一种像素结构及采用该像素结构的有机发光显示器制造技术

技术编号:10408608 阅读:337 留言:0更新日期:2014-09-10 17:56
本发明专利技术公开了一种像素结构及采用该像素结构的有机发光显示器。其中,该像素结构包括有多个像素,每个像素由多个子像素构成,至少一个像素构成一个像素单元。本发明专利技术通过合理的像素排布结构,通过将相邻像素的子像素共用Mask上的一个开口蒸镀,可增加蒸镀时Mask的开口面积,降低Mask工艺制作的难度,也降低了蒸镀工艺的难度。蒸镀Mask相邻像素的子像素时不需预留gap,在保持开口率的要求同时,可实现真正的高PPI。另外,本发明专利技术还可增加Mask的强度,使其在使用过程中不易变形,提高产品良率,增加Mask的寿命,降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种像素结构及采用该像素结构的有机发光显示器本申请是申请号为201310747572.1,申请日为2013年12月31日,名称为“一种像素结构及采用该像素结构的有机发光显示器”的专利技术专利申请的分案申请。
本专利技术涉及有机发光显示
,具体地说,是一种像素结构及采用该像素结构的有机发光显示器。
技术介绍
OLED(OrganicLight-EmittingDiode,有机发光二极管)是主动发光器件。与传统的LCD(LiquidCrystalDisplay,液晶显示器)显示方式相比,OLED显示技术无需背光灯,具有自发光的特性。OLED采用非常薄的有机材料膜层和玻璃基板,当有电流通过时,有机材料就会发光。因此OLED显示屏能够显著节省电能,可以做得更轻更薄,比LCD显示屏耐受更宽范围的温度变化,而且可视角度更大。OLED显示器有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术,是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。OLED屏体的彩色化方法有许多种,现在较为成熟并已经成功量产的OLED彩色化技术是OLED蒸镀技术,其采用传统的RGBStripe(RGB条状)排列方式进行蒸镀。其中画面效果最好的是side-by-side(并置)的方式。side-by-side方式是在一个像素(Pixel)范围内有红、绿、蓝(R、G、B)三个子像素(sub-pixel),每个子像素均呈四边形,且各自具有独立的有机发光元器件,它是利用蒸镀成膜技术透过高精细金属掩膜板(FineMetalMask,FMM)在array(阵列)基板上相应的像素位置形成有机发光元器件。制作高PPI(PixelPerInch,点每英寸)OLED屏体的技术重点在于精细及机械稳定性好的高精细金属掩膜板,而高精细金属掩膜板的关键在于像素及子像素的排布方式。目前业界已经有缝(slit)、槽(slot)、Pentile和IGNIS等排布方式,但由于掩模板(Mask)开口面积有规格下限,以及为了避免制作过程受公差(tolerance)的影响,相邻像素的开口之间需要预留间隙(gap)而导致像素密度,如PPI无法得到大幅提升,以及像素排列不是真实意义上的真彩显示等原因,使得以上方案还不能很好的解决像素密度提升的问题。传统的像素排布方式,每个像素分别由R、G、B三色组成。如图1所示的像素排布方式,在一个像素内分成R、G、B三个相互平行的子像素,每个子像素均呈四边形,根据对应RGB器件性能的不同来调节R、G、B子像素对应四边形的大小。如图1所示,像素区域100包括R子像素区域101、R发光区102、G子像素区域103、G发光区104、B子像素区域105及B发光区106,图中所示R、G、B子像素的区域和发光区面积分别相等,实施时根据需要面积可作调整。图1A和图1B分别为对应于图1的两种蒸镀Mask。其中,图1A、图1B中的107、109为Mask遮挡区,蒸镀区开口108、110的开口可以是缝(slit)或槽(slot)两种。图1A为slit式蒸镀Mask,其相对应的金属掩膜板开口大小与子像素的大小相对应。该金属掩膜板的开口方式主要特点是在屏体内同一列的所有子像素共用同一个开口,金属掩膜板开口在长度方向上较长,随着显示屏尺寸的增大,金属掩膜板的开口长度也需要随之增长,相邻开口之间的非开口部分形成金属长条(stripe)。Slit开口方式对于低PPI的OLED屏体来说,金属掩膜板上相邻开口的间距较大,金属长条较宽,金属掩膜板的制作及使用管理较容易。但是此种开口方式在高PPI的OLED屏体应用时,高精细金属掩膜板上相邻开口的间距变小,金属长条较细,金属掩膜板在使用过程中金属长条容易受磁铁板磁力线方向的影响而变形,造成子像素间不同颜色材料相互污染而混色,产品的生产良率较低。