一种具有导电膜的玻璃板，其的薄膜电阻是9.5-14.0欧姆/平方；发射率是0.14-0.17和在400-1100纳米波长范围内的吸收系数大于1.5x103cm-1，和表面粗糙度小于15纳米均方根。本发明专利技术另一种实施方案的玻璃板具有在该玻璃板表面上的导电膜，其具有磷-氟掺杂的氧化锡热解沉积的膜，其中磷前体与锡前体之比大于0-0.4。本发明专利技术的涂覆的玻璃板可以用于制造多板绝缘单元、OLED和太阳能电池。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有低薄膜电阻、光滑表面和/或低热发射率的涂覆的玻璃交叉参考的相关申请本申请要求2012年1月10日提交的美国临时专利申请系列号No.61/584837的权益，其名称为COATEDGLASSESHAVINGALOWSHEETRESISTIVITY，ASMOOTHSURFACE，AND/ORALOWTHERMALEMISSIVITY。申请系列号No.61584837以它全部在此引入作为参考。专利技术背景1.专利
本专利技术涉及涂覆的玻璃，其具有低薄膜电阻，光滑表面和/或低的热发射率，和更具体的，涉及热解氟掺杂的氧化锡涂层，其具有低的薄膜电阻例如低于14欧姆/平方米，光滑外涂层表面，例如外涂层表面粗糙度小于15纳米(“nm”)均方根，和/或低的热发射率。2.工艺讨论作为涂层领域技术人员所理解的，将玻璃板进行涂覆等来提供涂覆的玻璃，其具有与未涂覆的玻璃的光学、物理和电学性能不同的光学、物理和电学性能。作为说明和不限制所述讨论，沉积在玻璃上的氟掺杂的氧化锡的热解化学气相沉积(“CVD”)涂层提供了具有可见光和红外光透射率，雾度百分率，发射率，表面粗糙度和薄膜电阻的涂覆的玻璃，例如具有与未涂覆的玻璃板的薄膜电阻不同的薄膜电阻。不幸的，改变一组性能会导致另一组性能处于期望的范围之外。例如和不限制讨论，通过增加涂层厚度来降低氟掺杂的氧化锡涂层的薄膜电阻增加了表面粗糙度，例如如美国专利No.3677814(“USPN‘814”)第3栏第59-68行所公开的那样。与通过增加涂层厚度来增加表面粗糙度相关的局限可以通过增加有机锡组合物的氟化物含量来减小，如美国专利No.3107177(“USPN‘177”)第4栏第30-34行所公开的。这种技术的缺点是高于某个水平时大量加入氟例如氟化铵不是有效的，如USPN‘814的第3栏第41-53行所述，其增加了涂层的电导率，这降低了薄膜电阻。现在可以理解，有利的是提供技术来改变CVD氟掺杂的氧化锡涂层的性能，来降低薄膜电阻和名义上增加涂层厚度；降低涂层的表面粗糙度和/或降低涂层的热发射率等。
技术实现思路
本专利技术涉及一种涂覆的玻璃板，其包括玻璃基底和在该玻璃基底表面上的导电膜等，该导电膜包括薄膜电阻是9.5-14.0欧姆/平方；发射率0.14-0.17和在400-1100纳米波长范围的吸收系数大于1.5x103cm-1，和表面高度均方根小于15纳米等，其中该性能是在3.2毫米的基底厚度测定的。本专利技术进一步涉及一种涂覆的玻璃板，其包括玻璃基底和在该玻璃基底表面上的导电膜等，该导电膜包括在该玻璃基底表面上包含掺杂的氧化锡热解沉积的膜等，其中该掺杂的氧化锡膜的掺杂剂是氟，和共掺杂剂或者合金化成分选自磷、硼和磷和硼的混合物。