一种高质量单双层可控的二硫化钼制备方法技术

本发明专利技术涉及一种层状二硫化钼制备方法，所述层状二硫化钼为单层或双层结构，其中采用化学气相沉积法，以单质的钼金属和硫粉做为源，在基底表面沉积二维二硫化钼，其中通过对沉积温度、生长时间等制备参数的优化，实现对高质量二硫化钼单层或双层结构的控制生长。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及二维二硫化钥的制备方法，具体为采用单质钥金属源和单质硫源在高 温条件下制备高质量的单层或双层二硫化钥，适用于大面积高质量的二维二硫化钥的制 备。
技术介绍
由于二维的石墨烯材料所具有独特的结构使其展现出低电阻率、高载流子迁移率 以及高导热性和高透光率等优异性质，因此在微电子、储能器件、传感器、平板显示和太阳 能电池等诸多应用领域具有广泛的应用前景。自从2004年发现以来，人们在石墨烯制备方 法和应用方面付出了很大努力。但是，由于石墨烯是零带隙材料且有很高的漏电流，这大大 限制其在微纳光电子学方面的进一步发展。近几年，人们发现二维过渡金属硫族化合物，如 二硫化钥（MoS 2)、二硫化钨（WS2)和二硒化钥（MoSe2)，结构与石墨烯类似，但具有自己独特 的光电性质。二维二硫化钥（M 〇S2)是该类典型材料之一。二硫化钥是一种层状半导体，随 着二硫化钥厚度的降低，其带隙可以从1. 2eV增加到1. 8eV，当厚度减小到单层时，其由间 接带隙半导体变成直接带隙半导体材料，其发光效率得到大大提高。同时，尽管其载流子迁 移速率比石墨稀小，但其电流开关比1?达到1X 1〇8,意味着其相关光电器件具有超低待机 功耗。因此，二维二硫化钥的出现给纳米半导体领域注入了新的希望。 目前，二维二硫化钥的制备方法主要有微机械剥离法、锂离子插层法、钥层硫化法 以及钥化合物（如（NH4) 2M〇S4)高温热解法等，这些方法要么产量低可控性较差，要么工艺 较复杂，制备成本较高，不易大规模获得高质量二维二硫化钥。以氧化钥、五氯化钥粉末做 为钥源的化学气相沉积法，可以满足规模化生产，是一种值得探索的二维二硫化钥制备方 法，目前的缺陷是对制备条件要求苛刻，且重复性有待改进。因此如何大规模制备高质量二 维二硫化钥是实现其潜在应用的重要问题之一。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种制备高质量单双层可控的二硫化钥新方法，该方法对 设备条件要求较低，操作流程简单，产物质量高、可控性好且易于大面积制备等特点，因此 可做为一种大面积制备高质量单、双层二硫化钥的理想方法。 在本专利技术的一个方面，提供一种层状二硫化钥制备方法，所述层状二硫化钥为单 层的，其中采用化学气相沉积法，以单质的钥金属和硫粉做为源，在基底表面沉积二维二硫 化钥，其中将沉积时的温度控制为：800°C至850°C，并且沉积时间控制为5至30分钟。 在本专利技术的一个方面，提供一种层状二硫化钥制备方法，所述层状二硫化钥为双 层的，其中采用化学气相沉积法，以单质的钥金属和硫粉做为源，在基底表面沉积二维二硫 化钥，其中将沉积时的温度控制为：800°C至850°C，并且沉积时间控制为30至60分钟。 在本专利技术的一个方面，提供一种层状二硫化钥制备方法，所述层状二硫化钥为双 层的，其中采用化学气相沉积法，以单质的钥金属和硫粉做为源，在基底表面沉积二维二硫 化钥，其中将沉积时的温度控制为：850°C至900°C，并且沉积时间控制为10至30分钟。 在本专利技术的一个实施方案中，层状二硫化钥的面积为1mm2至100mm2,优选5mm 2至 50mm2,最优选 25mm2。 在本专利技术的一个实施方案中，单质钥金属为纯度大于或等于99%的钥块、钥丝、钥 片或钥粉等。 在本专利技术的一个实施方案中，在所述化学气相沉积中使用低温区和高温区。 在本专利技术的一个实施方案中，所述硫源在所述低温区。 在本专利技术的一个实施方案中，所述基底和所述钥源在所述高温区。 在本专利技术的一个实施方案中，硫源为纯度大于或等于99%的硫粉。 在本专利技术的一个实施方案中，基底温度为800°C至900°C，优选810°C至860°C，最 优选820°C。 在本专利技术的一个实施方案中，钥源温度为800°C至900°C，优选810°C至860°C，最 优选820°C。 在本专利技术的一个实施方案中，硫源温度为250°C至300°C，优选250°C至280°C，最 优选260°C。 在本专利技术的一个实施方案中，沉积在惰性保护性气体中进行，如在氮气、惰性气体 等中进行。 在本专利技术的一个实施方案中，对于所述钥源和/或所述基底进行两步降温。 在本专利技术的一个实施方案中，第一步降温的速率为15°C /分钟至45°C /分钟，优 选20°C /分钟至30°C /分钟，最优选25°C /分钟。 在本专利技术的一个实施方案中，第一步降温之后的温度为450°C至650°C，优选 500°C至 600°C，最优选 550°C。 在本专利技术的一个实施方案中，第二步降温的速率为50°C /分钟至150°C /分钟，优 选80°C /分钟至120°C /分钟最优选100°C /分钟。 在本专利技术的一个实施方案中，第二步降温结束后的温度为KKTC至300°C，优选 200°C至 300°C，最优选 250°C。 在本专利技术的一个实施方案中，基底为表面平整洁净、熔点高于1000°C，且不易与硫 原子反应的固体材料。 在本专利技术的一个实施方案中，基底为硅片、石英片、蓝宝石或云母片等。 在本专利技术的一个实施方案中，将硫源和钥源以及所述基底放置在支撑平面上，且 基底与所述支撑平面成〇至60度的倾角，优选0至45度，最优选30度。 【附图说明】 图1是单层二硫化钥的制备装置示意图。 图2是实施例1在820°C反应20分钟制备的单层二硫化钥（a)制备的单层二硫化 钥的光学显微镜照片；(b)制备的单层二硫化钥的拉曼光谱；（c)制备的单层二硫化钥的荧 光光谱。 图3是实施例2在820°C反应40分钟制备的单、双层二硫化钥（a)制备的二硫化 钥的光学显微镜照片；(b)制备的二硫化钥的拉曼光谱；（c)制备的二硫化钥的荧光光谱。 图4是实施例3在860°C反应20分钟制备的单、双层二硫化钥（a)制备的二硫化 钥的光学显微镜照片；(b)制备的二硫化钥的拉曼光谱。 图5是实施例4以石英片为基底在820°C反应20分钟制备的单层二硫化钥（a)制 备的二硫化钥的光学显微镜照片；(b)制备的单层二硫化钥的拉曼光谱。 【具体实施方式】 本专利技术利用单质钥金属做为制备二维二硫化钥的钥源，其中：采用化学气相沉积 法，以单质的钥金属（包括钥片、钥丝、钥粉或钥块等）和硫粉做为源，在基底表面上直接生 长单层或双层二硫化钥。具体将单质的钥金属源和基底放在管式炉石英管反应器的高温区 (800?900°C )，硫单质源放在低温区（250?300°C );制备前石英管反应器不需要专门抽 真空；制备过程中，通入惰性保护性气体，保持常压；通过控制生长条件（如温度、生长时间 等），可在基底表面上生长出大面积的单层或双层二硫化钥。该制备方法采用成本较低的 单质钥金属做为钥源，设备方法简单经济，易于控制，且能够制备大面积高质量二维二硫化 钥。 实施例 实施例1 将表面含有约250nm厚的Si02层的Si片放入酒精和丙酮的混合液超声清洗5分 钟，然后用去离子水溶液清洗干净，并用氮气吹干； 将纯度为99. 99 %的钥片剪成3 X 5mm的长条形，放入酒精和丙酮的混合液超声清 洗5分钟，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种层状二硫化钼制备方法，所述层状二硫化钼为单层的，其中采用化学气相沉积法，以单质的钼金属和硫粉做为源，在基底表面沉积二维二硫化钼，其中将沉积时的温度控制为：800℃至850℃，并且沉积时间控制为5至30分钟。

