用于测量有机薄膜的厚度的设备和有机薄膜沉积设备制造技术

本发明专利技术公开了一种用于测量有机薄膜的厚度的设备和具有该设备的有机薄膜沉积设备。所述用于测量有机薄膜的厚度的设备包括：基座；第一支撑件，结合到基座；第二支撑件，包括第一端和第二端，第一端连接到第一支撑件；检测器构件，连接到第二支撑件的第二端，以测量沉积在沉积目标上的有机薄膜的厚度；位置调节器构件，被构造为调节检测器构件的位置。

【技术实现步骤摘要】
用于测量有机薄膜的厚度的设备和有机薄膜沉积设备
本公开涉及一种用于测量有机薄膜的厚度的设备和具有该设备的有机薄膜沉积设备。
技术介绍
根据有机材料的量，电场发光元件可调节由在注入有机薄膜中的电子和空穴复合之后的剩余能量所产生的光的波长，并可实现全色彩。在真空的腔室中使有机薄膜沉积在基板上，并由晶体传感器测量沉积在基板上的有机薄膜的厚度。在
技术介绍
部分中公开的上述信息仅仅为增强对
技术介绍
的理解，因此，上述信息可能包含不是形成已被本国家的本领域普通技术人员所知的现有技术的信息。
技术实现思路
本专利技术的示例性实施例提供一种能够延长晶体传感器的使用寿命的有机薄膜厚度测量单元和具有该有机薄膜厚度测量单元的有机薄膜沉积设备。根据本专利技术的示例性实施例，一种用于测量有机薄膜的厚度的设备可包括:基座；第一支撑件，结合到基座；第二支撑件，包括连接到第一支撑件的第一端和第二端；检测器构件，连接到第二支撑件 的第二端，并被构造为测量沉积在沉积目标上的有机薄膜的厚度；位置调节器构件，被构造为调节检测器构件的位置。根据本专利技术的示例性实施例，位置调节器构件可包括:旋转驱动器，设置在第一支撑件上，并被构造为使第二支撑件绕第二支撑件的一端旋转，从而调节第一支撑件和检测器构件之间的角度。根据本专利技术的示例性实施例，位置调节器构件还可包括:指示器面板，包括显示第一支撑件和第二支撑件之间的角度的第一指示刻度。根据本专利技术的示例性实施例，位置调节器构件可包括:线性运动驱动器，设置在基座上，以沿垂直方向移动第一支撑件，从而调节检测器构件的高度。根据本专利技术的示例性实施例，第一支撑件可包括显示第一支撑件至基座的相对高度的第二指示刻度。本专利技术的另一示例性实施例提供一种用于测量有机薄膜的厚度的设备，该设备可包括:基座；第一支撑件，结合到基座；第二支撑件，包括连接到第一支撑件的第一端和第二端；检测器构件，连接到第二支撑件的第二端，并被构造为测量沉积在沉积目标上的有机薄膜的厚度，其中，检测器构件包括:器皿，可旋转地连接到第二支撑件的第二端，并可绕沿着第二支撑件的长度方向延伸的旋转轴旋转，器皿包括有机材料流入器皿中所通过的开口 ；至少一个传感器，设置在器皿中，并被构造为测量通过开口流入器皿中的有机材料的流量；支撑件，设置在器皿中，并被构造为支撑传感器。根据本专利技术的示例性实施例，所述至少一个传感器可包括多个传感器，并且支撑件可包括旋转盘，所述多个传感器沿旋转盘的边缘排列。本专利技术的又一实施例提供了一种有机薄膜沉积设备，该设备可包括:处理室；沉积源，被构造为将有机材料供应到装载在处理室中的基板；上述测量设备，其中，在处理室内上述测量设备设置在沉积源的旁边。根据本专利技术的示例性实施例，有机薄膜厚度测量单元以及具有该有机薄膜厚度测量单元的有机薄膜沉积设备可确保晶体传感器的长寿命。【附图说明】以下描述的附图仅仅出于说明的目的，且不意在限制本专利技术的范围。图1是示出根据本专利技术的示例性实施例的有机薄膜沉积设备的剖视图。图2是示出图1的有机薄膜厚度测量单元的放大视图。图3是示出图2的感测构件的正视图。图4是沿图3中的线A-A截取的剖视图。图5是示出感测构件位于不同高度的状态的视图。图6是示出从沉积源排放并流入器皿中的有机材料的流量的曲线图。图7是示出在图 5中的(a)状态下传感器的谐振频率关于时间的变化的曲线图。图8是示出在图5中的(b)状态下传感器的谐振频率关于时间的变化的曲线图。【具体实施方式】本专利技术可进行多种改变，并可具有多种形式，但是将详细描述在附图中示出的特定的示例性实施例。然而，应该理解的是，示例性实施例不意在限制本专利技术，且多种改变、变形和等同物可包括在本专利技术的精神和范围内。在对于每个附图的解释中，相同的标号用于相同的构成元件。在附图中，为了本专利技术的清楚起见，夸大并示出了结构的尺寸。第一、第二等术语可用于描述多种构成元件，但是构成元件不应该受到上述术语的限制。这样的术语仅仅用于区分一个构成元件与其他构成元件。例如，在不脱离本专利技术的范围的情况下，第一构成元件可被称为第二构成元件，相似地，第二构成元件可被称为第一构成元件。除非明确地进行相反的描述，否则单数的表达方式包括多数的表达方式。在本申请中，应该理解的是，诸如“包括”或“具有”的术语意在指示存在说明书中描述的特征、数量、步骤、操作、构成元件、部件或它们的任意组合，但是其不排除存在或添加一个或多个其他特征、数量、步骤、操作、构成元件、部件或它们的任意组合的可能性。当层、膜、区域、板等的一部分被称为“在”另一部分“上”时，它可直接在另一部分上，或者可存在中间部分。相反，当层、膜、区域、板等的一部分被称为“在”另一部分“下”时，它可直接在另一部分下，或者可存在中间部分。在下文中，将参照图1至图6详细描述本专利技术的示例性实施例。图1是示出根据本专利技术的示例性实施例的有机薄膜沉积设备10的剖视图。参照图1，有机薄膜沉积设备10包括处理室100、沉积源200、掩模组件300、固定单元400和有机薄膜厚度测量单元500。处理室100提供内部空间，在该内部空间中进行沉积过程。例如，沉积过程可以是通过将有机材料供应到沉积表面(即，基板S的下表面)来沉积有机发射层的过程。在此过程期间，处理室100与真空泵(未示出)相连，从而处理室100的内部保持在真空状态。沉积源200设置在处理室100的内部空间的下部或设置在处理室100的底部，以朝着设置在处理室100的内部空间的上部上的基板S的沉积表面供应有机材料。掩模组件300包括掩模框架320和掩模340，并设置在处理室100的内部空间的上部，从而面对沉积源200。掩模框架320可具有形成有开口 322的矩形形状，掩模框架320与掩模340结合。掩模340形成有缝隙图案(未示出)。基板S设置在掩模组件300的上部上。基板S可被设置为沿向上的方向与掩模组件300的上端隔开预定间隔并与掩模框架320的开口 322的全部区域叠置。由沉积源200供应的有机材料通过掩模框架320的开口 322和掩模340的缝隙图案(未示出)而沉积在基板S的沉积表面上。沉积在基板S上的有机材料的膜具有与掩模340的缝隙图案(未示出)对应的图案。固定单元400设置在从沉积源200供应到基板S的有机材料的运动路径的外侧上，并支撑掩模组件300的边缘部分。有机薄膜厚度测量单元500可设置在沉积源200旁边的位置上，以测量沉积在基板S上的有机薄膜的厚度。在一个实施例中，通过感测沉积在有机薄膜厚度测量单元500的传感器上的有机材料的量并基于沉积在有机薄膜厚度测量单元500的传感器上的有机材料的感测量来确定或估计沉积在基板上的有机薄膜的厚度，可测量沉积在基板上的有机薄膜的厚度。图2是示出图1的有机薄膜厚度测量单元的放大视图。图3是示出图2中的感测构件的正视图，图4是沿图3中的线A-A截取的剖视图。参照图2至图4，有机薄膜厚度测量单元500包括基座510、第一支撑件520、第二支撑件530、感测构件或检测器构件540以及位置调节构件或位置调节器构件560。第一支撑件520沿垂直方向可运动地结合到基座510。第二支撑件530的第一端可旋转地结合到第一支撑件520的上端，第二支撑件530的第二端与用于测量有机薄膜的厚度本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于测量有机薄膜的厚度的设备，所述设备包括：基座；第一支撑件，结合到基座；第二支撑件，包括第一端和第二端，其中，第一端连接到第一支撑件；检测器构件，连接到第二支撑件的第二端，并被构造为测量沉积在沉积目标上的有机薄膜的厚度；位置调节器构件，被构造为调节检测器构件的位置。