本专利技术仍然进一步涉及一种制品，其包括玻璃基底和在该玻璃基底表面上的导电膜等，该导电膜选自实施方案A、实施方案B和实施方案C，其中实施方案A的导电膜的薄膜电阻范围在9.5-14.0欧姆/平方；发射率0.14-0.17和在400-1100纳米波长范围中的吸收系数大于1.5x103cm-1，和表面高度均方根小于15纳米等，其中该性能是在3.2毫米的基底厚度测定的；实施方案B的导电膜包含在玻璃板表面上的磷-氟掺杂的氧化锡热解沉积的膜等，其中该沉积的膜的涂覆蒸气包含锡前体、磷前体和氟前体，和磷前体与锡前体之比是大于0-0.4，和实施方案C的导电膜包含在该玻璃板表面上的硼-氟掺杂的氧化锡热解沉积的膜等，其中该沉积的膜的涂覆蒸气包含锡前体、硼前体和氟前体，和硼前体与锡前体之比是0-0.4。附图说明图1是可以用于本专利技术实践中的浮法玻璃形成室的出口端的横截面图。图2-4是具有本专利技术特征的涂覆的玻璃带的片的非限定性实施方案的侧面图。图5是现有技术的氟掺杂的氧化锡膜的晶体取向的照片拷贝。图6是本专利技术的氟掺杂的氧化锡膜的晶体取向的照片拷贝。图7是本专利技术的涂覆的玻璃板的等大图。图8是具有本专利技术特征的多片绝缘单元的边缘组件的截面图。图9是具有本专利技术特征的多片单元的横截面图。图10是具有本专利技术特征的有机发光二极管的升高的侧面图。图11是具有本专利技术特征的太阳能电池的升高的侧面图。具体实施方式作为此处使用的，空间或方向术语例如“内部”、“外部”等与附图中绘制所示的本专利技术有关。但是，应当理解本专利技术可以采用不同的可选择的取向，和因此这样的术语不被认为是限制性的。此外，说明书和权利要求中所用的表述尺寸、物理特征等的全部数字被理解为在全部的情况中是用术语“大约”来修正的。因此，除非有相反指示，否则在下面的说明书和权利要求中所述的数值可以根据本专利技术所期望的和/或寻求获得的性能而变化。最起码的，和不打算使用等价的原则来限制权利要求的范围，每个数字参数应当至少依照所报告的有效数字的数值和应用通常的四舍五入技术来解释。此外，这里公开的全部范围被理解为包括了其中所含的任何和全部子范围。例如所述的范围“1-10”应当被认为包括了在最小值1和最大值10之间并且包括其的任何和全部子范围；即，全部子范围是从最小值1或者更大开始和在最大值10或者更小结束，例如1-6.7，或者3.2-8.1，或者5.5-10。同样，作为此处使用的，术语“安装在其上”或“涂覆在其上”表示在其上，但是不必需表面接触。例如，一个制品或者制品的部件“安装”或“涂覆”在另一制品或者制品部件之上不排除在该制品之间或者制品的部件之间分别存在着材料。在讨论本专利技术的几个非限定性实施方案之前，应当理解本专利技术不将它的应用局限于这里所示和所讨论的具体的非限定性实施方案的细节，因为本专利技术可以是其他实施方案。此外，这里用于讨论本专利技术的术语是出于说明而非限制性目的。仍然另外的，除非另有指示，否则在下面的讨论中相同的数字表示相同的元件。通常，但非限制本专利技术，本专利技术优选的非限定性实施方案涉及一种掺杂的氧化锡层，其通过化学气相沉积(本领域称作“CVD”)热解涂覆方法施用到苏打-石灰二氧化硅玻璃基底上，来提供玻璃基底，其的初始性能在本专利技术随后的实施方案中得以增强。为了完全的理解本专利技术，将分别讨论本专利技术的具体的非限定性实施方案。本专利技术的具体实施方案涉及但不限于方面(1)涉及一种在玻璃基底表面之上或上面的结晶的掺杂的氧化锡涂层；方面(2)涉及一种涂覆在玻璃基底表面上面或之上的无定形掺杂的氧化锡膜，和方面(3)涉及方面(1)和(2)的涂覆的基底的用途。本专利技术的非限定性实施方案将涉及涂层，其施用到通过浮法制造的苏打-石灰-硅酸盐连续玻璃带上。但是本专利技术不限于此，并且该涂层可以施用到任何类型的基底上，例如金属，塑料，任何组成的玻璃，其在处于或者高于涂覆温度时是结构稳定的，例如但不限于400华氏度(“°F”)。