侦测半导体装置的方法及系统、半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术是有关于一种侦测半导体装置的方法及系统、半导体装置及其制造方法。其提供用以检测在半导体、半导体装置或基板中的缺陷的方法及系统。也提供具有新形测试图案及/或设计的半导体、半导体装置或基板。其中具有多个线路图案的半导体、半导体装置或基板产生一反应。多个线路图案对应于一反应刺激物（如电子束辐射）。反应刺激物可以包括一电子束辐射，且该反应产生一影像资料，该影像资料可被收集及处理以产生用以指出表面及/或内部缺陷的影像。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置。特别是涉及一种新型检测图形设计及一种使用此检测图形设计以辨识在沉积金属层中的缺陷的方法。
技术介绍
半导体装置的制造通常是需要建立(creating)导电金属的线路图案，以相互连接半导体装置的不同层。这可能涉及一种“镶嵌式工艺”。因此，线路图案可能会形成于半导体装置的一表面的一介电层上或在半导体装置的一表面的一介电层内。举例来说，线路图案可以由蚀刻一绝缘层并填充一导电金属来制成。一选择性移除工艺(例如是机械性研磨或化学机械性研磨)可以被用于确保导电金属设置于已蚀刻的线路图案中。半导体产业的持续趋势是朝向高装置密度却不影响装置的执行效能发展。形成于基板(整体视为芯片)上的半导体的装置尺寸持续地被缩小至次微米(sub-micixm)等级以达成此目的。举例来说，相连线路的宽度及间隔、接触孔的间隔及直径，以及几何表面(例如是角落或边缘)皆为持续变得更小的特征。当导电金属(例如是铜)被沉积于这些窄/小的相连线路时，导电金属可能会不完全地填充于沟槽的全部直径内而导致一间隙(gap)或一凹处(pit)的形成。再者，由于此种情况，铜具有在周围介电层或绝缘层间形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种侦测一半导体装置的方法，其特征在于其包括以下步骤：提供具有多个线路图案的该半导体装置，该些线路图案设置于一基板上，该些线路图案是借由一互连线路图案连接；暴露该些线路图案至一反应刺激；以及测量该些线路图案至该反应刺激的一反应，其中该些线路图案的该反应指出一表面缺陷、一内部缺陷或其组合。

【技术特征摘要】
2013.02.21 TW 1021060431.一种侦测一半导体装置的方法，其特征在于其包括以下步骤: 提供具有多个线路图案的该半导体装置，该些线路图案设置于一基板上，该些线路图案是借由一互连线路图案连接； 暴露该些线路图案至一反应刺激；以及 测量该些线路图案至该反应刺激的一反应，其中该些线路图案的该反应指出一表面缺陷、一内部缺陷或其组合。2.根据权利要求1所述的侦测一半导体装置的方法，其特征在于其中该些线路图案互相平行。3.根据权利要求2所述的侦测一半导体装置的方法，其特征在于其中该互连线路图案垂直于该些线路图案。4.根据权利要求3所述的侦测一半导体装置的方法，其特征在于其中该互连线路图案是接近于该些线路图案的一末端。5.根据权利要求1所述的侦测一半导体装置的方法，其特征在于其中该反应刺激包括:一光线、一传导、一磁性共振、一声学刺激及一电刺激的至少其中之一。6.根据权利要求1所述的侦测一半导体装置的方法，其特征在于其中暴露该些线路图案至该反应刺激包括:以一电子束辐射照射该些线路图案以提供能量至该些线路图案。7.根据权利要求6所述的侦测一半导体装置的方法，其特征在于其还包括: 收集自该电子束辐射的影像资料；以及 产生至少一个影像资料，该影像资料显示表面缺陷、内部缺陷或其组合。8.根据权利要求1所述的侦测一半导体装置的方法，其特征在于其中该些线路图案包括多个沟槽及至少一导电金属，该些沟槽位于该半导体装置的该表面上，该至少一导电金属设置于该些沟槽内。9.根据权利要求6所述的侦测一半导体装置的方法，其特征在于其中该电子束辐射是借由一电子束侦测工具提供，该电子束侦测工具是一跳跃性电子束侦测工具或一连续性电子束侦测工具。10.根据权利要求1所述的侦测一半导体装置的方法，其特征在于其还包括暴露该半导体装置至一外部电场。11.一种半导体装置，其特征在于其包括: 一基板； 一介电层，设置于该基板上； 多个导电线路图案，设置于该...

【专利技术属性】
技术研发人员：庄严，洪哲伦，李筱玲，
申请(专利权)人：旺宏电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾;71