批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法技术

本发明专利技术批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法，涉及半导体器件的测试，步骤是：第一步，建立批量半导体器件参数测试的坐标；第二步，建立二维参数显示空间；第三步，建立三维参数显示空间；第四步，显示批量半导体器件参数测试中重合数据点的变化。本发明专利技术方法采用二维参数空间椭圆及三维参数空间椭球内加入均匀随机分布，通过椭圆以及椭球内点密度反映出批量半导体器件参数测试中重合数据点的数量，克服了现有技术直接采用显示屏中未被使用的像素点显示分布的不均匀的缺陷，解决了现有技术的显示屏的像素点数量不能满足显示批量半导体器件参数测试重合数据点的要求。

【技术实现步骤摘要】
批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法
本专利技术的技术方案涉及半导体器件的测试，具体地说是批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法。
技术介绍
半导体器件在生产过程以及使用之前要求对半导体器件测试，以确定半导体器件参数。由于生产与制造半导体器件工艺仪器及设备精度提高、工艺过程的规范化及半导体器件批量化生产，在对一批制造的半导体器件参数测试中，存在批量的一个甚至几个参数测试结果相同的半导体器件，即存在批量半导体器件参数测试重合数据点。对这些参数测试结果相同的批量半导体器件的显示，即对批量半导体器件参数测试重合数据点的显示十分重要。计算机工程(29(13)，2003(8)：79-81)报道了可视化大量空间数据方法，用显示屏中未被使用的像素点代替重叠的数据点，将重叠的数据点放置在最近的未被使用的像素点以及沿着屏幕填充曲线移动的解决方案，在基于曲线的算法中根据某条屏幕填充曲线计算得到数据点的新位置，并满足与数据点原始位置最为靠近。该采用显示屏最近的未被使用像素点的显示空间数据方法中，由于显示点占据围成紧密区域的面积与数量成正比，使用像素点多少表明重合数据点的数量，而造成显示区域点的密度不变，显示屏中每个方向近邻未被使用的像素点会相同几率均匀地被占用，重合数据点展开后在显示屏中各个方向相同几率的被使用，但是半导体器件中每个参数测试数据点的间距不同，同时采用不被使用像素会受到显示像素点限制，没有考虑到半导体器件参数测试三维重合数据点的显示。
技术实现思路
本专利技术所要解决的技术问题是：提供批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法，采用二维参数空间椭圆及三维参数空间椭球内加入均匀随机分布，通过椭圆以及椭球内点密度反映出批量半导体器件参数测试中重合数据点的数量，克服了现有技术直接采用显示屏中未被使用的像素点显示分布的不均匀的缺陷，解决了现有技术的显示屏的像素点数量不能满足显示批量半导体器件参数测试重合数据点的要求。本专利技术解决该技术问题所采用的技术方案是：批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法，步骤如下：第一步，建立批量半导体器件参数测试的坐标：以批量半导体器件的测试样品序号为横坐标，以测试得到的参数大小为纵坐标，显示该批量半导体器件各个参数数据；第二步，建立二维参数显示空间：用任意两个参数组合二维参数显示空间显示半导体器件参数测试数据点，在该二维参数空间中，以半导体器件原始测试参数数据点为中心，绘制椭圆，椭圆两个轴的长度分别为这两个参数测试数据点各自最小间距的二分之一，在大小相同的椭圆范围内加入均匀随机分布分开存在的半导体器件参数测试的重合数据点，利用该二维参数空间中随机展开数据点密度显示原始数据点的重合程度；第三步，建立三维参数显示空间：用任意三个参数组合三维空间显示半导体器件参数测试数据点，在三维参数空间中，以半导体器件原始测试参数数据点为中心，绘制椭球，椭球三个轴的长度分别为参数Ⅰ、参数Ⅱ和参数Ⅲ三个参数测试数据点各自最小间距的二分之一，在大小相同的椭球范围内加入均匀随机分布分开存在的重合数据点，该三维参数空间中随机展开数据点密度显示原始数据点的重合程度；第四步，显示批量半导体器件参数测试中重合数据点的变化：转动三维参数空间重合数据点的显示，实现三维参数空间不同方位的观察结果，当转动观察轴分别与参数Ⅰ、参数Ⅱ和参数Ⅲ相同方向时实现三维参数空间向二维参数空间的投影，在计算机的显示屏上显示批量半导体器件参数测试中减少的参数测试重合数据点数量的变化；上述步骤中的每个重合数据点随机展开及显示过程被作为程序保存在计算机存储设备中，并且由操作计算机来完成的。