【技术特征摘要】
1. 一种层状二硫化钥制备方法，所述层状二硫化钥为单层的，其中采用化学气相沉积 法，以单质的钥金属和硫粉做为源，在基底表面沉积二维二硫化钥，其中将沉积时的温度控 制为：800°C至850°C，并且沉积时间控制为5至30分钟。2. -种层状二硫化钥制备方法，所述层状二硫化钥为双层的，其中采用化学气相沉积 法，以单质的钥金属和硫粉做为源，在基底表面沉积二维二硫化钥，其中将沉积时的温度控 制为：800°C至850°C，并且沉积时间控制为30至60分钟。3. -种层状二硫化钥制备方法，所述层状二硫化钥为双层的，其中采用化学气相沉积 法，以单质的钥金属和硫粉做为源，在基底表面沉积二维二硫化钥，其中将沉积时的温度控 制为：850°C至900°C，并且沉积时间控制为10至30分钟。4. 权利要求1、2或3所述的层状二硫化钥制备方法，其中所述层状二硫化钥的面积为 1mm2 至 100mm2。5. 权利要求1、2或3所述的层状二硫化钥制备方法，其中所述单质钥金属为纯度大于 或等于99%的钥块、钥丝、钥片或钥粉；和/或所述硫源为纯度大于或等于99%的硫粉。6. 权利要求1、2或3所述的层状二硫化钥...

【专利技术属性】
技术研发人员：廖源，周献亮，周朝迅，董振超，
申请(专利权)人：中国科学技术大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34