一种基于二极管桥实现的忆阻混沌信号发生器制造技术

本发明专利技术公开一种基于二极管桥实现的忆阻混沌信号发生器，二极管桥级联RC滤波器构成的忆阻器M包括二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、电阻R、电容C；二极管D1负极端与二极管D2负极端相连，记作e端；二极管D2正极端与二极管D3负极端相连，记作f端；二极管D3正极端与二极管D4正极端相连，记作g端；二极管D4负极端与二极管D1正极端相连，记作h端；h端、f端分别与电容C2的正、负极端相连；电阻R的正、负极端分别与电容C的正、负极端相连；通过用结构简单且有双端输入特性优点的二极管桥级联RC滤波器构成的忆阻等效电路替换规范式蔡氏电路中的蔡氏二极管，通过调节系统参数即可产生多种混沌现象。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种基于二极管桥实现的忆阻混沌信号发生器，其特征是：包括：负阻G、电容、电容、电感L、二极管桥级联RC滤波器构成的忆阻器M，负阻G正、负极端分别与电容的正、负极端相连，分别记做a、b端；二极管桥级联RC滤波器构成的忆阻器M的正、负极端分别与电容的正、负极端相连，并分别记做c、d端；电感L的正极端、负极端分别连接电容的正极端、电容的正极端。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：包伯成，于晶晶，胡丰伟，姜盼，王春丽，
申请(专利权)人：常州大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32