上述批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法，每个重合数据点随机展开及显示过程程序的流程如下：相同工艺和测试条件下将批量半导体器件参数测试数据点存入数组A并显示→以半导体器件参数的测试数据点之间最小测试间距二分之一为椭圆轴和椭球轴的长度绘制二维椭圆以及三维椭球→B(1)＝A(1)，计数m＝1→m＝m+1→A(m)与数组B中数据点相同？分别在包含重合数据点二维椭圆以及三维椭球范围内产生随机数据点取代A(m)→返回A(m)与数组B中数据点相同吗？；B(m)＝A(m)→已经检测数组A中所有数据点？返回m＝m+1；显示数组B中数据点。本专利技术的有益效果是：与现有技术相比，本专利技术方法的突出的实质性特点是：现有技术中使用显示屏中最近未被使用像素点的多少代表批量半导体器件参数测试的重合数据点的数量，受到像素点数量的限制。本专利技术方法采用二维参数空间椭圆及三维参数空间椭球内加入均匀随机分布，通过椭圆以及椭球内点密度反映出批量半导体器件测试中重合数据点的数量，椭圆以及椭球每个轴的长度与该方向半导体器件参数的测试数据点之间的最小间距相关，保持椭圆中心之间以及椭球中心之间与原来数据点相同的距离，充分利用显示空间，显示批量半导体器件参数测试的重合数据点不受到显示屏的像素数量的限制，并且更为直观。与现有技术相比，本专利技术方法的显著进步如下：(1)本专利技术方法克服了现有技术直接采用显示屏中未被使用的像素点显示分布的不均匀的缺陷，解决了现有技术的显示屏的像素点数量不能满足显示批量半导体器件参数测试重合数据点的要求。(2)弥补了现有技术中没有专门用于批量半导体器件参数测试重合数据点可视化显示的欠缺。(3)相比现有技术中计算机及半导体参数分析软件的半导体参数分析方法和半导体参数自动化测试方法，本专利技术方法能够直观地显示出批量半导体器件参数测试重合数据点。本专利技术的突出的实质性特点和显著进步在下面的实施例中得以进一步证实。附图说明下面结合附图和实施例对本专利技术进一步说明。图1为本专利技术方法步骤流程示意图。图2为本专利技术方法中每个重合数据点随机展开及显示过程程序的流程示意图。图3为本专利技术方法实施例中的批量半导体三极管的基极开路集电极-发射极反向电流ICE0测试的数据分布图。图4为本专利技术方法实施例中的批量半导体三极管的共发射极直流电流增益βdc测试的数据分布图。图5为本专利技术方法实施例中的批量半导体三极管的基极开路集电极-发射极击穿电压VCE0测试的数据分布图。图6为批量半导体三极管ICE0和βdc二维参数空间中原始测试的数据点显示图。图7为二维椭圆范围展开批量半导体三极管ICE0和βdc重合数据点的分开显示图。图8为批量半导体三极管ICE0和VCE0二维参数空间中原始的数据点显示图。图9为二维椭圆范围展开批量半导体ICE0和VCE0重合数据点的分开显示图。图10为批量半导体三极管βdc和VCE0二维参数空间中原始的数据点显示图。图11为二维椭圆范围展开批量半导体三极βdc和VCE0重合数据点的分开显示图。图12为二维椭圆范围展开批量半导体三极管ICE0和βdc重合数据点缩小显示范围增加显示比例完整702以及部分701和703的效果图。图13为批量半导体三极管ICE0、βdc和VCE0三维参数空间中原始的数据点显示图。图14为椭球范围内展开批量半导体三极管ICE0、βdc和VCE0三维参数空间中重合数据点的分开显示图。图15为椭球范围内展开批量半导体三极管ICE0、βdc和VCE0重合数据点的缩小显示范围增加显示比例对应1401和1404放大显示的效果图。图16为半导体三极管ICE0、βdc和VCE0三维参数本文档来自技高网...

