【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】光刻装置、用于提供设置点数据的装置、设备制造方法、用于提供设置点数据的方法和计算机程序相关串请的交叉引用本申请要求对提交于2012年I月12日并且通过引用而全文结合于此的美国临时申请61/586,053的权益。
本专利技术涉及一种光刻或者曝光装置、用于提供设置点数据的装置、设备制造方法、用于提供设置点数据的方法和计算机程序。
技术介绍
光刻或者曝光装置是向衬底或者衬底的部分上涂敷希望的图案的机器。可以例如在集成电路(IC)、平板显示器和具有细微特征的其它设备或者结构的制造中使用该装置。在常规光刻或者曝光装置中,可以称为掩模或者刻线的图案化设备可以用来生成与1C、平板显示器或者其它设备的个别层对应的电路图案。这一图案可以被转移到衬底(例如硅晶片或者玻璃板)(的部分)上、例如经由成像被转移到在衬底上提供的辐射敏感材料(抗蚀齐IJ)层上。相似而言,曝光装置是在衬底(或者其部分)上或者中形成希望的图案时使用辐射束的机器。取代电路图案,图案化设备可以用来生成其它图案、例如滤色器图案或者点阵矩阵。取代常规掩模。图案化设备可以包括图案化阵列,该图案化阵列包括生成电路或者其它可涂敷图案的单独可控元件的阵列。这样的“无掩模”系统与常规的基于掩模的系统比较的优点是可以更快和用更少成本提供和/或改变图案。因此,无掩模系统包括可编程图案化设备(例如空间光调制器、对比度器件等)。可编程图案化设备被(例如电子或者光)编程为使用单独可控元件的阵列来形成希望的图案化的光束。可编程图案化设备的类型包括微镜阵列、液晶显示器(LCD)阵列、光栅光阀阵列、自发射对比度器件阵列、快门元件/ ...
【技术保护点】
一种曝光装置,包括:可编程图案化设备,被配置为产生用于向目标施加单独可控剂量的多个辐射束;投影系统,被配置为向在所述目标上的相应位置上投影所述辐射束中的每个辐射束;以及控制器,被配置为计算所述多个辐射束在多个不同时间要施加的目标剂量值以便在所述目标上形成希望的剂量图案,每个目标剂量值定义所述目标剂量值被施加到的所述辐射束所形成的光斑曝光的剂量分布,其中:所述装置能够产生的所述光斑曝光中的每个光斑曝光的剂量分布中的特性点的标称位置落在光斑曝光栅格的点处;并且所述控制器被配置为通过以下操作以所述光斑曝光栅格的分辨率提供目标剂量值:计算在更低分辨率栅格上的栅格点处的目标剂量值,所述更低分辨率栅格具有比所述光斑曝光栅格更低的分辨率;并且对于所述计算的目标剂量值中的每个目标剂量值,推导在所述光斑曝光栅格中的多点中的每点处的目标剂量值。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.01.12 US 61/586,0531.一种曝光装置,包括: 可编程图案化设备,被配置为产生用于向目标施加单独可控剂量的多个辐射束; 投影系统,被配置为向在所述目标上的相应位置上投影所述辐射束中的每个辐射束;以及 控制器,被配置为计算所述多个辐射束在多个不同时间要施加的目标剂量值以便在所述目标上形成希望的剂量图案,每个目标剂量值定义所述目标剂量值被施加到的所述辐射束所形成的光斑曝光的剂量分布,其中: 所述装置能够产生的所述光斑曝光中的每个光斑曝光的剂量分布中的特性点的标称位置落在光斑曝光栅格的点处;并且 所述控制器被配置为通过以下操作以所述光斑曝光栅格的分辨率提供目标剂量值: 计算在更低分辨率栅格上的栅格点处的目标剂量值,所述更低分辨率栅格具有比所述光斑曝光栅格更低的分辨率;并且 对于所述计算的目标剂量值中的每个目标剂量值,推导在所述光斑曝光栅格中的多点中的每点处的目标剂量值。2.根据权利要求1所述的装置,其中所述可编程图案化设备被配置为产生具有单独可控强度的多个辐射束,所述控制器被配置为计算目标强度值作为所述目标剂量值。3.根据权利要求1所述的装置,其中所述可编程图案化设备被配置为产生具有单独可控曝光时间的多个辐射束,所述控制器被配置为计算目标曝光时间值作为所述目标剂量值。