采用分段式页面配置的DRAM制造技术

采用分段式页面配置的DRAM。本描述指向具有多个行和多个列的动态随机存取存储器（DRAM）阵列。阵列进一步包括多个单元，其每个与列中的一个以及行中的一个相关联。每个单元包括电容器，该电容器选择性地耦连到其相关联列的位线使得当单元被选择时与位线共享电荷。存在用于每行的分段式字线电路，其是可控的以造成仅选择行中的单元的一部分。

【技术实现步骤摘要】
采用分段式页面配置的DRAM
技术介绍
常规动态随机存取存储器(DRAM)阵列具有大的页面大小一在行激活操作期间被读取到灵敏放大器中的位的数目。大的页面大小，典型的是8192位，是有益的因为其允许采用较少操作刷新整个阵列。另一方面，大的页面大小可能造成相当大的能耗。不必要的能量花费的一个示例是，典型地在读操作中，仅对页面中的少数(4-32)的位感兴趣。尽管如此，在常规DRAM中页面中的所有位线都被充电和放电以实施这类读取。所以当仅需要来自页面的一部分中的数据时却花费能量来读取整个页面。【附图说明】图1示意性地示出根据本描述的、具有分段式页面配置的示例性动态随机存取存储器(DRAM)阵列。图2示意性地描绘图1的DRAM阵列的列和相关联的结构。【具体实施方式】本描述指向可以以更节能的方式操作的动态随机存取存储器(DRAM)阵列。DRAM阵列被以行和列组织成单元(cell)的矩阵，使得每个单元唯一地与特定行和列相关联。DRAM阵列具有等于阵列中的列的数目的宽度，也称为页面宽度。配置DRAM阵列使得可实现某些操作使得仅影响列中的一些、或仅影响阵列的宽度的一部分。例如，阵列的行可具有分段式字线，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种动态随机存取存储器（DRAM）阵列，包括：多个行；多个列；多个单元，每个与所述列中的一个并与所述行中的一个相关联，其中每个单元包括电容器，所述电容器选择性地耦连到其相关联列的位线使得当所述单元被选择时与所述位线共享电荷；以及用于每行的分段式字线电路，所述分段式字线电路是可控的以造成仅选择该行中的所述单元的一部分。

【技术特征摘要】
2013.02.07 US 13/761,9961.一种动态随机存取存储器(DRAM)阵列，包括: 多个行； 多个列； 多个单元，每个与所述列中的一个并与所述行中的一个相关联，其中每个单元包括电容器，所述电容器选择性地耦连到其相关联列的位线使得当所述单元被选择时与所述位线共享电荷；以及 用于每行的分段式字线电路，所述分段式字线电路是可控的以造成仅选择该行中的所述单元的一部分。2.根据权利要求1所述的DRAM阵列，其中针对每行，所述分段式字线电路包括: 全局字线；以及 多个局部字线，其每 个与所述全局字线以及所述行中的所述单元的相关联子页面耦连，其中给定的子页面的所述单元被选择以通过以下各项与其位线共享电荷:(i)置位所述全局字线以及(ii)采用被置位的子页面选择信号对被置位的全局字线进行门控以置位与单元的所述给定的子页面耦连的所述局部字线。3.根据权利要求1所述的DRAM阵列，进一步包括解码器，其配置为生成子页面选择信号，所述子页面选择信号控制在所命令的DRAM操作中涉及所述DRAM阵列的哪些位线。4.根据权利要求3所述的DRAM阵列，其中所述所命令的DRAM操作是使行中的单元与其相关联列的所述位线共享其电容器的所述电荷的命令，所述子页面选择信号因此控制在这类电荷共享中涉及哪些位线。5.根据权利要求3所述的DRAM阵列，其中所述所命令的DRAM操作是对位线进行预充电的命令，所述子页面选择信号因此控制哪些位线被预充电。6.根据权利要求3所述的DRAM阵列，进一步包括，针对每列，灵敏放大器耦连到所述列的位线，并且其中所述所命令的DRAM操作是使能所述灵敏放大器以感测在其所耦连的位线上的电荷级别的命令，所述子页面选择信号因此控制哪些灵敏放大器实施这类电荷感测。7.根据权利要求6所述的DRAM阵列，其中所述灵敏放大器配置为生成对已与所述位线共享电荷的单元正存储了逻辑HI还是逻辑LO电压电平的输出指示。8.根据权利要求7所述的DRAM阵列，进一步包括锁存器，其耦连到所述灵敏放大器中的每一个，并可操作以存储所述灵敏放大器的所述输出。9.一种动态随机存取存储器(DRAM)阵列，包括: 多个行； 多个列； 多个单元，每个与所述列中的一个并与所述行中的一个相关联；以及 解码器，其配置为生成子页面选择信号，所述子页面选择信号控制在所命令的DRAM操作中涉及所述DRAM阵列的哪些列。10.根据权利要求9所述的DRAM阵列，其中每个单元包括电容器，所述电容器选择性地耦连到其相关联列的位线使得当所述单元被选择时与所述位线共享电荷，并且其中所述所命令的D...

【专利技术属性】
技术研发人员：威廉·詹姆斯·达利，
申请(专利权)人：辉达公司，
类型：发明
国别省市：美国;US