【技术保护点】
批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法，其特征在于步骤如下：第一步，建立批量半导体器件参数测试的坐标：以批量半导体器件的测试样品序号为横坐标，以测试得到的参数大小为纵坐标，显示该批量半导体器件各个参数数据；第二步，建立二维参数显示空间：用任意两个参数组合二维参数显示空间显示半导体器件参数测试数据点，在该二维参数空间中，以半导体器件原始测试参数数据点为中心，绘制椭圆，椭圆两个轴的长度分别为这两个参数测试数据点各自最小间距的二分之一，在大小相同的椭圆范围内加入均匀随机分布分开存在的半导体器件参数测试的重合数据点，利用该二维参数空间中随机展开数据点密度显示原始数据点的重合程度；第三步，建立三维参数显示空间：用任意三个参数组合三维空间显示半导体器件参数测试数据点，在三维参数空间中，以半导体器件原始测试参数数据点为中心，绘制椭球，椭球三个轴的长度分别为参数Ⅰ、参数Ⅱ和参数Ⅲ三个参数测试数据点各自最小间距的二分之一，在大小相同的椭球范围内加入均匀随机分布分开存在的重合数据点，该三维参数空间中随机展开数据点密度显示原始数据点的重合程度；第四步，显示批量半导体器件参数测试中重合数据点的变化：转动三维参数空间重合数据点的显示，实现三维参数空间不同方位的观察结果，当转动观察轴分别与参数Ⅰ、参数Ⅱ和参数Ⅲ相同方向时实现三维参数空间向二维参数空间的投影，在计算机的显示屏上显示批量半导体器件参数测试中减少的参数测试重合数据点数量的变化；上述步骤中的每个重合数据点随机展开及显示过程被作为程序保存在计算机存储设备中，并且由操作计算机来完成的。...

【技术特征摘要】
1.批量半导体器件参数测试重合数据点的显示方法，其特征在于步骤如下：第一步，建立批量半导体器件参数测试的坐标：以批量半导体器件的测试样品序号为横坐标，以测试得到的参数大小为纵坐标，显示该批量半导体器件各个参数数据；第二步，建立二维参数显示空间：用任意两个参数组合二维参数显示空间显示半导体器件参数测试数据点，在该二维参数空间中，以半导体器件原始测试参数数据点为中心，绘制椭圆，椭圆两个轴的长度分别为这两个参数测试数据点各自最小间距的二分之一，在大小相同的椭圆范围内加入均匀随机分布分开存在的半导体器件参数测试的重合数据点，利用该二维参数空间中随机展开数据点密度显示原始数据点的重合程度；第三步，建立三维参数显示空间：用任意三个参数组合三维空间显示半导体器件参数测试数据点，在三维参数空间中，以半导体器件原始测试参数数据点为中心，绘制椭球，椭球三个轴的长度分别为参数Ⅰ、参数Ⅱ和参数Ⅲ三个参数测试数据点各自最小间距的二分之一，在大小相同的椭球范围内加入均匀随机分布分开存在的重合数据点，该三维参数空间中随机展开数据点密度显示原始数据点的重合程度；第四步，显示批量半导体器件参数测试中重合数据点的变化：转动三维参数空间重合数据点的显示，实现三维参数空间不同方位的观察结果，当转动观察轴分别与参数Ⅰ、参数Ⅱ和参数Ⅲ相同方向时实现三维参数...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵红东，张魁，孙梅，杨磊，李志勇，王洛欣，
申请(专利权)人：河北工业大学，
类型：发明
国别省市：津;12