用于从衬底局部且可控地去除材料的方法和装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了用于从衬底局部且可控地去除材料的方法和装置。本发明专利技术提供了一种方法和系统，包括提供局部分配装置。将在其顶面上设置有材料的衬底定向为局部分配装置之上。然后将来自局部分配装置中的化学物分配到定向的衬底的顶面上。该化学物去除该材料。可以确定材料去除的路径，且对局部分配装置编程以根据该路径提供化学物。

【技术实现步骤摘要】
相关申请的交叉参考本申请要求于2013年3月14日提交的标题为“Method and apparatus For Localized And Controlled Removal Of Material Form A Substrate”的美国临时专利申请第61/781,710的优先权，其全部内容结合于此作为参考。
本专利技术一般地涉及半导体
，更具体地，涉及材料去除方法和装置。
技术介绍
半导体集成电路（IC）工业经历了快速发展。在IC发展的过程中，功能密度（即，单位芯片面积中的互连器件的数量）通常增加而几何尺寸（即，可使用制造工艺制造的最小部件（或线））减小。这种比例缩小工艺通过增加生产效率和降低相关成本来提供优势。然而，这也增加了处理和制造IC的复杂度，对于所期望实现的进展而言，需要IC制造过程中类似的发展。通过制造一系列限定半导体器件部件的图案化层来制造半导体器件。光刻技术对于提供这些部件是非常关键的，由此对于半导体制造来说也通r>常是非常关键的。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种方法，包括：提供局部分配装置；将衬底定向在所述局部分配装置之上，所述衬底具有设置在所述衬底的顶面上的光敏材料；以及将来自所述局部分配装置中的溶剂分配到定向的衬底的顶面上，其中，所述溶剂去除所述光敏材料。

【技术特征摘要】
2013.03.14 US 61/781,7101.一种方法，包括：
提供局部分配装置；
将衬底定向在所述局部分配装置之上，所述衬底具有设置在所述衬底
的顶面上的光敏材料；以及
将来自所述局部分配装置中的溶剂分配到定向的衬底的顶面上，其中，
所述溶剂去除所述光敏材料。
2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述局部分配装置包括从容器
延伸出来的导管，并且所述溶剂经由所述导管提供至所述顶面。
3.根据权利要求1所述的方法，还包括：
加热所述局部分配装置中的溶剂。
4.根据权利要求1所述的方法，其中，分配所述溶剂还包括改变分配
所述溶剂的角度。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，分配所述溶剂包括从所述局部
分配装置的多个喷嘴分配所述溶剂。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，分配所述溶剂还包括：
将所述溶剂分配至所述衬底的第一区域；以及
将所述溶剂分配至所述衬底的第二区...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄晖闵，林志伟，陈正庭，郑明达，刘重希，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71