一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的薄膜晶体管、显示基板、显示装置制程复杂，制作周期长，良品率低，生产成本高的问题。本发明专利技术的通过将保护层与氧化物有源层通过一次构图工艺形成氧化物有源层图形，相对与现有技术节省了一次构图工艺，使薄膜晶体管的制程简单、周期短、良品率高、生产成本低；在含氧气氛下进行退火，能够修复形成源、漏电极时等离子对氧化物有源层造成的损伤，同时，氧化物有源层和保护层在两者相接触的一侧各形成一过渡区域，能够降低薄膜晶体管的关态电流。

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置
本专利技术属于显示
，具体涉及一种薄膜晶体管及其制备方法、显示基板、显示装置。
技术介绍
近年来，随着平板显示技术的不断发展，大尺寸、高分辨率、3D液晶显示器以及有机电致发光显示(OLED)技术已经成为主要发展方向，传统的非晶硅薄膜晶体管已经难以满足相关技术要求，有源层为氧化物(如氧化铟镓锌(IGZ0，In-Ga-Zn-O))的薄膜晶体管作为最有希望成为下一代平板显示器的薄膜晶体管，几乎满足上述所有的技术要求。如图1所示，目前，氧化物(如氧化铟镓锌(IGZO))薄膜晶体管结构示意图，包括衬底基板1，以及设置在该衬底基板I上的栅极2，栅极2上设有栅极绝缘层3，栅极绝缘层3上设有氧化铟镓锌(IGZO)有源层4，有源层4上设有刻蚀阻挡层5用于保护有源层，防止刻蚀液腐蚀有源层4的沟道区，在刻蚀阻挡层5上设有源、漏电极6。当采用氧化铟镓锌(IGZO)作为薄膜晶体管有源层的沟道材料时，常采用如图1所示的底栅结构来制作，采用绝缘材料制备的刻蚀阻挡层5来保护氧化铟镓锌(IGZO)沟道材料不受源、漏电极6刻蚀液的腐蚀。由于刻蚀阻挡层5是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：在基板上形成氧化物有源层薄膜、保护层薄膜，所述保护层薄膜材料为氧化锡系材料，采用一次构图工艺同时对氧化物有源层薄膜、保护层薄膜进行处理，形成氧化物有源层、保护层的图形；在保护层上形成源、漏电极薄膜，通过构图工艺对源、漏电极薄膜进行处理，形成源、漏电极的图形；在含氧气氛下进行退火，所述氧化物有源层和保护层在两者接触面发生相互扩散，在所述接触面的两侧至少各形成一过渡区域，所述的过渡区域用于降低薄膜晶体管的关态电流。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括: 在基板上形成氧化物有源层薄膜、保护层薄膜，所述保护层薄膜材料为氧化锡系材料，采用一次构图工艺同时对氧化物有源层薄膜、保护层薄膜进行处理，形成氧化物有源层、保护层的图形； 在保护层上形成源、漏电极薄膜，通过构图工艺对源、漏电极薄膜进行处理，形成源、漏电极的图形； 在含氧气氛下进行退火，所述氧化物有源层和保护层在两者接触面发生相互扩散，在所述接触面的两侧至少各形成一过渡区域，所述的过渡区域用于降低薄膜晶体管的关态电流。2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述保护层还包括远离氧化物有源层的非过渡区域，所述的非过渡区域是由含氧化锡系材料制备的。3.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述保护层由过渡区域构成。4.如权利要求1-3任一所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述氧化锡系材料为氧化铟锡锌、氧化铝锡锌、氧化锌锡、氧化镓锡、氧化铟镓锡、氧化铟锡中的任意一种。5.如权利要求4所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述氧化物有源层的材料为氧化铟镓锌。6.如权利要求5所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述过渡区域包括氧化铟镓锡锌材料。7.如权利要求1_3、5、6任一所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在含氧气氛下进行退火中所述含氧气氛为1% -99%氧气分压气氛或纯氧气氛。8.如权利要求1_3、5、6任一所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述在含氧气氛下进行退火的步骤中所述退火是在100-900°C退火温度下进行的。9.如权利要求1_3、5、6任一所述的薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述的保护层是在含氧气氛下沉积制备的，所述的含氧气氛为1% -99%氧...

【专利技术属性】
技术研发人员：赵策，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京;11