基板前处理方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板前处理方法及装置，所述方法包括如下步骤：步骤1、提供待前处理的基板、UV室及装载室；步骤2、在UV室与装载室之间设置一传递室连接该UV室与装载室，在UV室与传递室之间连接处设置第一封闭门，在传递室与装载室之间连接处设置第二封闭门；所述传递室在关闭第一与第二封闭门后形成密闭室。步骤3、将待前处理的基板送入UV室；步骤4、关闭UV室，在UV室内通入干燥的氧气后进行UV处理；步骤5、UV处理结束后，打开第一封闭门，将基板送入传递室；步骤6、在基板完全进入传递室后，关闭第一封闭门，打开第二封闭门，将基板送入装载室；步骤7、在基板完全进入装载室后，关闭第二封闭门，对装载室抽真空。

【技术实现步骤摘要】
基板前处理方法及装置
本专利技术涉及有机电致发光器件制作领域，尤其涉及一种基板前处理方法及装置。
技术介绍
有机电致发光器件是一种自发光器件，具有电压低，视角宽、响应速度快、温度适应性好等优势，是新一代的显示技术，从使用的有机电致发光材料的分子量来看，有机电致发光器件分为小分子有机电致发光器件(OLED)和高分子电致发光器件(PLED)，由于分子量的不同，有机电致发光器件的制程也有很大的区别，OLED主要通过热蒸镀方式制备，PLED通过旋涂或者喷墨打印方式制备。OLED通常包括：基板、置于基板上的ITO透明阳极、置于ITO透明阳极上的空穴注入层(HIL)、置于空穴注入层上的空穴传输层(HTL)、置于空穴传输层上的发光层(EML)、置于发光层上的电子传输层(ETL)、置于电子传输层上的电子注入层(EIL)以及置于电子注入层上的阴极。为了提高效率，发光层通常采用主/客体掺杂系统。OLED器件对水分和氧气非常敏感，故基板的干燥程度非常关键，即使基板上残留极微量的水分，在OLED器件制备完成后，水分会破坏器件，特别是在通电流的情况下，水分会与有机材料进行电化学反应，破坏材料的结构，影响有机材料的光电性能，从而使OLED器件劣化，寿命降低。现行的OLED基板前处理制程中，基板(玻璃或者塑料基板)在进入镀膜机前需要进行清洗、烘烤、UV处理。其中UV处理可以提高ITO(氧化铟锡)的表面功函数，以增加空穴的注入能力；亦可以去除ITO表面的有机残留物。但由于现有的前处理阶段的各个设备均使用同一个robot(自动执行工作的机器装置)，基板通过UV处理后，经robot传递到有机镀膜机的装载室。由于这个robot腔室无法做成密闭状态，只是一个洁净度非常高的空气气氛，内部的湿度与外界无尘室的湿度一样，一般是55％。故这一过程会使基板表面重新粘附水分，即使现行的装载室具有加热功能，但是却无法完全烘干水分，且烘干水分需要较长的时间，延长了tacttime(流片时间，即生产线上从第一张基板放入(或流出)流水线至第二张基板放入(或流出)流水线中间间隔的时间)。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种基板前处理方法，使基板在UV处理后无需经过空气气氛，避免了粘附水分，节省装载室烘烤时间，缩短tacttime，并且提高OLED器件的性能和寿命。本专利技术的另一目的在于提供一种基板前处理装置，其结构简单，易于操作，有利于基板前处理制程优化。为实现上述目的，本专利技术供一种基板前处理方法，包括如下步骤：步骤1、提供待前处理的基板、UV室及装载室；步骤2、在UV室与装载室之间设置一传递室连接该UV室与装载室，在UV室与传递室之间连接处设置第一封闭门，在传递室与装载室之间连接处设置第二封闭门；步骤3、将待前处理的基板送入UV室；步骤4、关闭UV室，在UV室内通入干燥的氧气后进行UV处理；步骤5、UV处理结束后，打开第一封闭门，将基板送入传递室；步骤6、在基板完全进入传递室后，关闭第一封闭门，打开第二封闭门，将基板送入装载室；步骤7、在基板完全进入装载室后，关闭第二封闭门，对装载室抽真空。所述步骤7对装载室抽真空直至真空度达到E-4pa以下。所述传递室在关闭第一与第二封闭门后形成密闭室。所述传递室内设有传动装置以用于传送基板。所述传动装置为传动滚筒。所述UV室远离传递室的一侧设有入口门，所述装载室远离传递室的一侧设有出口门以用于连接镀膜机。所述基板为OLED基板，所述前处理为镀膜前处理。本专利技术还提供一种基板前处理装置，包括UV室、传递室及装载室，所述传递室设于UV室与装载室之间，且在UV室与传递室之间连接处设置第一封闭门，在传递室与装载室之间连接处设置第二封闭门，所述传递室在关闭第一与第二封闭门后形成密闭室。所述传递室内设有传动装置以用于传送基板，所述传动装置为传动滚筒。所述UV室远离传递室的一侧设有入口门，所述装载室远离传递室的一侧设有出口门以用于连接镀膜机，所述基板为OLED基板，所述前处理为镀膜前处理。本专利技术的有益效果：本专利技术提供的一种基板前处理方法及基板前处理装置，利用一个密闭的传递室连接UV室和装载室，使基板在经UV处理后无需经过空气气氛，通过该密闭的传递室直接进入装载室，从而基板在经UV处理后，不再吸附水分，从而节省装载室的烘烤时间，缩短tacttime，并且提高OLED器件的性能和寿命。所述基板前处理装置结构简单，易于操作，有利于基板前处理制程优化。为了能更进一步了解本专利技术的特征以及
