薄膜及阵列基板的制备方法、阵列基板技术

本发明专利技术涉及薄膜制备技术领域，公开了一种薄膜及阵列基板的制备方法、阵列基板。对于附着力不好的第一金属A薄膜，所述制备方法在形成第一金属A薄膜之前，先形成ABOx薄膜。其中，ABOx薄膜通过在第一金属A和第二金属B的合金的成膜工艺中，通入含氧的气体来制得，第二金属B为第二主族的第二周期至第四周期的活泼金属，易与氧结合，被氧化，形成致密的合金氧化物，具有较好的附着力，大幅度提升了第一金属A的附着力。同时，由于ABOx薄膜包含第一金属A，使得第一金属A薄膜和ABOx薄膜的腐蚀电位相同，从而在刻蚀工艺中，不会存在因腐蚀电位不同造成的倒角或残留等问题。

【技术实现步骤摘要】
薄膜及阵列基板的制备方法、阵列基板
本专利技术涉及薄膜制备
，特别是涉及一种薄膜及阵列基板的制备方法、阵 列基板。
技术介绍
在显示领域里，随着大尺寸及高驱动频率产品的日益普及，低电阻的铜（Cu)配线 技术已经愈来愈受关注。但是Cu薄膜存在和玻璃、半导体层的接触附着力差的问题，因此， 在制作Cu配线之前需要采用与玻璃、半导体层接触好的金属层作为缓冲层。 各个面板厂商进行了 Cu技术开发，初期使用Ti或者MoTi作为缓冲材料。随着对 Cu材料研究的深入，Mo及MoW、MoTa等钥合金材料被开发并应用到了 Cu配线的制造中，但 是这两代缓冲层都有一个共同的问题，就是在Cu薄膜的刻蚀工艺中，因为Cu和Mo合金的 腐蚀电位不同，刻蚀容易产生倒角或者残留等问题。
技术实现思路
本专利技术提供一种薄膜及阵列基板的制备方法、阵列基板，针对附着力不好的金属 薄膜（尤其是金属铜薄膜），提供性能良好的缓冲层。 为解决上述技术问题，本专利技术提供一种薄膜制备方法，包括形成第一金属A薄膜 的步骤，在形成所述第一金属A薄膜的步骤之前还包括： 形成AB0X薄膜的步骤，所述AB0X薄膜与所述第一金属A薄膜接触设置； 其中，B为第二主族的第二周期至第四周期的第二金属，0为氧，通过在第一金属A 和第二金属B的合金的成膜工艺中，通入含氧的气体，形成所述ABOx薄膜。 如上所述的制备方法，优选的是，所述第二金属B为钙或镁。 如上所述的制备方法，优选的是，所述第一金属A和第二金属B的合金中，所述第 二金属B的摩尔含量为1 %?10 %。 如上所述的制备方法，优选的是，所述第一金属A为铜。 如上所述的制备方法，优选的是，所述含氧气体包括氧气和氩气，其中，氧气和氩 气的体积流量比为1:30?1:3。 如上所述的制备方法，优选的是，在80°C?250°C的温度条件下，进行第一金属A 和第二金属B的合金的成膜工艺。 本专利技术还提供一种阵列基板的制备方法，包括制备第一金属A薄膜的步骤，在制 备第一金属A薄膜的步骤之前还包括： 形成ABOx薄膜的步骤，所述ABOx薄膜与所述第一金属A薄膜接触设置； 其中，B为第二主族的第二周期至第四周期的第二金属，0为氧，通过在第一金属A 和第二金属B的合金的成膜工艺中，通入含氧的气体，形成所述ABOx薄膜。 如上所述的制备方法，优选的是，包括制备薄膜晶体管的步骤； 所述第一金属A薄膜包括形成栅电极的栅金属薄膜，以及形成源电极和漏电极的 源漏金属薄膜。 本专利技术还提供一种阵列基板，包括第一金属A薄膜的图案，还包括与所述第一金 属A薄膜图案位置对应、且接触设置的ABOx薄膜的图案； 其中，B为第二主族的第二周期至第四周期的第二金属，0为氧，所述ABOx薄膜位 于所述第一金属A薄膜与衬底基板之间，或者位于所述第一金属A薄膜与半导体层之间。 如上所述的阵列基板，优选的是，所述第二金属B为钙或镁。 如上所述的阵列基板，优选的是，所述第一金属A为铜。 如上所述的阵列基板，优选的是，所述阵列基板包括薄膜晶体管； 所述薄膜晶体管包括栅电极、源电极和漏电极； 所述栅电极包括铜金属层和钙铜合金氧化物层，或，铜金属层和镁铜合金氧化物 层； 所述源电极和漏电极包括铜金属层和钙铜合金氧化物层，或，铜金属层和镁铜合 金氧化物层。 本专利技术的上述技术方案的有益效果如下： 上述技术方案中，对于附着力不好的第一金属A薄膜，在形成第一金属A薄膜之 前，先形成ABOx薄膜。其中，ABOx薄膜通过在第一金属A和第二金属B的合金的成膜工 艺中，通入含氧的气体来制得，第二金属B为第二主族的第二周期至第四周期的活泼金属， 易与氧结合，被氧化，形成致密的合金氧化物，具有较好的附着力，大幅度提升了第一金属A 的附着力。同时，由于ABOx薄膜包含第一金属A，使得第一金属A薄膜和ABOx薄膜的腐蚀 电位相同，从而在刻蚀工艺中，不会存在因腐蚀电位不同造成的倒角或残留等问题。 【附图说明】 为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现 有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本 专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可 以根据这些附图获得其他的附图。 