芳香胺衍生物及其制备方法、用途、有机电致发光器件技术

技术编号:10341136 阅读:215 留言:0更新日期:2014-08-21 14:02
本发明专利技术的实施例提供了一种芳香胺衍生物及其制备方法、用途、有机电致发光器件,涉及有机电致发光技术领域,为提高成膜性和氧化还原重复稳定性而发明专利技术。所述芳香胺衍生物,结构通式为I:R1、R2、R3和R4各自独立地代表氢、取代或未取代的C1-C40烷基、取代或未取代的C1-C40烷氧基、取代或未取代的C3-C40环烷基、取代或未取代的C6-C50芳基、取代或未取代的含有一个或两个选自N、O或S的杂原子的C3-C50杂芳基、或者与和其连接的苯基一起形成取代或未取代的C10-C40稠合芳基;其中,m、n、p和q各自独立地代表0、1、2、3、4或5;取代基为一个或多个选自卤素、C1-C10烷基、C1-C10烷氧基、C3-C20环烷基、C6-C20芳基或C4-C20杂芳基的基团。本发明专利技术可用于有机电致发光器件中。

【技术实现步骤摘要】
芳香胺衍生物及其制备方法、用途、有机电致发光器件
本专利技术涉及有机电致发光
,尤其涉及一种芳香胺衍生物及其制备方法、用途、有机电致发光器件。
技术介绍
有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode, OLED)是指有机半导体材料在电场作用下发光的技术,因其具有主动发光、全固态、驱动电压低、效率高、响应速度快、视角宽、制作工艺简单及可实现大面积和柔性显示等诸多优点,在平板显示及照明方面有着广阔的应用前景。—般而言所公知的OLED器件结构包括空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。为提高OLED器件的发光效率及使用寿命,很多空穴传输材料被研究分析和使用。例如早期在发展影印技术时专利技术的三芳香胺类物质,具有较高的的载子迁移率,但玻璃化转变温度低,成膜特性不佳,不利于有机电致发光器件的制备。又例如并五苯化合物,显示出很高的载子迁移率,但此类物质具有较高的HOMO能级,其氧化还原重复性不够稳定,即制成的有机电致发光器件的寿命不高。
技术实现思路
本专利技术的实施例的主要目的在于,提供一种成膜性佳、氧化还原重复稳定性的芳香胺衍生物及其制备方法、用途、有机电致发光器件。 为达到上述目的,本专利技术提供了一种芳香胺衍生物,结构通式为1:

【技术保护点】
一种芳香胺衍生物,其特征在于,结构通式为I:R1、R2、R3和R4各自独立地代表氢、取代或未取代的C1‑C40烷基、取代或未取代的C1‑C40烷氧基、取代或未取代的C3‑C40环烷基、取代或未取代的C6‑C50芳基、取代或未取代的含有一个或两个选自N、O或S的杂原子的C3‑C50杂芳基、或者与和其连接的苯基一起形成取代或未取代的C10‑C40稠合芳基;其中,m、n、p和q各自独立地代表0、1、2、3、4或5;取代基为一个或多个选自卤素、C1‑C10烷基、C1‑C10烷氧基、C3‑C20环烷基、C6‑C20芳基或C4‑C20杂芳基的基团。

【技术特征摘要】
1.一种芳香胺衍生物,其特征在于,结构通式为1: 2.根据权利要求1所述的芳香胺衍生物,其特征在于, 所述1、R2> R3和R4各自独立地代表氢、取代或未取代的C1-C6烷基、取代或未取代的C1-C6烷氧基、取代或未取代的C3-C6环烷基、取代或未取代的C6-C18芳基、取代或未取代的含有一个或两个选自N、O或S的杂原子的C4-Cltl杂芳基、或者与和其连接的苯基一起形成取代或未取代的Cltl-C18稠合芳基; m、n、p和q各自独立地代表0、1、2或3 ; 所述取代基为一个或多个选自C1-C6烷基、C1-C6烷氧基、C6-C18芳基。3.根据权利要求1或2所述的芳香胺衍生物,其特征在于, [R丄、[R2]n分别与[R3]p、[R4]q相同,并且[R丄、[R2]n在苯基上的取代位置分别与[R3]p、[R4],在苯基上的取代位置相同。4.根据权利要求1或2所述的芳香胺衍生物,其特征在于, [Rjm、[R2]n, [R3]P> [R4] q均相同,并且在苯基上的取代位置相同。5.一种如权利要求1所述的芳香胺衍生物的制备方法,其特征在于,包括: 在反应容器中加入结构式为II的5,11- 二取代并噻吩[3’,2’:5,6]吲哚[3,2_b]并噻吩[3,2-f]吲哚、结构式为III的三芳胺、结构式为IV的三芳胺、催化剂、碱、相转移催化剂以及溶剂并混合;其中,X、Y各自独立地代表卤素; ...

【专利技术属性】
技术研发人员:刘飞徐晓光高雪
申请(专利权)人:京东方科技集团股份有限公司
类型:发明
国别省市:北京;11

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