包括以下步骤:第一步骤，接收半导体发光元件所发射的光，测定第一总受光量；第二步骤，改变接收所述半导体发光元件所发射的光的范围，测定第二总受光量；第三步骤，重复进行所述第一步骤和所述第二步骤；以及第四步骤，从所述第三步骤测定的多个不同的受光范围内的总受光量而推定所述半导体发光元件的发光量。 【附图说明】 图1是本专利技术的第一实施方式中LED的发光状况的说明图。 图2是关于配光强度分布E的说明图。 图3是从配光强度Ε( Θ )(配光强度分布E)求出发光总量的方法的第一说明图。 图4是从配光强度Ε( Θ )(配光强度分布E)求出发光总量的方法的第二说明图。 图5是从配光强度Ε( Θ )(配光强度分布E)求出发光总量的方法的第三说明图。 图6是第一实施方式中用于进行LED检查的发光元件用的发光量推定装置3的受光模块I的说明图。 图7是半导体发光元件用的发光量推定装置的示意说明图。 图8是测定作为推测总受光量S( Θ )的来源的测定值的方法的说明图。 图9是用于从三个测定点求出S(90° )的方法的说明图。 图10是计算出推定总受光量Sc (90° )的方法的流程图。 图11是采用以上方法时的误差的说明图。 图12是除去邻接LED的影响的说明图。 图13是除去邻接LED的影响的流程图。 图14是采用以上除去邻接LED的影响的方法时的误差的说明图。 图15是推测总受光量S( Θ )的第二方法的说明图。 图16是推测总受光量S( Θ )的第二方法的流程图。 【具体实施方式】 <第一实施方式> 以下，使用图1详细说明本专利技术的第一实施方式。 图1是本专利技术的第一实施方式中LEDlOl的发光状况的说明图。 如图1(a)所示，LED(Light Emitting D1de) 101是从发光面1011发出光的。将此LEDlOl的发光面1011的法线称为发光中心轴LCA。此外，将包含发光面1011的平面上的一方向当作基准轴(X轴)时，从该平面上的X轴逆时针旋转的角度定义为Φ。 另外，在将Φ固定的情况下，将与发光中心轴LCA所成的角度定义为Θ。 从LEDlOl的发光面1011发射的光的强度会因与发光中心轴LCA所成的角度Θ等而不同(参照图2)。 然而，存在以更高速度获取LEDlOl的发光总量的需要。在此，所谓的发光总量是，将Φ的值从0°至360°、θ的值从0°至90°的光的强度全部相加，也对LEDlOl的背面进行相同的合计，随后将两者相加后的总量。 通过了解该发光总量可判断此LEDlOl是否适合各种应用。 LEDlOl的光强度在不同的Θ以及φ上会呈现不同的值。 由此，为了以视觉方式表现光的强度而使用图1(b)这样的图。 在图1(b)中，X轴与Y轴的交点部分表示Θ =0°。 并且，圆上的各点分别表示Θ =90°的各Φ的位置。 此外，图1(c)是Φ的值为固定的位置上的剖面图。 由此，在图1中，将距离LEDlOl相同距离且与发光中心轴LCA所成的角度Θ的位置上的光的强度定义为配光强度Ε( Θ )。 并且，对应于各Θ而图示的该配光强度Ε(θ)为配光强度分布Ε。作为配光强度分布E的具体例子将在图2进行说明。 此外，在以上的说明中，假设在距离LEDlOl够远的位置进行测定，则LEDlOl可被视为是一个点。 在之后的说明中若无特别记载，皆假设LEDlOl为一个点。这是因为LEDlOl与一般的光电探测器105等(参照图6)相比极为渺小，因此可以做这样的假设。 图2是关于配光强度分布E的说明图。 图2 (a)与图1 (C)为相同的图。 如图2(a)所示，所谓配光强度分布E是在自LEDlOl的距离r为固定的位置上，在固定的Φ角度下的各Θ的光的强度。 此外，LEDlOl 一般因其制作工艺的误差等具有因LEDlOl而异的配光强度分布E。 该不同的LEDlOl可能存在图2(b)的cos型LEDlOl及图2(c)的环型LEDlOl。 cos型及环型LEDlOl仅为一例，并非限定具有此两种特性的LEDlOl为测定对象。不过，一般LEDlOl大多具有光的波峰为cos型的LEDlOl与在Θ =30°具有光的强度的波峰的环型LEDlOl之间的特性。也就是说，作为检查对象的一般LEDlOl大多在Θ为0°?30°的范围内具有光的强度的波峰。 接着，说明从配光强度Ε(θ)(配光强度分布E)求出发光总量的方法。 图3是从配光强度Ε( Θ )(配光强度分布Ε)求出发光总量的方法的第一说明图。图4是从配光强度Ε(θ)(配光强度分布Ε)求出发光总量的方法的第二说明图。图5是从配光强度Ε( Θ )(配光强度分布Ε)求出发光总量的方法的第三说明图。 以下，在假设LEDlOl具有如图3(a)所示的配光强度分布E的情况下进行说明。 对这种配光强度分布E的角度Θ的配光强度Ε( Θ )以发光中心轴LCA周围的圆周进行积分后的结果定义为周配光强度L ( Θ )(参照图4(b))。 将表不各Θ处的该周配光强度L的图4(a)所不的图表定义为周配光强度分布L。周配光强度L( Θ )以L( Θ ) = Ε( Θ ) X2Sin θ X ji表示。 此外，在图4(a)中，由于 Θ =0。时 Sin0° =0，因此 L(0。) =0。 将此周配光强度L( Θ )在Θ = 0°?Θ的积分结果称为总受光量S( Θ )(参照图5(b))。并且，将表示各Θ处的该总受光量S的图5 (a)所示的图表定义为总受光量分布S。 另外，在此若将光电探测器105配置在图5(b)中本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种半导体发光元件用的发光量推定装置，其特征在于，具有：受光部，其接收半导体发光元件发射的光；受光范围变更机构，其可改变所述受光部所接收的所述半导体发光元件发射的光的范围；以及运算部，其运算部通过所述受光范围变更机构在不同的多个受光范围内对一个所述半导体发光元件进行测定，从而推定所述半导体发光元件的发光量。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体发光元件用的发光量推定装置，其特征在于，具有: 受光部，其接收半导体发光元件发射的光； 受光范围变更机构，其可改变所述受光部所接收的所述半导体发光元件发射的光的范围；以及 运算部，其运算部通过所述受光范围变更机构在不同的多个受光范围内对一个所述半导体发光元件进行测定，从而推定所述半导体发光元件的发光量。2.根据权利要求1所述的发光量推定装置，其特征在于， 所述运算部推定的发光量是因所述受光范围变更机构移动而无法测定的范围内的发光量。3.根据权利要求2所述的发光量推定装置，其特征在于， 所述受光范围变更机构是可沿所述受光部的垂直方向移动的承载台， 在膜片上配置有多个所述半导体发光元件， 所述膜片相对于承载台固定。4.根据权利要求3所述的发光量推定装置，其特征在于， 抽出多个...
【专利技术属性】
技术研发人员：望月学，藤森昭一，广田浩义，市川美穗，
申请(专利权)人：日本先锋公司，先锋自动化设备股份有限公司，
类型：发明
国别省市：日本;JP
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