此外，该涂层可以施用到具有任何形状的玻璃上，例如但不限于平的玻璃板，成形的玻璃板，例如但不限于用于汽车车窗、飞机窗、家用和公共窗户和用于机柜例如冰箱和炉子的窗子的形状。方面(1)：本专利技术的非限定性实施方案涉及一种在玻璃基底表面之上或上面的结晶的掺杂的氧化锡涂层。在本专利技术的一种优选的非限定性实施方案中，该掺杂的氧化锡层是氟掺杂的氧化锡层，其通过CVD热解涂覆方法(下文中也称作“CVD方法”)施用到颜色抑制层之上或上面。在本专利技术的该优选的实践中，本专利技术的掺杂的氧化锡层和颜色抑制层被施用到连续的玻本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种涂覆的玻璃板，其包含：玻璃基底，和在该玻璃基底表面上的导电膜，该导电膜的薄膜电阻范围在9.5‑14.0欧姆/平方；发射率是0.14‑0.17和在400‑1100纳米波长范围中的吸收系数大于1.5x103cm‑1，和表面高度均方根小于15纳米，其中所述性能是在3.2毫米的基底厚度测定的。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2012.01.10 US 61/584,837;2013.01.08 US 13/736,3161.一种涂覆的玻璃板，其包含：具有表面的玻璃基底，和在该玻璃基底表面上的热解化学气相沉积的氟掺杂的氧化锡膜，和在该热解化学气相沉积的氟掺杂的氧化锡膜和基底之间的包含混合的金属氧化物的梯度层的颜色抑制层，该热解化学气相沉积的氟掺杂的氧化锡膜的薄膜电阻范围在9.5-14.0欧姆/平方；发射率是0.14-0.17和在400-1100纳米波长范围中的吸收系数大于1.5x103cm-1，和表面高度均方根小于15纳米，其中所述薄膜电阻、发射率、吸收系数和表面高度均方根是在3.2毫米的基底厚度测定的，该热解化学气相沉积的氟掺杂的氧化锡膜的厚度是500-540纳米且氟与氧化锡原子比是0.006-0.010，其中该热解化学气相沉积的氟掺杂的氧化锡膜具有第一表面和相对的第二表面，该第一表面面向该玻璃基底且该第二表面远离该玻璃基底，该热解化学气相沉积的氟掺杂的氧化锡膜的第二表面包含结晶表面，其中氟掺杂的氧化锡导电膜的晶体的取向为(200)随后是(211)，并且通过θ/2θx-射线衍射来测定，其中(200)随后是(211)的晶体取向提供了小于15纳米的表面高度均方根和范围在9.5-14.0欧姆/平方的薄膜电阻。2.根据权利要求1的涂覆的玻璃板，其中该热解化学气相沉积的氟掺杂的氧化锡膜的表面的摩擦系数小于1.2。3.一种涂覆的玻璃板，其包含：玻璃基底，和在该玻璃基底表面上的导电膜，该导电膜包含在该玻璃基底表面上的掺杂的氧化锡热解沉积的膜，其中该掺杂的氧化锡膜的掺杂剂是氟或者合金化成分，所述合金化成分选自磷、硼和磷和硼的混合物，其中该热解化学气相沉积的氟掺杂的氧化锡膜具有第一表面和相对的第二表面，该第一表面面向该玻璃基底且该第二表面远离该玻璃基底，该热解化学气相沉积的氟掺杂的氧化锡膜的第二表面包含结晶表面，其中氟掺杂的氧化锡导电膜的晶体的取向为(200)随后是(211)，并且通过θ/2θx-射线衍射来测定，其中(200)随后是(211)的晶体取向提供了小于15纳米的表面高度均方根和范围在9.5-14.0欧姆/平方的薄膜电阻。4.根据权利要求3的涂覆的玻...
【专利技术属性】
技术研发人员：A·甘卓，D·R·哈斯金斯，J·W·麦卡米，G·J·内里斯，P·托施，
申请(专利权)人：PPG工业俄亥俄公司，
类型：发明
国别省市：美国;US
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