【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及日盲紫外像增强器参数测试
，具体涉及日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度的测试装置及方法。
技术介绍
日盲紫外ICXD的研制是日盲紫外成像探测关键性的核心技术之一，其带外相对光谱响应度指在近紫外、可见及近红外谱段对入射辐照的响应能力，该参数主要用于体现日盲紫外ICCD对于带外辐射的响应能力优劣，准确测试带外相对光谱响应度对于实现其与滤光片的光谱优化匹配进而提升系统信噪比具有重要意义。目前对于可见光探测器及红外探测器的光电参量测试研究较为成熟，但是由于紫外ICCD探测原理与可见光和红外探测器有所不同，测试方法不能通用，而且系统复杂度高，参量测试难度较大，因此国内关于紫外ICCD性能参量测量方面的研究报道很少。赵玉环等于2009年采用直接比较法测定了紫外ICCD的相对光谱响应度，并基于具有优异紫外响应能力的科研级光谱仪建立了紫外ICCD光谱响应测量装置。但是，该方法仅能测试220nm-300nm谱段紫外ICCD的带内相对光谱响应，对于300nm以上的谱段，由于ICCD响应度较低且其建立的测试装置灵敏度及精度不够则无法测试。另外，该方法采用灰度值作为输出信号计算探测器的相对光谱响应，由于灰度值随着ICXD增益的增大而增大，因此存在很大的不确定性。紫外ICXD是由像增强器、光纤光锥、CCD及电子线路等封装而成。一旦封装完成，一些关键参量如相对光谱响应度等只能由如上文中所述的灰度值或者光子数等参量间接推知。相较于紫外ICCD整机，单纯对其中的像增强器进行相关光电参量测试，不仅更能直观且准确的表征紫外ICCD的性能，也可进一步指导国内研...
【技术保护点】
日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试装置，其特征是，包括：光源(1)；暗箱(2)，位于所述光源(1)的前方，所述暗箱的侧面设置有一个入光口；可伸缩屏蔽罩(3)，位于所述入光口和所述光源(1)之间；陷阱探测器(4)，位于暗箱(2)内部，用于探测光源(1)的输出光电流；屏蔽盒(6)，位于所述暗箱(2)内部，用于盛载待测像增强器(5)，对所述待测像增强器(5)进行有效电磁屏蔽；静电计(10)，连接所述待测像增强器(5)的输出信号端，用于探测所述光源(1)通过待测像增强器(5)后的输出电信号。
【技术特征摘要】
1.日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试装置，其特征是，包括: 光源(1); 暗箱(2)，位于所述光源(1)的前方，所述暗箱的侧面设置有一个入光口 ； 可伸缩屏蔽罩(3)，位于所述入光口和所述光源(1)之间； 陷阱探测器(4)，位于暗箱(2)内部，用于探测光源(1)的输出光电流； 屏蔽盒(6)，位于所述暗箱(2)内部，用于盛载待测像增强器(5)，对所述待测像增强器(5)进行有效电磁屏蔽； 静电计(10)，连接所述待测像增强器(5)的输出信号端，用于探测所述光源(1通过待测像增强器(5)后的输出电信号。2.根据权利 要求1所述的日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试装置，其特征在于，所述光源(1)为高稳定mW级激光二极管，所述激光二极管沿同一高度按波长顺序水平放置。3.根据权利要求1所述的日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试装置，其特征在于，还包括探测装置(9)，陷阱探测器(4)与探测装置(9)配合使用，所述陷阱探测器⑷的相对光谱响应度已知。4.根据权利要求3所述的日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试装置，其特征在于，所述探测装置(9)为弱电流放大器。5.根据权利要求1所述的日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试装置，其特征在于，所述屏蔽盒(6)材料为铁，可有效屏蔽静电，且表面喷有氧化铝黑色喷漆，防止反射杂散光。6.根据权利要求1所述的日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试装置，其特征在于，所述静电计(10)的灵敏度小于等于IO-12A量级。7.根据权利要求1-6任意一项所述的日盲紫外像增强器带外相对光谱响应度测试装置，其特征在于，还包括精密位移平台(7)，位于所述陷阱探测器(4)与所述屏蔽盒...
【专利技术属性】
技术研发人员：闫丰，章明朝，周跃，陈雪，崔穆涵，
申请(专利权)人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所，
类型：发明
国别省市：吉林;22
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