有机电致发光器件及其制备方法技术

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层及阴极层，电荷产生层包括金属掺杂层及层叠于金属掺杂层上的p型层，金属掺杂层层叠于第一电子传输层上；金属掺杂层的材料包括折射率为2.0～2.3的金属氧化物及掺杂于金属氧化物中的金属材料，金属材料与金属氧化物的质量比为0.01～0.2:1，金属材料为银、铝、铂及金中的一种；p型层的材料为三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的一种。上述有机电致发光器件具有较高的发光效率。此外，还涉及一种有机电致发光器件的制备方法。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及电子器件领域，特别涉及一种。
技术介绍
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.ff.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件(0LED)。在该双层结构的器件中，1V下亮度达到lOOOcd/m2，其发光效率为1.511m/W，寿命大于100小时。OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道(LUMO)，而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道(HOMO)。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能，但是目前研究的OLED仍然普遍存在发光效率较低的问题。
技术实现思路
鉴于此，有必要提供一种发光效率较高的。—种有机电致发光器件，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层及阴极层，所述电荷产生层包括折射率为2.0?2.3的金属掺杂层及层叠于所述金属掺杂层上的P型层，所述金属掺杂层层叠于所述第一电子传输层上；所述金属掺杂层的材料包括金属氧化物及掺杂于所述金属氧化物中的金属材料，所述金属材料与所述金属氧化物的质量比为0.01?0.2:1，所述金属材料为银、铝、钼及金中的一种；所述P型层的材料为三氧化钥、三氧化钨及五氧化二钒中的一种。在其中一个实施例中，所述金属氧化物为五氧化二钽、五氧化二铌及二氧化钒中的一种。在其中一个实施例中，所述金属掺杂层的厚度为5纳米?20纳米；所述P型层的厚度为10纳米?40纳米。在其中一个实施例中，所述阳极基底的材料为铟锡氧化物玻璃、铝锌氧化物玻璃及铟锌氧化物玻璃中的一种；所述空穴注入层的材料为三氧化钥、三氧化钨及五氧化二钒中的一种；所述第一空穴传输层的材料与所述第二空穴传输层的材料分别选自1，1_ 二[4-[N，N’_ 二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺中的一种；所述第一发光层的材料与所述第二发光层的材料分别选自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亚萘基蒽、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)_1，I’ -联苯及8-羟基喹啉铝中的一种；所述第一电子传输层的材料与所述第二电子传输层的材料分别分别选自4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的一种；所述电子注入层的材料为碳酸铯、氟化铯、叠氮化铯及氟化锂中的一种；及所述阴极的材料为银、铝、钼及金中的一种。在其中一个实施例中，所述空穴注入层的厚度为20纳米?80纳米；所述第一空穴传输层的厚度为20纳米?60纳米；所述第一发光层的厚度为5纳米?40纳米；所述第一电子传输层的厚度为40纳米?200纳米；所述第二空穴传输层的厚度为20纳米?60纳米；所述第二发光层的厚度为5纳米?40纳米；所述第二电子传输层的厚度为40纳米?200纳米；所述电子注入层的厚度为0.5纳米?10纳米；所述阴极层的厚度为60纳米?300纳米。一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤:提供阳极基底，在所述阳极基底上依次真空蒸镀形成空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层及第一电子传输层；形成电荷产生层，所述电荷产生层包括金属掺杂层及P型层，在所述第一电子传输层上依次真空蒸镀形成所述金属掺杂层及所述P型层；所述金属掺杂层的材料包括折射率为2.0?2.3的金属氧化物及掺杂于所述金属氧化物中的金属材料，所述金属材料与所述金属氧化物的质量比为0.01?0.2:1，所述金属材料为银、铝、钼及金中的一种；所述P型层的材料为三氧化钥、三氧化钨及五氧化二钒中的一种 '及在所述P型层上依次真空蒸镀形成第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层及阴极层，得到有机电致发光器件。在其中一个实施例中，在所述阳极基底上真空蒸镀形成所述空穴注入层之前，还包括对所述阳极基底依次进行光刻、裁剪及清洗的步骤；所述清洗的步骤为:将裁剪后的所述阳极基底依次于洗洁精、去离子水、丙醇、乙醇及异丙酮中超声清洗。在其中一个实施例中，所述真空蒸镀的真空度为2X10_4Pa?5X10_3Pa。在其中一个实施例中，所述金属氧化物为五氧化二钽、五氧化二铌及二氧化钒中的一种。上述有机电致发光器件包括电荷产生层，且该电荷产生层的金属掺杂层使用的材料为由金属材料掺杂的金属氧化物形成，且该金属氧化物的折射率为2.0?2.3，可以防止光的全反射，且在可见光范围内吸收较低，对光有很强的透过性，掺杂金属材料后得到的金属掺杂层可以提高导电性和厚层透光性，且使用的金属材料中存在大量的自由电子，有利于电子的再生，提高激子的复合几率；而P型层使用的金属氧化物与金属掺杂层使用的金属材料之间具有较强的匹配性及较好的界面相容性，不会造成电子陷阱的存在，同时，P型层采用的这些金属氧化物不需要掺杂也可以提高空穴再生能力，从而提高空穴传输速率，因此，具有上述结构的电荷产生层能够有效地提高有机电致发光器件的发光效率。【附图说明】图1为一实施方式的有机电致发光器件的结构示意图；图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；图3为实施例1制备的有机电致发光器件与传统的有机电致发光器件的亮度与电 流效率的关系曲线图。【具体实施方式】下面主要结合附图及具体实施例对作进一步详细的说明。如图1所示，一实施方式的有机电致发光器件100，包括依次层叠的阳极基底110、空穴注入层120、第一空穴传输层130、第一发光层140、第一电子传输层150、电荷产生层160、第二空穴传输层170、第二发光层180、第二电子传输层190、电子注入层210及阴极层220。阳极基底110的材料可以为本领域常用的基底材料，优选为铟锡氧化物玻璃(ΙΤ0)、铝锌氧化物玻璃(AZO)及铟锌氧化物玻璃(IZO)中的一种；更优选为铟锡氧化物玻璃(ΙΤ0)。空穴注入层120的材料可以为本领域常用的空穴注入材料，优选为三氧化钥(Mo03)、三氧化钨(WO3)及五氧化二钒(V2O5)中的一种，更优选为三氧化钥(Mo03)。空穴注入层120的厚度优选为20纳米?80纳米，更优选为40纳米。第一空穴传输层130的材料为1，1- 二 [4-[N，N’ - 二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4，4’，4’’_ 三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)及 N，N，- (1-萘基)-N，N’- 二苯基_4，4’ -联苯二胺(NPB)中的一种，优选为N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺(NPB)。第一空穴传输层130的厚度优选为20纳米?60纳米，更优选为25纳米。第一发光层140的材料为4- (二腈甲基)-2_ 丁基-6- (1，1，7，7_四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB),9, 10- 二 - β -亚萘基本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层及阴极层，所述电荷产生层包括金属掺杂层及层叠于所述金属掺杂层上的p型层，所述金属掺杂层层叠于所述第一电子传输层上；所述金属掺杂层的材料包括折射率为2.0～2.3的金属氧化物及掺杂于所述金属氧化物中的金属材料，所述金属材料与所述金属氧化物的质量比为0.01～0.2:1，所述金属材料为银、铝、铂及金中的一种；所述p型层的材料为三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的一种。

