高抗拉强度并可降低交流电阻的圆形导体制造技术

本发明专利技术公开了一种高抗拉强度并可降低交流电阻的圆形导体，包括内圆体、外圆体和正电荷存储体，外圆体套设于内圆体外部，内圆体和外圆体之间设有正电荷存储体，该正电荷存储体中存储有正电荷，内圆体和正电荷存储体之间设有第一绝缘层，正电荷存储体和外圆体之间设有第二绝缘层；当外圆体通过交流电时，正电荷存储体中的正电荷可将外圆体外表层的部分自由导电电子吸引到外圆体的内部，从而使外圆体内流动的电子分布趋向均匀，降低外圆体外表层中影响电子流动的交流电阻，降低电能损耗，提高圆形导体的使用效率。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了一种高抗拉强度并可降低交流电阻的圆形导体，包括内圆体、外圆体和正电荷存储体，外圆体套设于内圆体外部，内圆体和外圆体之间设有正电荷存储体，该正电荷存储体中存储有正电荷，内圆体和正电荷存储体之间设有第一绝缘层，正电荷存储体和外圆体之间设有第二绝缘层；当外圆体通过交流电时，正电荷存储体中的正电荷可将外圆体外表层的部分自由导电电子吸引到外圆体的内部，从而使外圆体内流动的电子分布趋向均匀，降低外圆体外表层中影响电子流动的交流电阻，降低电能损耗，提高圆形导体的使用效率。【专利说明】高抗拉强度并可降低交流电阻的圆形导体
本专利技术涉及一种圆形导体，尤其涉及一种高抗拉强度并可降低交流电阻的圆形导体。
技术介绍
现有的圆形导体，在传输较高频率的交流电的过程中，存在着“趋肤效应”，即，圆形导体传输交流电时，导体内部电流分布不均匀，电流集中在导体外表薄层，而导体内部电流较小；趋肤效应增加了导体的交流电阻，造成了额外的电能损耗，且降低了导体的利用效率。
技术实现思路
鉴于上述原因，本专利技术的目的在于提供一种高抗拉强度并可降低交流电阻的圆形导体，该圆形导体设有存储正电荷的正电荷存储体，利用该圆形导体传输较高频率交流电时，可使流动的电子在外圆体中趋向均匀分布，进而降低圆形导体外圆体外表层中的交流电阻，降低电能损耗，提高圆形导体的利用率。为实现上述目的，本专利技术采用如下技术方案:一种高抗拉强度并可降低交流电阻的圆形导体，包括内圆体和外圆体，外圆体套设于内圆体外部，还包括正电荷存储体，该正电荷存储体设于内圆体和外圆体之间，该正电荷存储体中存储有正电荷。进一步的，所述内圆体和正电荷存储体之间设有第一绝缘层。所述正电荷存储体和外圆体之间设有第二绝缘层。所述内圆体由高抗拉强度材料制作，所述外圆体由良导体材料制成，所述第一绝缘层及第二绝缘层由绝缘材料制成。本专利技术优点在于:本专利技术的圆形导体，在传输较高频率交流电时，能使流动的电子在外圆体中趋向均匀分布，进而降低圆形导体外圆体外表层中的交流电阻，降低电能损耗，提高圆形导体的利用率。【专利附图】【附图说明】图1是本专利技术的圆形导体的结构示意图。图2是本专利技术的圆形导体的剖面图。【具体实施方式】以下结合附图和实施例对本专利技术作进一步详细的描述。图1是本专利技术的圆形导体的结构示意图，图2是本专利技术的圆形导体的剖面图。