4.根据权利要求1所述的装置,其中所述可编程图案化设备被配置为产生具有单独可控强度和单独可控曝光时间的多个辐射束,所述控制器被配置为计算目标曝光时间和目标强度值的组合作为所述目标剂量值。5.根据权利要求3或者权利要求4所述的装置,其中所述可编程图案化设备被配置为通过以下操作中的一个或者多个操作来个别控制曝光时间:控制定位于辐射源与所述目标之间的快门元件或者快门元件矩阵中的元件的部分的打开和关闭或者控制辐射源的驱动持续时间。6.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的装置,其中在所述更低分辨率栅格中的所述点中的每点落在多个超像素区域中的不同超像素区域内。7.根据权利要求6所述的装置,其中所述多个超像素区域为棋盘格状镶嵌。8.根据权利要求6或者权利要求7所述的装置,其中所述多个超像素区域包括与至少一个其它超像素区域重叠的一个或者多个超像素区域。9.根据权利要求6-8中的任一权利要求所述的装置,其中所述控制器被配置为在所述光斑曝光栅格中的落在相同超像素区域内的每个栅格点处施加相同目标剂量值。10.根据权利要求6-8中的任一权利要求所述的装置,其中所述控制器被配置为在所述光斑曝光栅格中的落在相同超像素区域内的所述栅格点中的两个或者更多栅格点处施加不同目标剂量值。11.根据权利要求10所述的装置,其中所述不同目标剂量值定义用于所述超像素区域中的朝着所述超像素区域的横向外围区域衰减的至少一个超像素区域的剂量分布。12.根据权利要求11所述的装置,其中所述衰减至少在一个方向上近似于高斯函数。13.根据权利要求6-12中的任一权利要求所述的装置,其中在两个或者更多超像素区域重叠的所述光斑曝光栅格中的栅格点处施加的最终目标剂量值是从重叠的超像素区域在该栅格点处定义的所述目标剂量值之和推导的。14.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的装置,其中所述控制器被配置为向在所述更低分辨率栅格上计算的所述目标剂量值中的每个目标剂量值应用内核,所述内核定义所述目标剂量值应当如何用来推导在所述光斑曝光栅格中的所述多点处的目标剂量值。15.根据权利要求14所述的装置,其中所述内核向在所述光斑曝光栅格中的所述多点施加加权。16.根据权利要求15所述的装置,其中所述加权定义近似于高斯函数的剂量分布。17.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的装置,还包括本地计算单元,所述本地计算单元包括本地存储器和用于控制对所述本地存储器的访问的本地控制器,其中所述本地存储器和本地控制器被配置使得为一个光斑曝光栅格点推导的目标剂量值被暂时存储于所述本地存储器中并且被重用以推导用于至少一个其它光斑曝光栅格点的所述目标剂量值。18.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的装置,其中所述光斑曝光的子集在序列中被形成,在所述序列中,形成每个序列的所述辐射束的强度在所述目标的级别在所述序列中在不同时间形成的光斑曝光之间未达到零。19.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的装置,其中所述目标是在衬底上的目标部分。20.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的装置,其中所述目标是从将在其上形成器件的衬底间隔开的施主材料层。21.根据前述权利要求中的任一权利要求所述的装置,其中所述可编程图案化设备包括被配置为提...
【专利技术属性】
技术研发人员:E·鲁波斯特拉,M·霍克斯,
申请(专利权)人:ASML荷兰有限公司,
类型:发明
国别省市:荷兰;NL
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