【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及显示
,特别涉及一种阵列面板及其制作方法。
技术介绍
传统的TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示面板)将彩膜(CF,Color Filter)和TFT(Thin Film Transistor,薄膜晶体管)阵列分别做在不同的基板上,其中,TFT阵列基板包括:薄膜晶体管、外围线路和像素电极,彩膜基板包括:公共电极、R/G/B彩膜、PS(Position Spacer,间隔件)和BM(Black Matrix,黑色矩阵层)。由于CF和TFT阵列分别做在不同的玻璃基板上,因此可以节省工艺生产时间。 在实践中,专利技术人发现现有技术至少存在以下问题: TFT阵列基板中的薄膜晶体管和像素电极或者其延伸部具有重叠部分,因此薄膜晶体管和像素电极会形成一个电容,该电容会对像素单元的显示造成一定 ...
【技术保护点】
一种阵列面板,其特征在于,所述阵列面板包括:一基板;至少一扫描线;至少一数据线;以及一像素阵列,所述像素阵列包括至少一像素单元,其中,所述像素单元包括:一薄膜晶体管;一像素电极;以及一彩膜层,设置于第一平面和第二平面之间,其中,所述第一平面为所述薄膜晶体管的栅极所在的平面,所述第二平面为所述像素电极所在的平面;其中,所述扫描线、所述数据线和所述像素阵列均设置于所述基板上。
【技术特征摘要】
1.一种阵列面板,其特征在于,所述阵列面板包括:
一基板;
至少一扫描线;
至少一数据线;以及
一像素阵列,所述像素阵列包括至少一像素单元,其中,所
述像素单元包括:
一薄膜晶体管;
一像素电极;以及
一彩膜层,设置于第一平面和第二平面之间,其中,所
述第一平面为所述薄膜晶体管的栅极所在的平面,所述第二
平面为所述像素电极所在的平面;
其中,所述扫描线、所述数据线和所述像素阵列均设置于所
述基板上。
2.根据权利要求1所述的阵列面板,其特征在于,所述彩
膜层设置于第一区域和第二区域上;
其中,所述第一区域和所述第二区域分别为所述像素电极和
所述薄膜晶体管在所述基板上所对应的区域。
3.根据权利要求2所述的阵列面板,其特征在于,所述薄
膜晶体管还包括源极和漏极,所述彩膜层覆盖所述源极和所述漏
极。
4.根据权利要求3所述的阵列面板,其特征在于,所述彩
膜层设置有通孔,所述通孔中设置有连接线,所述连接线连接所
述像素电极和所述漏极。
5.根据权利要求1所述的阵列面板,其特征在于,所述彩
膜层的表面设置有至少一凹槽,所述凹槽的形状与所述像素电极
的形状对应,所述像素电极卡设于所述凹槽内。
6.根据权利要求5所述的阵列面板,其特征在于,所述凹
槽的底面或侧面设置有凹陷部或突...
【专利技术属性】
技术研发人员:徐向阳,
申请(专利权)人:深圳市华星光电技术有限公司,
类型:发明
国别省市:广东;44
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