阵列基板和显示面板制造技术

本实用新型专利技术提供一种阵列基板，包括多条数据线和多条公共电极线，所述阵列基板还包括放电单元，至少一条所述数据线和至少一条所述公共电极线之间设置有所述放电单元，所述放电单元能够将与该放电单元相连的数据线和与所述放电单元相连的所述公共电极线选择性地导通。本实用新型专利技术还提供一种包括所述阵列基板的显示面板。在本实用新型专利技术中，所述放电单元可以将与该放电单元相连的数据线和与所述放电单元相连的所述公共电极线选择性地导通，从而实现所述存储电容快速放电，减少残像现象的发生。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本技术提供一种阵列基板，包括多条数据线和多条公共电极线，所述阵列基板还包括放电单元，至少一条所述数据线和至少一条所述公共电极线之间设置有所述放电单元，所述放电单元能够将与该放电单元相连的数据线和与所述放电单元相连的所述公共电极线选择性地导通。本技术还提供一种包括所述阵列基板的显示面板。在本技术中，所述放电单元可以将与该放电单元相连的数据线和与所述放电单元相连的所述公共电极线选择性地导通，从而实现所述存储电容快速放电，减少残像现象的发生。【专利说明】阵列基板和显不面板
本技术涉及液晶显示
，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
技术介绍
薄膜晶体管显示器(TFT-1XD)经过最近几十年的发展，由于其高品质画质，低功率及低成本等优点，得到了广泛应用。在液晶显示器的工作过程中，当液晶显示器进行图像显示时，与像素电极对应的薄膜晶体管打开，信号可通过数据线传递到像素电极上，即为像素电极和公共电极形成的存储电容充电，当液晶显示器不显示图像时(即，显示两帧画面之间时)，像素电极和公共电极形成的存储电容进行放电。但随着显示器分辨率的提高，由于像素电极对应的存储电容放电速度有限，从而导致在两帧画面跳变的过程中出现残像问题，降低了产品质量。因此，如何提高像素电极所对应的存储电容放电的速度成为本领域亟待解决的技术问题。
技术实现思路
为了解决上述问题，本技术的目的在于提供一种阵列基板和包括该阵列基板的显示面板，所述阵列基板可以提高数据线对应的存储电容的放电速度。为了实现上述目的，本技术提供一种阵列基板，包括多条数据线和多条公共电极线，所述阵列基板还包括放电单元，至少一条所述数据线和至少一条所述公共电极线之间设置有所述放电单元，所述放电单元能够将与该放电单元相连的数据线和与所述放电单元相连的所述公共电极线选择性地导通。优选地，所述阵列基板还包括驱动电路，所述放电单元包括第一薄膜晶体管，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述驱动电路的输出端相连，所述第一薄膜晶体管的源极和漏极中的一者与所述数据线相连，另一者与所述公共电极线相连，所述驱动电路能够输出使所述第一薄膜晶体管选择性地开启的控制信号。优选地，所述阵列基板还包括连接在所述驱动电路的输出端的开关信号线，所述第一薄膜晶体管的栅极与所述开关信号线相连，以通过所述开关信号线与所述驱动电路的输出端相连。优选地，所述阵列基板包括多个所述放电单元，多条所述公共电极线中的一条与每条数据线之间均设置有一个所述放电单元。优选地，与所述放电单元相连的公共电极线为多条所述公共电极线中的第一行公共电极线。优选地，所述开关信号线与至少一条所述数据线之间设置有静电防护单元，所述数据线上的静电能够通过所述静电防护单元释放至所述开关信号线。优选地，所述静电防护单元包括第二薄膜晶体管和第三薄膜晶体管，所述第二薄膜晶体管为N型薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管为P型薄膜晶体管；或者，所述第二薄膜晶体管为P型薄膜晶体管，所述第三薄膜晶体管为N型薄膜晶体管；所述第二薄膜晶体管的源极和漏极中的一者与所述开关信号线相连，另一者与所述数据线相连，所述第二薄膜晶体管的栅极与所述开关信号线相连，所述第三薄膜晶体管的源极和漏极中的一者与所述数据线相连，另一者与所述开关信号线相连，所述第三薄膜晶体管的栅极与所述数据线相连。优选地，每条所述数据线与所述开关信号线之间均设置有所述静电防护单元。优选地，所述阵列基板还包括与所述数据线相连的测试单元，该测试单元用于向所述数据线提供测试信号。