当前位置: 首页 > 专利查询>南京大学专利>正文

一种HfS3纳米带的制备方法及其制备的HfS3纳米带和用途技术

技术编号:10406432 阅读:85 留言:0更新日期:2014-09-10 15:44
一种制备HfS3纳米带材料的方法,将铪粉末与升华硫粉末按照1:3比例混合,充分研磨至混合均匀,将混合好的反应原料装入一端封闭的石英管中,抽真空,焰封。将密封好的石英管水平放入卧式管式炉中,在一定温度下反应一段时间后,石英管内生成产物三硫化铪(HfS3)纳米带。由本发明专利技术HfS3纳米带材料制备FET或光探测器器件,FET为p型半导体,可见光探测器在可见光的波长范围内具有敏感的光电特性。本发明专利技术公开了其制法。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种制备HfS3纳米带的方法,其特征是:首先将铪粉末与升华硫粉末按照1:3比例混合,充分混合均匀,然后,将混合好的反应原料装入一端封闭的石英管中,抽真空,焰封,将密封好的石英管水平放入卧式管式炉中,在550‑750℃下反应5‑20h,产物三硫化铪(HfS3)纳米带就在石英管内生成,反应结束后,石英管自然冷却至室温,开管后,用摄子将产物取出,制得表面光滑、宽度为300‑500nm,长度为30‑50微米的HfS3纳米带。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员:朱俊杰熊维伟吴兴才陈晋强
申请(专利权)人:南京大学
类型:发明
国别省市:江苏;32

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1