此外,此种金属掩膜板在使用、清洗和保管过程中也容易受损变形,重复利用率不高,因为金属掩膜板的成本高,所以此种方式制作的屏体成本也较高。图1B为slot式蒸镀Mask,该种金属掩膜板的开口方式主要特点是在slit开口中位于像素间的位置增加了bridge(连接桥),连接相邻的金属长条,将原来的一个长条开口改变成多个开口单元。此方法使得金属掩膜板的金属长条较为稳固,解决了上述slit开口方式金属长条容易受磁力线及外力影响而变形的问题。但是在考虑金属掩膜板长尺寸精度,为了避免蒸镀时对子像素产生遮蔽效应,子像素与bridge间必须保持足够的距离,子像素的上下的长度缩小,而影响了每一个子像素的开口率。上述各方式中,Mask上的每个开口只能对应一个或一条相同颜色的子像素,其排布密度不能提高,因而分辨率就无法提高。而且受Mask工艺水平的影响,此Mask上的开口不能过小,由于蒸镀会产生“阴影效应”,两个发光区之间还需要预留一定的余量,防止因“阴影效应”而产生混色,因此Mask开口也不能做得很小,否则还会影响到开口率。加拿大IGNIS公司在其申请的公开号为US20110128262的美国专利中,提出了一种像素阵列的排布方式,但是其子像素仍然各自呈四边形,只是子像素相对位置关系和slit和slot排布方式不同,三种子像素呈“品”字型排列。如图2所示,像素区域200包括R子像素区域201,R发光区202,G子像素区域203,G发光区204,B子像素区域205,B发光区206。图2A和图2B分别为对应于图2的B子像素的两种蒸镀Mask,图2C为对应于图2的R子像素或G子像素的蒸镀Mask,Mask开口相当于将一个像素分为两个子像素,图中所示的阴影区域207、209、211分别为蒸镀遮挡区,蒸镀B子像素的蒸镀开口208、210可以是slit或slot,蒸镀开口212为R或G子像素的Mask开口,仍对应一个子像素,即其长宽尺寸相当于一个子像素的长宽尺寸。该种方式中,像素做周期性水平及垂直的平移形成了行与列的像素阵列。红色和绿色子像素相对应金属掩膜板的开口间距相对较大,可以在一定程度上实现高PPI显示。像素周期性排布的结果,是像素阵列中的蓝色子像素形成直线排布,使得相对应的金属掩膜板必须使用前述slit或者前述slot的开口方式,但是如上所述slit和slot开口方式均存在缺陷,导致IGNIS的像素阵列排布方式中蓝色金属掩膜板的开口方式严重影响了子像素开口率和PPI的进一步提升。此外,有机发光显示器件,通常会随着分辨率的提升而子像素的开口率降低,最终结果是导致单色器件的工作亮度提升和显示屏的寿命缩短。因此亟需一种新的像素设计技术,来保证R、G、B子像素开口率和提高屏体的分辨率。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种可以有效提高OLED显示器分辨率,并可降低制造成本、提高产品良率的像素结构,以及采用这种像素结构的有机发光显示器。为了解决上述技术问题,本专利技术提供了一种像素结构,包括有多个像素,每个像素由多个子像素构成,至少一个像素构成一个像素单元,横向相邻的像素单元呈水平镜像排布,或纵向相邻的像素单元呈垂直镜像排布,或横向相邻的像素单元排布结构相同,或将其中任一像素单元以像素单元的中心点旋转180度后,其排布结构与纵向相邻像素单元的排布结构相同,或其中任一像素单元排布结构与其对角线方向上的相邻像素单元的排布结构呈垂直镜像。进一步地本文档来自技高网
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一种像素结构及采用该像素结构的有机发光显示器

【技术保护点】
一种像素结构,包括有多个像素,每个像素由多个子像素构成,其特征在于,至少一个像素构成一个像素单元,横向相邻的像素单元呈水平镜像排布,或纵向相邻的像素单元呈垂直镜像排布,或横向相邻的像素单元排布结构相同,或将其中任一像素单元以像素单元的中心点旋转180度后,其排布结构与纵向相邻像素单元的排布结构相同,或其中任一像素单元排布结构与其对角线方向上的相邻像素单元的排布结构呈垂直镜像。

【技术特征摘要】
1.一种像素结构,包括有多个像素,每个像素分别由R、G、B子像素构成,所述R、G、B子像素均为三角形,其特征在于,每个像素单元由纵向相邻的奇数个像素或横向相邻的奇数个像素构成,横向相邻的像素单元呈水平镜像排布,且将其中任一像素单元以像素单元的中心点旋转180度后,其...

【专利技术属性】
技术研发人员:张伸福邱勇彭兆基
申请(专利权)人:昆山国显光电有限公司昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司
类型:发明
国别省市:江苏;32

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