优选地，所述测试单元包括测试线和至少一个第四薄膜晶体管，每个第四薄膜晶体管对应一条数据线，每个第四薄膜晶体管均连接在相应的所述数据线与所述测试线之间，所述第四薄膜晶体管的栅极与所述开关信号线连接，所述第四薄膜晶体管的源极和漏极中的一者与相应的所述数据线相连，另一者与所述测试线相连。优选地，所述阵列基板的像素区域中设置有红色像素电极、绿色像素电极和蓝色像素电极，所述红色像素电极、所述绿色像素电极和所述蓝色像素电极分别与相应的数据线相连，所述测试线包括为所述红色像素电极提供测试信号的第一测试线、为所述绿色像素电极提供测试信号的第二测试线和为所述蓝色像素电极提供测试信号的第三测试线。优选地，每条数据线和所述测试线之间均设置有一个所述第四薄膜晶体管。优选地，所述测试单元包括多个第四薄膜晶体管，位于相同所述像素区域的所述红色像素电极、所述绿色像素电极和所述蓝色像素电极分别对应的所述第四薄膜晶体管的栅极相互连接。相应地，本技术还提供一种显示面板，包括阵列基板，其中，所述阵列基板本技术所提供的阵列基板。在本技术中，所述阵列基板包括放电单元，所述放电单元可以将与该放电单元相连的数据线和与所述放电单元相连的所述公共电极线选择性地导通，从而实现对所述数据线对应的存储电容快速放电，减少残像现象的发生；另一方面，所述阵列基板还包括静电防护单元和检测单元，所述放电单元、所述静电防护单元和所述检测单元均与所述开关信号线相连，因而在实现减少数据线上的静电和液晶屏检测的同时简化了所述阵列基板的结构。【专利附图】【附图说明】附图是用来提供对本技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的【具体实施方式】一起用于解释本技术，但并不构成对本技术的限制。在附图中:图1所示的是本技术所提供的实施方式中放电单元的结构示意图；图2所示的是实施方式中同时设置放电单元和静电防护单元的结构示意图；图3所示的是实施方式中静电防护单元的结构示意图；图4所示的是实施方式中测试单元和静电防护单元的结构示意图；图5所示的是实施方式中测试单元和静电防护单元的另一结构示意图。附图标记说明1:数据线；2、公共电极线；3:开关信号线；4:第一测试线；5:第二测试线；6:第三测试线；7:红色像素电极；8:绿色像素电极；9:蓝色像素电极；10:测试单元^:第一薄膜晶体管；M2:第二薄膜晶体管；M3:第三薄膜晶体管；M4:第四薄膜晶体管。【具体实施方式】以下结合附图对本技术的【具体实施方式】进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的【具体实施方式】仅用于说明和解释本技术，并不用于限制本技术。本技术提供一种阵列基板，包括多条数据线I和多条公共电极线，所述阵列基板还包括放电单元，至少一条数据线I和至少一条公共电极线2之间设置有所述放电单元，所述放电单元可以将与该放电单元相连的数据线I和与所述放电单元相连的公共电极线2选择性地导通。众所周知的是，阵列面板包括与数据线I相连的像素电极和与该像素电极对应的公共电极，所述像素电极与所述公共电极之间形成存储电容。当包括所述阵列基板的显示面板显示图像时，像素电极与公共电极形成的存储电容充满电荷，以在像素电极与公共电极之间形成电场，控制液晶分子的偏转角度；在显示面板显示的两帧图像之间，显示面板不显示图像，需要将充满在像素电极和公共电极上的电荷释放。上文中所述的“选择性地导通”是指，当所述显示面板不显示图像时(即，显示两帧画面之间)，所述放电单元将与该放电单元相连的数据线I和与所述放电单元相连的公共电极线2导通(例如 ，可以由控制器产生与不显示图像相对应的控制信号，使得放电单元将数据线I和公共电极线本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阵列基板，包括多条数据线和多条公共电极线，其特征在于，所述阵列基板还包括放电单元，至少一条所述数据线和至少一条所述公共电极线之间设置有所述放电单元，所述放电单元能够将与该放电单元相连的数据线和与所述放电单元相连的所述公共电极线选择性地导通。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：魏向东，郝学光，李成，安星俊，柳奉烈，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，鄂尔多斯市源盛光电有限责任公司，
类型：新型
国别省市：北京;11