【技术特征摘要】
1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的阳极基底、空穴注入层、第一空穴传输层、第一发光层、第一电子传输层、电荷产生层、第二空穴传输层、第二发光层、第二电子传输层、电子注入层及阴极层，所述电荷产生层包括金属掺杂层及层叠于所述金属掺杂层上的P型层，所述金属掺杂层层叠于所述第一电子传输层上；所述金属掺杂层的材料包括折射率为2.0~2.3的金属氧化物及掺杂于所述金属氧化物中的金属材料，所述金属材料与所述金属氧化物的质量比为0.01~0.2:1，所述金属材料为银、铝、钼及金中的一种；所述P型层的材料为三氧化钥、三氧化钨及五氧化二钒中的一种。2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属氧化物为五氧化二钽、五氧化二铌及二氧化钒中的一种。3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属掺杂层的厚度为5纳米~20纳米；所述P型层的厚度为10纳米~40纳米。4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阳极基底的材料为铟锡氧化物玻璃、铝锌氧化物玻璃及铟锌氧化物玻璃中的一种； 所述空穴注入层的材料为三氧化钥、三氧化钨及五氧化二钒中的一种； 所述第一空穴传输层的材料与所述第二空穴传输层的材料分别选自1，1_ 二[4-[N，N’_ 二(P-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4，4’，4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’ - (1-萘基)-N, N’ - 二苯基-4，4’ -联苯二胺中的一种； 所述第一发光层的材料与所述第二发光层的材料分别选自4- (二腈甲基)-2-丁基-6-( I, I, 7，7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9，10- 二 - β -亚萘基蒽、4，4’ -双(9-乙基-3-咔唑乙烯 基)-1，1'-联苯及8-羟基喹啉铝中的一种； 所述第一电子传输层的材料与所述第二电子传输层的材料分别分别选自4，7-二苯基-1，10-菲罗啉、1，2，4-三唑衍生物及N-芳基苯并咪唑中的一种； 所述电子注入层的材料为碳酸铯、氟...

【专利技术属性】
技术研发人员：周明杰，王平，黄辉，张振华，
申请(专利权)人：海洋王照明科技股份有限公司，深圳市海洋王照明技术有限公司，深圳市海洋王照明工程有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44