【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种促发梨苗中心干多发枝的刻芽技术，即在强壮单干梨苗上于萌芽前采取多位重刻芽，促使中心干上发枝数量显著增加，上下枝条生长势较为均匀，多数枝条顶端能够形成花芽，有利于“细长窄冠”树形的培养。适宜在采用省力、高效、现代栽培模式的梨园推广应用。【专利说明】一种促发梨苗中心干多发枝的刻芽技术
本专利技术涉及一种促发梨苗中心干多发枝的刻芽技术。
技术介绍
我国在以往梨园建立中，多采用单干苗木定植，虽然有时也采用刻芽技术，但多为定向促发主枝，刻芽数量较少。导致幼树发枝数量较少，促发的枝条较长，进入结果期和丰产期较晚。据本专利专利技术人试验，采用梨省力、高效、现代栽培模式，利用大砧嫁接培育出强干壮苗，翌年在其中心干上采用多位重刻芽的方法，能够有效地提高发枝数量，便于“细长窄冠”树形的培养，显著地提早了结果和丰产期。
技术实现思路
本专利技术创建了一种在强干梨苗上进行多位重刻芽的方法。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:在强干梨苗上采用多位重刻芽技术，能够提高梨幼树发枝的数量和枝条长势的均匀度，成花数量多，便于“细长窄冠”树形的形成。本专利技术的具体内容，即在强干梨苗上多位重刻芽的方法如下: 1、刻芽对象:利用大砧木嫁接培育的一年生苗木，高度在160cm以上，苗木嫁接口上5cm处直径在1.5cm以上。2、刻芽时期:春季苗木萌芽前一周内进行。3、刻芽方法:除了苗木基部50cm和顶端30cm不刻芽外，对中心干上所有的芽均重刻伤。刻芽工具可采用壁纸刀或长柄手术刀。刻芽部位在芽上方0.5cm处，刻伤长度为枝条周长的1/2~3/4，切口深...
【技术保护点】
一种促发梨苗中心干多发枝的刻芽技术，其特征在于包括以下几个步骤：（1）刻芽对象选择 一年生梨苗高度在160cm以上，嫁接口上部5cm处直径在1.5cm以上，单干无分枝；（2）刻芽范围 除了苗木基部50cm和顶端30cm外，其余所有的侧芽均进行刻芽处理；（3）刻芽部位及程度 刻芽部位在芽上方0.5cm处，刻伤长度为枝条周长的1/2~3/4，切口深达木质部。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：张建光，张玉星，许建锋，张江红，
申请(专利权)人：河北农业大学，
类型：发明
国别省市：河北;13
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