基于有源栅极电流控制方式的IGBT电流源驱动电路及其控制方法技术

本发明专利技术公开了基于有源栅极电流控制方式的IGBT电流源驱动电路及其控制方法，属于电力电子驱动领域。该驱动电路包括由正电源VGG+、负电源VGG-、IGBT开关管S1、IGBT开关管S2、IGBT开关管S3、IGBT开关管S4、IGBT开关管S5、IGBT开关管S6(以下简称S1、S2、S3、S4、S5、S6)和滤波电感LR；正电源VGG+与S1集电极相连接，S1发射集与S2集电极相连接，S2发射极与负电源相VGG-连接，S3集电极与正电源VGG+相连接，S3发射集与S4集电极相连接，S4发射极与负电源相VGG-连接，滤波电感LR一端与S1发射集连接，另一端与S3发射集连接，S5集电集与S3发射集相连接，S5发射集与S6发射极相连接。本发明专利技术的电路和方法在提高IGBT开关速度、降低开关损耗的同时，保证了IGBT工作在其安全工作区内。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术公开了基于有源栅极电流控制方式的IGBT电流源驱动电路及其控制方法，属于电力电子驱动领域。该驱动电路包括由正电源VGG+、负电源VGG-、IGBT开关管S1、IGBT开关管S2、IGBT开关管S3、IGBT开关管S4、IGBT开关管S5、IGBT开关管S6(以下简称S1、S2、S3、S4、S5、S6)和滤波电感LR；正电源VGG+与S1集电极相连接，S1发射集与S2集电极相连接，S2发射极与负电源相VGG-连接，S3集电极与正电源VGG+相连接，S3发射集与S4集电极相连接，S4发射极与负电源相VGG-连接，滤波电感LR一端与S1发射集连接，另一端与S3发射集连接，S5集电集与S3发射集相连接，S5发射集与S6发射极相连接。本专利技术的电路和方法在提高IGBT开关速度、降低开关损耗的同时，保证了IGBT工作在其安全工作区内。【专利说明】基于有源栅极电流控制方式的IGBT电流源驱动电路及其控制方法
本专利技术属于电力电子驱动领域，更具体地说，涉及一种基于有源栅极电流控制方式的IGBT电流源驱动电路及其控制方法。
技术介绍
IGBT是一种常用的中、大功率开关本文档来自技高网...

【技术保护点】
基于有源栅极电流控制方式的IGBT电流源驱动电路，其特征在于：所述的驱动电路包括由正电源VGG+、负电源VGG‑、IGBT开关管S1、IGBT开关管S2、IGBT开关管S3、IGBT开关管S4、IGBT开关管S5、IGBT开关管S6和滤波电感LR；所述正电源VGG+与IGBT开关管S1集电极相连接，IGBT开关管S1发射集与IGBT开关管S2集电极相连接，IGBT开关管S2发射极与负电源相VGG‑连接，IGBT开关管S3集电极与正电源VGG+相连接，IGBT开关管S3发射集与IGBT开关管S4集电极相连接，IGBT开关管S4发射极与负电源相VGG‑连接，滤波电感LR一端与IGBT开关管S1发射...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宗祥，张庆丰，赵瑞雪，刘雁飞，葛芦生，
申请(专利权)人：安徽工业大学，
类型：发明
国别省市：安徽;34