技术实现思路
，请参阅以下有关本专利技术的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本专利技术加以限制。附图说明下面结合附图和实施例对专利技术的技术方案做进一步的详细描述。图1为本专利技术基板前处理方法的流程图；图2为本专利技术基板前处理装置的立体图；图3为本专利技术基板前处理装置的俯视图。具体实施方式为更进一步阐述本专利技术所采取的技术手段及其效果，以下结合本专利技术的优选实施例及其附图进行详细描述。请参阅图1-3，本专利技术提供一种基板前处理方法，包括如下步骤：步骤1、提供待前处理的基板10、UV室20及装载室60；所述基板10为OLED基板，所述前处理为镀膜前处理。步骤2、在UV室20与装载室60之间设置一传递室40以连接该UV室20与装载室60，在UV室20与传递室40之间连接处设置第一封闭门24，在传递室40与装载室60之间连接处设置第二封闭门62；所述传递室40在关闭第一封闭门24与第二封闭门62后形成密闭室；所述传递室40内设有传动装置42以用于传送基板10；所述传动装置42为传动滚筒。步骤3、将待前处理的基板10送入UV室20；步骤4、关闭UV室20，在UV室20内通入干燥的氧气后进行UV处理；步骤5、UV处理结束后，打开第一封闭门24，将基板10送入传递室40；步骤6、在基板10完全进入传递室40后，关闭第一封闭门24，打开第二封闭门62，将基板10送入装载室60；步骤7、在基板10完全进入装载室60后，关闭第二封闭门62，对装载室60抽真空；当装载室60的真空度达到E-4pa以下时，基板10被送入镀膜机(未图示)。所述UV室20远离传递室40的一侧设有入口门22，所述装载室60远离传递室40的一侧设有出口门64以用于连接镀膜机(未图示)。请参阅图2-3，本专利技术还提供一种基板前处理装置，用于对基板10进行镀膜前处理，包括UV室20、传递室40及装载室60，所述传递室40设于UV室20与装载室60之间，且在UV室20与传递室40之间连接处设置第一封闭门24，在传递室40与装载室60之间连接处设置第二封闭门62，所述传递室40在关闭第一封闭门24与第二封闭门62后形成密闭室。所述基板10为OLED基板。所述传递室40内设有传动装置42以用于传送基板10，所述传动装置42为传动滚筒。所述UV室20远离传递室40的一侧设有入口门22，所述装载室60远离传递室40的一侧设有出口门64以用于连接镀膜机(未图示)。工作时，将待前处理的基板10送入UV室20；关闭UV室20，在UV室20内通入干燥的氧气后进行UV处理；UV处理结束后，打开第一封闭门24，所述传动装置42将基板10送入传递室40；在基板10完全进入传递室40后，关闭第一封闭门24，打开第二封闭门62，将基板10送入装载室本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种基板前处理方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供待前处理的基板、UV室及装载室；步骤2、在UV室与装载室之间设置一传递室连接该UV室与装载室，在UV室与传递室之间连接处设置第一封闭门，在传递室与装载室之间连接处设置第二封闭门；步骤3、将待前处理的基板送入UV室；步骤4、关闭UV室，在UV室内通入干燥的氧气后进行UV处理；步骤5、UV处理结束后，打开第一封闭门，将基板送入传递室；步骤6、在基板完全进入传递室后，关闭第一封闭门，打开第二封闭门，将基板送入装载室；步骤7、在基板完全进入装载室后，关闭第二封闭门，对装载室抽真空。

【技术特征摘要】
1.一种基板前处理方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供待前处理的基板、UV室及装载室；步骤2、在UV室与装载室之间设置一传递室连接该UV室与装载室，在UV室与传递室之间连接处设置第一封闭门，在传递室与装载室之间连接处设置第二封闭门；步骤3、将待前处理的基板送入UV室；步骤4、关闭UV室，在UV室内通入干燥的氧气后进行UV处理；步骤5、UV处理结束后，打开第一封闭门，将基板送入传递室；步骤6、在基板完全进入传递室后，关闭第一封闭门，打开第二封闭门，将基板送入装载室；步骤7、在基板完全进入装载室后，关闭第二封闭门，对装载室抽真空；所述步骤7对装载室抽真空直至真空度达到E-4pa以下；所述传递室内设有传动装置以用于传送基板；所述传动装置为传动滚筒。2.如权利要求1所述的基板前处理方法，其特征在于，所述传递室在关闭第一与第二封闭门后形成密闭室。3.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：邹清华，吴聪原，
申请(专利权)人：深圳市华星光电技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东;44