图1表示本专利技术实施例中制备金属薄膜的流程图； 图2a表示直接沉积形成的钙铜合金薄膜的截面图； 图2b表示采用本专利技术实施例中的制备方法制得的钙铜合金氧化物薄膜的截面 图； 图3表示本专利技术实施例中阵列基板的局部结构示意图。 【具体实施方式】 下面将结合附图和实施例，对本专利技术的【具体实施方式】作进一步详细描述。以下实 施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。 实施例一 如图1所示，本专利技术提供一种薄膜制备方法，包括形成第一金属A薄膜的步骤21。 其中，第一金属A为附着力较差的金属，如：金属铜Cu。特别的，在阵列基板上，对于由第一 金属A形成的配线，如：栅线、数据线、栅电极、源电极和漏电极，存在与衬底基板和半导体 层的接触附着力差的问题。 为了解决上述技术问题，本专利技术在形成所述第一金属A薄膜的步骤21之前还包 括： 形成ABOx薄膜的步骤20,所述ABOx薄膜与所述第一金属A薄膜接触设置。其中， B为第二主族的第二周期至第四周期的第二金属，0为氧，通过在第一金属A和第二金属B 的合金的成膜工艺中，通入含氧的气体，形成所述ABOx薄膜。 其中，成膜工艺可以为沉积、涂覆、印刷等工艺。 具体的，在阵列基板中，ABOx薄膜位于第一金属A薄膜和衬底基板之间，以及第一 金属A薄膜和半导体层之间。 上述技术方案中，由于ABOx薄膜的结构致密，具有较好的附着力，大幅度提升了 第一金属A的附着力。同时，由于ABOx薄膜包含第一金属A，使得第一金属A薄膜和ABOx 薄膜的腐蚀电位相同，从而在刻蚀工艺中，不会存在因腐蚀电位不同造成的倒角或残留等 问题。 优选地，第二金属B为钙或镁，相对于第二周期的铍，活性较低，能够提供性能稳 定的第一金属A和第二金属B的合金。 在第一金属A和第二金属B的合金中，由于第二金属B为活性金属，其含量不能太 高，否则会影响合金的稳定性。一般第二金属B的摩尔含量为1 %?10 %，最好地，第二金 属B的摩尔含量为1 %?3 %。 进一步地，为了形成合金氧化物，采用的含氧气体可以为包括氧气、水蒸气或二氧 化碳的气体。氧化的温度条件为80°C?250°C。具体的，在80°C?250°C的温度条件下，进 行第一金属A和第二金属B的合金的成膜工艺，并在成膜工艺中通入含氧的气体。 本实施例中，含氧气体的主要气体可以为氧气和氩气，并保证一定的含氧量，因为 含氧量太高的话，可能会造成合金的过分氧化。其中，氧气和氩气的体积流量比为1:30? 1:3。这里并不限定含氧气体掺杂的只能为氩气，也可以为其它非氧化气体或惰性气体。 在一个具体的实施方式中，第一金属A为铜，第二金属B为|丐。当直接沉积CuCa 合金时，形成的薄膜的截面如图2a所本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜制备方法，包括形成第一金属A薄膜的步骤，其特征在于，在形成所述第一金属A薄膜的步骤之前还包括：形成ABOx薄膜的步骤，所述ABOx薄膜与所述第一金属A薄膜接触设置；其中，B为第二主族的第二周期至第四周期的第二金属，O为氧，通过在第一金属A和第二金属B的合金的成膜工艺中，通入含氧的气体，形成所述ABOx薄膜。

【技术特征摘要】
1. 一种薄膜制备方法，包括形成第一金属A薄膜的步骤，其特征在于，在形成所述第一 金属A薄膜的步骤之前还包括： 形成ABOx薄膜的步骤，所述ABOx薄膜与所述第一金属A薄膜接触设置； 其中，B为第二主族的第二周期至第四周期的第二金属，0为氧，通过在第一金属A和第 二金属B的合金的成膜工艺中，通入含氧的气体，形成所述ABOx薄膜。2. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第二金属B为钙或镁。3. 根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属A和第二金属B的合金 中，所述第二金属B的摩尔含量为1 %?10 %。4. 根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述第一金属A为铜。5. 根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，所述含氧气体包括氧气和 氩气，其中，氧气和氩气的体积流量比为1:30?1:3。6. 根据权利要求1-3任一项所述的制备方法，其特征在于，在80°C?250°C的温度条件 下，进行第一金属A和第二金属B的合金的成膜工艺。7. -种阵列基板的制备方法，包括制备第一金属A薄膜的步骤，其特征在于，制备第一 金属A薄膜的步骤之前还包括： 形成ABOx薄膜的步骤，所述ABOx薄膜与所述第一金...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚琪，张锋，曹占锋，李正亮，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11