如图所示，本专利技术公开的高抗拉强度并可降低交流电阻的圆形导体，包括内圆体1、外圆体2和正电荷存储体3，外圆体2套设于内圆体I外部，内圆体I和外圆体2之间设有正电荷存储体3，该正电荷存储体3中存储有正电荷，当外圆体2通过交流电时，正电荷存储体3中的正电荷可将外圆体2外表层的部分自由导电电子吸引到外圆体2的内部，从而使外圆体内流动的电子分布趋向均匀，降低外圆体外表层中影响电子流动的交流电阻，降低电能损耗，提高圆形导体的使用效率；内圆体I和正电荷存储体3之间还设有第一绝缘层4，该第一绝缘层4的内层与内圆体I紧密结合，其外层与正电荷存储体3紧密结合，第一绝缘层4可防止正电荷存储体3中的正电荷跑入内圆体I ;正电荷存储体3和外圆体2之间设有第二绝缘层5，该第二绝缘层5的内层与正电荷存储体3紧密结合，其外层与外圆体2紧密结合，第二绝缘层5可防止正电荷存储体3中的正电荷跑入外圆体2 ;内圆体1、外圆体2、正电荷存储体3、第一绝缘层4及第二绝缘层5的圆形截面的圆心重合。其中，内圆体I由高抗拉强度材料(如，钢)制作，外圆体2由良导体材料(如，铜)制成，正电荷存储体3由非良导体材料(如，硅)制成，第一绝缘层4及第二绝缘层5由绝缘材料(如，聚乙烯)制成。需要说明的是，正电荷存储体中存储的正电荷数量，与正电荷存储体的截面积及其所使用的材料，第一、第二绝缘层厚度及其所使用的材料，以及导电体通过的电流、电压等有关，不同的材料对应不同的 计算方法，且各种适用材料对应的计算方法已属于现有技术，本专利技术中不再一一列举赘述。本专利技术的是:使用长圆形高抗拉强度材料制成内圆体，在内圆体的外表面紧密结合薄的第一绝缘层，在第一绝缘层的外表面紧密结合正电荷储存体，将适量的正电荷注入正电荷存储体中，在正电荷存储体外紧密结合第二绝缘层，使用相应的模具和挤压拉伸技术将外圆体紧密结合于第二绝缘层的外表面。使用本专利技术的高抗拉强度并可降低交流电阻的圆形导体时，只要将其外圆体的端部与其它导体、或接线端、或交流电源连接即可；将圆形导体的内圆体端部与高强度的固定物连接，就可提高圆形导体的高抗拉强度。以上所述是本专利技术的较佳实施例及其所运用的技术原理，对于本领域的技术人员来说，在不背离本专利技术的精神和范围的情况下，任何基于本专利技术技术方案基础上的等效变换、简单替换等显而易见的改变，均属于本专利技术保护范围之内。【权利要求】1.高抗拉强度并可降低交流电阻的圆形导体，包括内圆体和外圆体，外圆体套设于内圆体外部，其特征在于， 还包括正电荷存储体，该正电荷存储体设于内圆体和外圆体之间，该正电荷存储体中存储有正电荷。2.如权利要求1所述的高抗拉强度并可降低交流电阻的圆形导体，其特征在于，所述内圆体和正电荷存储体之间设有第一绝缘层。3.如权利要求2所述的高抗拉强度并可降低交流电阻的圆形导体，其特征在于，所述正电荷存储体和外圆体之间设有第二绝缘层。4.如权利要求3所述的高抗拉强度并可降低交流电阻的圆形导体，其特征在于，所述内圆体由高抗拉强度材料制作，所述外圆体由良导体材料制成，所述第一绝缘层及第二绝缘层由绝缘材料制成。【文档编号】H01B9/04GK104021873SQ201410203099【公开日】2014年9月3日 申请日期:2014年5月14日 优先权日:2014年5月14日 【专利技术者】张念鲁 申请人:北京联合大学本文档来自技高网...

【技术保护点】
高抗拉强度并可降低交流电阻的圆形导体，包括内圆体和外圆体，外圆体套设于内圆体外部，其特征在于，还包括正电荷存储体，该正电荷存储体设于内圆体和外圆体之间，该正电荷存储体中存储有正电荷。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张念鲁，
申请(专利权)人：北京联合大学，
类型：发明
国别省市：北京;11