【技术特征摘要】
2013.02.22 KR 10-2013-00193891.一种用于测量有机薄膜的厚度的设备，所述设备包括: 基座; 第一支撑件，结合到基座； 第二支撑件，包括第一端和第二端，其中，第一端连接到第一支撑件； 检测器构件，连接到第二支撑件的第二端，并被构造为测量沉积在沉积目标上的有机薄膜的厚度； 位置调节器构件，被构造为调节检测器构件的位置。2.如权利要求1所述的设备，其中，位置调节器构件包括: 旋转驱动器，设置在第一支撑件上，并被构造为使第二支撑件绕第二支撑件的第一端旋转，从而调节第一支撑件和检测器构件之间的角度。3.如权利要求2所述的设备，其中，位置调节器构件还包括: 指示器面板，包括显示第一支撑件和第二支撑件之间的角度的第一指示刻度。4.如权利要求1所述的设备，其中，位置调节器构件包括: 线性运动驱动器，设 置在基座上，并被构造为沿垂直方向移动第一支撑件，从而调节检测器构件的高度。5.如权利要求4所述的设备，其中，第一支撑件包括显示第一支撑件至基座的相对高度的第二指示刻度。6.一种用于测量有机薄膜的厚度的设备，所述设备包括: 基座； 第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李润宰，崔永默，
申请(专利权)人：三星显示有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国;KR